![FDP047AN08A0 FDP047AN08A0](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/8/7/9/20/17/303/ons_/manual/cs-5203a.jpg)
FDP047AN08A0 ON Semiconductor
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP047AN08A0 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP047AN08A0 за ціною від 108.74 грн до 262.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP047AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDP047AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDP047AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDP047AN08A0 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
на замовлення 1823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDP047AN08A0 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDP047AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDP047AN08A0 Код товару: 119329 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDP047AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |