FDP3651U ON Semiconductor
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 110.83 грн |
| 10+ | 99.78 грн |
| 100+ | 88.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP3651U ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDP3651U за ціною від 64.39 грн до 180.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP3651U | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDP3651U | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V |
на замовлення 769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDP3651U | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN |
на замовлення 1111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDP3651U | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDP3651U Код товару: 144911 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
FDP3651U | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDP3651U | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDP3651U | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDP3651U | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 255W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 255W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 9.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDP3651U | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 255W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 255W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 9.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |