![FDP18N50 FDP18N50](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/EC/8D/00/00/0/55502_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=7a6bf352238ded8a773459ab1a7cb00241711879)
FDP18N50 ONSEMI
![FDP18N50.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 156.81 грн |
7+ | 124.86 грн |
19+ | 118.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP18N50 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDP18N50 за ціною від 79.25 грн до 230.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 6311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDP18N50 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |