![FDPF3860T FDPF3860T](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2011/3/24/2/51/7/247/fsc_/manual/to-220f-3.jpg)
FDPF3860T ON Semiconductor
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 40.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF3860T ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDPF3860T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0291 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 33.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33.8W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0291ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0291ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDPF3860T за ціною від 35.41 грн до 118.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDPF3860T | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDPF3860T | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDPF3860T | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 9930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDPF3860T | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 33.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33.8W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0291ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0291ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDPF3860T | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FDPF3860T | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDPF3860T | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.7A; 33.8W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12.7A Power dissipation: 33.8W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDPF3860T | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.2mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDPF3860T | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.7A; 33.8W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12.7A Power dissipation: 33.8W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |