![FDPF39N20 FDPF39N20](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4846/261_TO-220F.jpg)
FDPF39N20 onsemi
![fdpf39n20tldtu-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 146.25 грн |
50+ | 113.05 грн |
100+ | 93.02 грн |
500+ | 73.87 грн |
1000+ | 62.67 грн |
2000+ | 59.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF39N20 onsemi
Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDPF39N20 за ціною від 59.48 грн до 171.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDPF39N20 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 24036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF39N20 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDPF39N20 | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDPF39N20 Код товару: 101352 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
![]() |
FDPF39N20 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDPF39N20 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDPF39N20 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDPF39N20 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 200V Drain current: 23.4A On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 37W Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDPF39N20 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 200V Drain current: 23.4A On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 37W Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V |
товар відсутній |