Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN86265P
FDN86265P

FDN86265P ON Semiconductor

fdn86265pjp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN86265P ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDN86265P за ціною від 26.42 грн до 80.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDN86265P FDN86265P Виробник : onsemi fdn86265p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+30.2 грн
6000+ 27.69 грн
9000+ 26.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN86265P FDN86265P Виробник : onsemi fdn86265p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
на замовлення 12806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.97 грн
10+ 57.48 грн
100+ 44.74 грн
500+ 35.59 грн
1000+ 28.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDN86265P FDN86265P Виробник : onsemi / Fairchild FDN86265P_D-2313026.pdf MOSFET PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+80.96 грн
10+ 63.79 грн
100+ 43.49 грн
500+ 37.67 грн
1000+ 30.64 грн
3000+ 28.49 грн
6000+ 27.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDN86265P Виробник : ONSEMI fdn86265p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 1.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDN86265P Виробник : ONSEMI fdn86265p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 1.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній