![FDP75N08A FDP75N08A](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/fee66d5bbefbe47bcf90d79e914b9a646481854f/cs-5203a.jpg)
FDP75N08A ON Semiconductor
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 106.24 грн |
10+ | 101.63 грн |
25+ | 96.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP75N08A ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 137W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP75N08A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP75N08A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
FDP75N08A |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
![]() |
FDP75N08A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FDP75N08A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 300A; 137W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 47A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 137W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 104nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
FDP75N08A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
FDP75N08A | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FDP75N08A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 300A; 137W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 47A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 137W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 104nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |