![FDP2D3N10C FDP2D3N10C](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1062/488-TO-220AB.jpg)
FDP2D3N10C onsemi
![fdp2d3n10c-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
на замовлення 162617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 430.92 грн |
50+ | 331.3 грн |
100+ | 296.43 грн |
500+ | 245.46 грн |
1000+ | 220.91 грн |
2000+ | 207 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP2D3N10C onsemi
Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 222A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDP2D3N10C за ціною від 216.91 грн до 495.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP2D3N10C | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDP2D3N10C | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 222A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDP2D3N10C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDP2D3N10C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 157A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 152nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 888A Mounting: THT Case: TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDP2D3N10C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 157A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 152nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 888A Mounting: THT Case: TO220-3 |
товар відсутній |