Продукція > ONSEMI > FDP3632
FDP3632

FDP3632 ONSEMI

FDB3632.pdf Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+238.45 грн
3+ 199.64 грн
6+ 153.18 грн
16+ 144.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP3632 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDP3632 за ціною від 119.87 грн до 286.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDP3632 FDP3632 Виробник : onsemi fdp3632-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+240.49 грн
50+ 183.46 грн
100+ 157.25 грн
500+ 131.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP3632 FDP3632 Виробник : onsemi / Fairchild FDP3632_D-2312837.pdf MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+260.99 грн
10+ 246.05 грн
50+ 177.71 грн
100+ 152.62 грн
500+ 135.2 грн
800+ 119.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP3632 FDP3632 Виробник : ONSEMI FDB3632.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+286.14 грн
3+ 248.78 грн
6+ 183.81 грн
16+ 173.36 грн
FDP3632 FDP3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP3632 FDP3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній