Продукція > ONSEMI > FDP52N20
FDP52N20

FDP52N20 ONSEMI

FDP52N20, FDPF52N20T.pdf Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+156.76 грн
9+ 95.59 грн
25+ 90.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP52N20 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDP52N20 за ціною від 63.41 грн до 188.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDP52N20 FDP52N20 Виробник : onsemi FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 7787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.7 грн
50+ 127.18 грн
100+ 104.64 грн
500+ 83.1 грн
1000+ 70.51 грн
2000+ 66.98 грн
5000+ 63.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP52N20 FDP52N20 Виробник : onsemi / Fairchild FDP52N20_D-2312838.pdf MOSFET 200V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.31 грн
10+ 144.71 грн
100+ 104.28 грн
500+ 87.6 грн
1000+ 73.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP52N20 FDP52N20 Виробник : ONSEMI FDP52N20, FDPF52N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+188.11 грн
9+ 119.12 грн
25+ 108.63 грн
500+ 104.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP52N20 Виробник : ON-Semicoductor FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+86.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDP52N20
Код товару: 129721 		FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP52N20 FDP52N20 Виробник : ON Semiconductor fdp52n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP52N20 FDP52N20 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товар відсутній
FDP52N20 FDP52N20 Виробник : ON Semiconductor fdp52n20-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній