FDP16AN08A0 ON Semiconductor
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 76.01 грн |
| 10+ | 71.58 грн |
| 100+ | 65.88 грн |
| 250+ | 60.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP16AN08A0 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP16AN08A0 за ціною від 53.46 грн до 128.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP16AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDP16AN08A0 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDP16AN08A0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V |
на замовлення 766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDP16AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDP16AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDP16AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 44A; 135W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 44A Power dissipation: 135W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDP16AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 44A; 135W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 44A Power dissipation: 135W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |