![FDPF190N15A FDPF190N15A](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4846/261_TO-220F.jpg)
FDPF190N15A onsemi
![fdpf190n15a-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 150V 27.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 27.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2685 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 200.53 грн |
10+ | 162.18 грн |
100+ | 131.22 грн |
500+ | 109.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF190N15A onsemi
Description: ONSEMI - FDPF190N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27.4 A, 0.0147 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDPF190N15A за ціною від 91.3 грн до 220.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDPF190N15A | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDPF190N15A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
FDPF190N15A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDPF190N15A | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDPF190N15A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDPF190N15A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17.4A; Idm: 110A; 33W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220FP Power dissipation: 33W Pulsed drain current: 110A Drain-source voltage: 150V Drain current: 17.4A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 39nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDPF190N15A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17.4A; Idm: 110A; 33W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220FP Power dissipation: 33W Pulsed drain current: 110A Drain-source voltage: 150V Drain current: 17.4A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 39nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |