Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC 100AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0039" (0.100mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2379.46 грн
4+ 2176.62 грн
8+ 2061.9 грн
24+ 1828.06 грн
100+ 1505.09 грн
BSC 100 1GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0059" (0.151mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2816.8 грн
4+ 2576.62 грн
8+ 2441.53 грн
24+ 2163.79 грн
100+ 1782.03 грн
BSC 100 1TT50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0059" (0.151mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 1.5W/m-K
Adhesive: Tacky - One Side
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4128.8 грн
4+ 3777.38 грн
8+ 3578.89 грн
24+ 3171.67 грн
100+ 2612.13 грн
BSC 100 1TT50 1GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Adhesive: Tacky - One Side
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4566.91 грн
4+ 4177.39 грн
8+ 3957.76 грн
24+ 3508.1 грн
100+ 2889.07 грн
BSC 100 2GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3254.13 грн
4+ 2977.38 грн
8+ 2820.4 грн
24+ 2499.51 грн
100+ 2058.96 грн
BSC 100 2TT50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 1.5W/m-K
Adhesive: Tacky - Both Sides
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5878.91 грн
4+ 5378.15 грн
8+ 5095.13 грн
24+ 4515.98 грн
100+ 3719.17 грн
BSC 100 HTGAISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 249MM X 239MM
товар відсутній
BSC-SS-148L
Код товару: 89390		Реле
товар відсутній
BSC/0/100TRENDDescription: TREND - BSC/0/100 - BISCUIT NO 0, (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1019.22 грн
BSC/10/100TRENDDescription: TREND - BSC/10/100 - BISCUIT NO 10 (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1080.18 грн
BSC/20/100TRENDDescription: TREND - BSC/20/100 - BISCUIT NO 20, (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1072.87 грн
BSC/MIX/100TRENDDescription: TREND - BSC/MIX/100 - BISCUIT MIXED 0/10/20 (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1127.32 грн
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A T/R
товар відсутній
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 43665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.82 грн
10+ 144.15 грн
100+ 90.57 грн
500+ 73.18 грн
1000+ 65.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V
на замовлення 7822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.04 грн
10+ 131.25 грн
100+ 90.83 грн
500+ 68.98 грн
1000+ 63.74 грн
2000+ 59.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V
на замовлення 5429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.32 грн
10+ 135.47 грн
100+ 93.86 грн
500+ 71.38 грн
1000+ 66 грн
2000+ 62.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC005N03LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.16 грн
500+ 91.32 грн
1000+ 68.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesSP004819078
товар відсутній
BSC005N03LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.94 грн
10+ 147.11 грн
100+ 112.16 грн
500+ 91.32 грн
1000+ 68.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 11875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.58 грн
10+ 149.15 грн
100+ 103.61 грн
250+ 95.64 грн
500+ 86.94 грн
1000+ 73.9 грн
2500+ 70.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesSP004819084
товар відсутній
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.37 грн
10+ 139.85 грн
100+ 97.13 грн
500+ 73.96 грн
1000+ 68.43 грн
2000+ 64.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC005N03LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00051 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 510µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.98 грн
500+ 95.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 13805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.04 грн
10+ 156.64 грн
100+ 97.09 грн
500+ 78.97 грн
1000+ 71.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC005N03LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00051 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.88 грн
10+ 153.62 грн
100+ 112.98 грн
500+ 95.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC007N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.82 грн
50+ 171.5 грн
250+ 138.98 грн
1000+ 115.47 грн
3000+ 104.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 106498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.3 грн
10+ 194.14 грн
25+ 163.02 грн
100+ 136.94 грн
250+ 131.87 грн
500+ 121 грн
1000+ 98.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC007N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 138W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 6266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.96 грн
10+ 173.36 грн
100+ 140.28 грн
500+ 117.02 грн
1000+ 100.2 грн
2000+ 94.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC007N04LS6ATMA1
Код товару: 161378		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC007N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 138W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC007N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+171.5 грн
250+ 138.98 грн
1000+ 115.47 грн
3000+ 104.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+100.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.8 грн
10+ 203.02 грн
100+ 164.27 грн
500+ 137.03 грн
1000+ 117.33 грн
2000+ 110.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.55 грн
10+ 237.47 грн
25+ 194.9 грн
100+ 167.37 грн
250+ 157.95 грн
500+ 148.53 грн
1000+ 127.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC009N04LSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 301A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.65 грн
10+ 172.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.7 грн
10+ 178.31 грн
25+ 149.98 грн
100+ 125.34 грн
250+ 121 грн
500+ 110.85 грн
1000+ 95.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+115.33 грн
10+ 110.23 грн
25+ 108.64 грн
50+ 103.66 грн
100+ 90.68 грн
250+ 85.81 грн
500+ 85.62 грн
1000+ 85.49 грн
3000+ 85.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.56 грн
10+ 166.04 грн
100+ 116.38 грн
500+ 89.28 грн
1000+ 82.87 грн
2000+ 81.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+107.16 грн
Мінімальне замовлення: 115
BSC009NE2LS
Код товару: 160463		Мікросхеми > Операційні підсилювачі
товар відсутній
BSC009NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 7796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.85 грн
10+ 75.99 грн
5000+ 58.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC009NE2LSInfineon
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 9229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.75 грн
10+ 115.77 грн
100+ 79.56 грн
500+ 60.09 грн
1000+ 55.4 грн
2000+ 51.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.1 грн
500+ 74.72 грн
1000+ 55.45 грн
5000+ 53.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.62 грн
10+ 122.48 грн
100+ 84.77 грн
250+ 78.25 грн
500+ 71.44 грн
1000+ 57.67 грн
5000+ 55.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+342.62 грн
74+ 167.13 грн
81+ 152.51 грн
100+ 118.86 грн
200+ 103.52 грн
500+ 98.49 грн
1000+ 88.19 грн
2000+ 82.28 грн
5000+ 79.96 грн
Мінімальне замовлення: 36
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC009NE2LS5ATMA1
Код товару: 173879		Транзистори > Польові N-канальні
очікується 6 шт:
6 шт - очікується
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.56 грн
10+ 121.1 грн
100+ 95.1 грн
500+ 74.72 грн
1000+ 55.45 грн
5000+ 53.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.74 грн
50+ 127.61 грн
250+ 110.54 грн
1000+ 82.26 грн
3000+ 72.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 10939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.44 грн
10+ 140.81 грн
100+ 97.81 грн
500+ 82.6 грн
1000+ 68.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 40 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 74; PG-TDSON-8
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
9+75.99 грн
10+ 70.92 грн
100+ 65.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
на замовлення 5873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.53 грн
10+ 126.27 грн
100+ 100.51 грн
500+ 79.81 грн
1000+ 67.72 грн
2000+ 64.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+70.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+119.88 грн
10+ 108.71 грн
25+ 107.57 грн
100+ 90.31 грн
250+ 76.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC009NE2LS5IATMA1
Код товару: 195332		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.61 грн
250+ 110.54 грн
1000+ 82.26 грн
3000+ 72.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
товар відсутній
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+116.75 грн
107+ 115.72 грн
122+ 100.77 грн
200+ 92.63 грн
500+ 81.93 грн
1000+ 72.16 грн
2000+ 68.82 грн
Мінімальне замовлення: 106
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+129.1 грн
105+ 117.08 грн
107+ 115.85 грн
122+ 97.26 грн
250+ 81.97 грн
Мінімальне замовлення: 96
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC009NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.75 грн
10+ 148.74 грн
100+ 120.29 грн
500+ 91.32 грн
1000+ 64.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC009NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
на замовлення 48976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.64 грн
10+ 114.11 грн
100+ 90.82 грн
500+ 72.12 грн
1000+ 61.19 грн
2000+ 58.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 8046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.38 грн
10+ 121.65 грн
100+ 89.12 грн
250+ 86.94 грн
500+ 75.35 грн
1000+ 60.43 грн
2500+ 60.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC009NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.29 грн
500+ 91.32 грн
1000+ 64.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.91 грн
10000+ 57.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LSXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
товар відсутній
BSC010N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+127.19 грн
101+ 122.33 грн
104+ 118.18 грн
250+ 110.51 грн
500+ 99.54 грн
1000+ 93.22 грн
2500+ 91.16 грн
Мінімальне замовлення: 97
BSC010N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 32697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.08 грн
10+ 120.82 грн
100+ 83.32 грн
250+ 77.53 грн
500+ 70.06 грн
1000+ 59.85 грн
2500+ 56.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC010N04LSInfineon technologies
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+158.74 грн
96+ 128.01 грн
103+ 119.82 грн
500+ 111.59 грн
1000+ 97.84 грн
2000+ 83.39 грн
5000+ 83.22 грн
Мінімальне замовлення: 78
BSC010N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 890 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.61 грн
50+ 118.67 грн
250+ 99.16 грн
1000+ 74.64 грн
3000+ 66.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+78.52 грн
10000+ 75.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 26828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.47 грн
10+ 124.15 грн
100+ 95.64 грн
250+ 91.29 грн
500+ 82.6 грн
1000+ 67.38 грн
2500+ 67.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC010N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
на замовлення 14809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.48 грн
10+ 130.27 грн
100+ 90.1 грн
500+ 68.4 грн
1000+ 63.2 грн
2000+ 59.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+72.91 грн
10000+ 70.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LS6ATMA1
Код товару: 192753		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC010N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC010N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 890 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.67 грн
250+ 99.16 грн
1000+ 74.64 грн
3000+ 66.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+129.04 грн
108+ 114.7 грн
129+ 95.45 грн
200+ 91.75 грн
500+ 84.77 грн
1000+ 81.2 грн
2000+ 77.07 грн
Мінімальне замовлення: 96
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 82159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.08 грн
10+ 120.82 грн
100+ 83.32 грн
250+ 77.53 грн
500+ 70.06 грн
1000+ 56.8 грн
2500+ 56.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC010N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC010N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 65398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.91 грн
250+ 91.03 грн
1000+ 69.21 грн
3000+ 61.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 8343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.4 грн
10+ 114.42 грн
100+ 78.6 грн
500+ 59.34 грн
1000+ 54.69 грн
2000+ 50.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.69 грн
10000+ 52.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC010N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 65398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.17 грн
50+ 108.91 грн
250+ 91.03 грн
1000+ 69.21 грн
3000+ 61.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.74 грн
10000+ 56.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 282A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товар відсутній
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A T/R
товар відсутній
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 282A
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC010N04LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 8265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.54 грн
10+ 187.47 грн
25+ 153.6 грн
100+ 131.87 грн
250+ 124.62 грн
500+ 117.37 грн
1000+ 103.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LSIInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+227.57 грн
57+ 218.9 грн
100+ 211.47 грн
250+ 197.73 грн
500+ 178.11 грн
1000+ 166.8 грн
2500+ 163.12 грн
5000+ 159.87 грн
Мінімальне замовлення: 55
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.91 грн
10+ 167.62 грн
100+ 135.57 грн
500+ 113.09 грн
1000+ 96.84 грн
2000+ 91.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+164.88 грн
83+ 149.52 грн
100+ 144.4 грн
500+ 132.33 грн
1000+ 118.87 грн
2000+ 112.36 грн
5000+ 110.6 грн
Мінімальне замовлення: 75
BSC010N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+177.19 грн
250+ 156.87 грн
1000+ 113.21 грн
3000+ 101.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+158.69 грн
85+ 144.93 грн
87+ 142.8 грн
100+ 123.48 грн
250+ 112.21 грн
500+ 101.68 грн
1000+ 99.3 грн
3000+ 96.98 грн
6000+ 94.66 грн
Мінімальне замовлення: 78
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+96.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+147.36 грн
10+ 134.58 грн
25+ 132.6 грн
100+ 114.66 грн
250+ 104.2 грн
500+ 94.42 грн
1000+ 92.2 грн
3000+ 90.05 грн
6000+ 87.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC010N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC010N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+206.45 грн
50+ 177.19 грн
250+ 156.87 грн
1000+ 113.21 грн
3000+ 101.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+97.33 грн
Мінімальне замовлення: 127
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 8175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.39 грн
10+ 180.81 грн
25+ 154.33 грн
100+ 128.97 грн
250+ 126.07 грн
500+ 114.48 грн
1000+ 94.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
товар відсутній
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
на замовлення 3519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.48 грн
10+ 168.6 грн
100+ 118.14 грн
500+ 90.6 грн
1000+ 84.08 грн
2000+ 82.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+81.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.29 грн
10+ 184.14 грн
100+ 118.82 грн
500+ 97.09 грн
1000+ 88.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.16 грн
500+ 92.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+110.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+188.43 грн
75+ 163.86 грн
100+ 156.69 грн
200+ 150.1 грн
500+ 128.01 грн
1000+ 116.75 грн
2000+ 114.11 грн
5000+ 110.6 грн
Мінімальне замовлення: 66
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+88.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.5 грн
10+ 138.17 грн
100+ 112.16 грн
500+ 92.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
товар відсутній
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 23203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.95 грн
10+ 108.32 грн
100+ 91.29 грн
250+ 85.49 грн
500+ 73.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC010NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.55 грн
10+ 120.29 грн
25+ 108.1 грн
100+ 88.3 грн
500+ 68.48 грн
1000+ 64.72 грн
5000+ 60.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
на замовлення 12934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.51 грн
10+ 104.15 грн
100+ 71.14 грн
500+ 53.49 грн
1000+ 49.22 грн
2000+ 45.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 36362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.35 грн
10+ 85.82 грн
100+ 65.21 грн
250+ 63.4 грн
500+ 54.99 грн
1000+ 50.21 грн
2500+ 50.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC010NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.3 грн
500+ 68.48 грн
1000+ 64.72 грн
5000+ 60.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC010NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC010NE2LSATMA1InfineonN-MOSFET 25V 100A BSC010NE2LSATMA1 Infineon TBSC010ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.04 грн
10+ 169.14 грн
100+ 118.82 грн
500+ 97.09 грн
1000+ 81.15 грн
2500+ 76.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010NE2LSIInfineon
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC010NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.87 грн
10+ 124.36 грн
100+ 95.1 грн
500+ 80 грн
1000+ 60.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC010NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
на замовлення 16282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.15 грн
10+ 121.51 грн
100+ 83.76 грн
500+ 63.4 грн
1000+ 58.51 грн
2000+ 54.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 6178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.32 грн
10+ 114.15 грн
100+ 83.32 грн
250+ 80.42 грн
500+ 72.09 грн
1000+ 60.57 грн
2500+ 59.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC010NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 31004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.1 грн
500+ 92.83 грн
1000+ 71.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC011N03LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 39392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.57 грн
10+ 100.82 грн
100+ 69.41 грн
250+ 63.98 грн
500+ 58.11 грн
1000+ 50.28 грн
10000+ 50.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC011N03LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+114.84 грн
113+ 109.7 грн
250+ 105.3 грн
500+ 97.88 грн
1000+ 87.67 грн
2500+ 81.68 грн
5000+ 79.48 грн
Мінімальне замовлення: 108
BSC011N03LSInfineon technologies
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC011N03LS E8186Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+64.47 грн
192+ 64.11 грн
215+ 57.28 грн
250+ 54.88 грн
500+ 47.64 грн
1000+ 45.56 грн
Мінімальне замовлення: 191
BSC011N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.64 грн
500+ 60.53 грн
1000+ 54.06 грн
5000+ 52.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+65.89 грн
11+ 59.86 грн
25+ 59.53 грн
100+ 51.29 грн
250+ 47.19 грн
500+ 42.46 грн
1000+ 42.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC011N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1475000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 197
BSC011N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.04 грн
10+ 95.1 грн
100+ 73.64 грн
500+ 60.53 грн
1000+ 54.06 грн
5000+ 52.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 32151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
10+ 70.32 грн
100+ 48.69 грн
500+ 45.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.78 грн
10000+ 50.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 35861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.78 грн
10+ 72.15 грн
100+ 49.15 грн
500+ 41.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.53 грн
10000+ 54.5 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
на замовлення 8825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.03 грн
10+ 99.15 грн
100+ 68.76 грн
250+ 62.96 грн
500+ 60.43 грн
5000+ 51.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC011N03LSIInfineon technologies
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 54146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.21 грн
10+ 71.25 грн
100+ 48.51 грн
500+ 40.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.6 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+84.07 грн
10+ 77.52 грн
25+ 74.94 грн
100+ 66.49 грн
250+ 59.52 грн
500+ 53.86 грн
1000+ 52.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC011N03LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+90.54 грн
148+ 83.48 грн
153+ 80.71 грн
166+ 71.6 грн
250+ 64.09 грн
500+ 58 грн
1000+ 57 грн
Мінімальне замовлення: 136
BSC011N03LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.23 грн
50+ 101.6 грн
250+ 86.97 грн
1000+ 66.04 грн
3000+ 59.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+74.25 грн
169+ 72.92 грн
172+ 71.58 грн
Мінімальне замовлення: 166
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
товар відсутній
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+178.19 грн
82+ 150.54 грн
100+ 142.35 грн
200+ 136.28 грн
500+ 114.3 грн
1000+ 103.58 грн
2000+ 100.95 грн
5000+ 97.44 грн
Мінімальне замовлення: 69
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.04 грн
10+ 150.49 грн
100+ 104.75 грн
500+ 79.94 грн
1000+ 74.03 грн
2000+ 70.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.98 грн
500+ 105.66 грн
1000+ 79.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+78.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.27 грн
10+ 168.24 грн
100+ 125.98 грн
500+ 105.66 грн
1000+ 79.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.49 грн
10+ 164.98 грн
100+ 115.2 грн
250+ 107.23 грн
500+ 97.09 грн
1000+ 76.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+102.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 14058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.61 грн
10+ 189.74 грн
100+ 134.05 грн
500+ 103.43 грн
1000+ 96.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.28 грн
10+ 211.64 грн
25+ 176.79 грн
100+ 149.25 грн
250+ 147.8 грн
500+ 131.87 грн
1000+ 106.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+106.7 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товар відсутній
BSC014N03LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC014N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC014N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товар відсутній
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC014N03MS GINFINEONQFN
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
товар відсутній
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC014N03MS G
Код товару: 203094		Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSC014N04LS
Код товару: 148887		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC014N04LSInfineon technologies
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC014N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.02 грн
10+ 106.65 грн
100+ 73.9 грн
250+ 68.76 грн
500+ 62.38 грн
1000+ 53.47 грн
2500+ 50.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSInfineon
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC014N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 11428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.02 грн
10+ 107.48 грн
100+ 72.09 грн
250+ 71.44 грн
500+ 57.31 грн
1000+ 49.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.6 грн
50+ 87.78 грн
250+ 73.48 грн
1000+ 55.55 грн
3000+ 47.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 9706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.29 грн
10+ 105.21 грн
100+ 71.91 грн
500+ 54.09 грн
1000+ 49.78 грн
2000+ 46.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+118.8 грн
112+ 110.6 грн
132+ 93.4 грн
200+ 85.12 грн
1000+ 71.05 грн
2000+ 64.25 грн
5000+ 62.76 грн
10000+ 60.74 грн
Мінімальне замовлення: 104
BSC014N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.78 грн
250+ 73.48 грн
1000+ 55.55 грн
3000+ 47.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+112.65 грн
118+ 104.46 грн
139+ 88.59 грн
200+ 80.68 грн
Мінімальне замовлення: 110
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+77.83 грн
166+ 74.25 грн
179+ 68.93 грн
200+ 65.37 грн
500+ 60.35 грн
1000+ 57.76 грн
2000+ 57.5 грн
5000+ 54.69 грн
Мінімальне замовлення: 158
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+210.53 грн
61+ 202.51 грн
100+ 195.64 грн
250+ 182.93 грн
500+ 164.77 грн
1000+ 154.31 грн
2500+ 150.9 грн
5000+ 147.9 грн
Мінімальне замовлення: 59
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20; Qg, нКл = 55 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TDSON-8 FL
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
14+44.99 грн
15+ 42 грн
100+ 39 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 30376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.24 грн
10+ 178.31 грн
100+ 123.17 грн
250+ 113.75 грн
500+ 103.61 грн
1000+ 89.12 грн
2500+ 87.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSI
Код товару: 196252		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+121.07 грн
Мінімальне замовлення: 102
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 93102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.9 грн
10+ 124.98 грн
100+ 81.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.73 грн
50+ 110.54 грн
250+ 108.1 грн
1000+ 98.87 грн
3000+ 89.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC014N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+96.68 грн
Мінімальне замовлення: 128
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 63992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.13 грн
10+ 111.77 грн
100+ 78.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+101.6 грн
15000+ 99.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+160.79 грн
10+ 134.28 грн
100+ 106.92 грн
500+ 92.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+146.22 грн
10+ 121.42 грн
25+ 120.12 грн
100+ 91.63 грн
250+ 83.96 грн
500+ 78.77 грн
1000+ 76.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.54 грн
250+ 108.1 грн
1000+ 98.87 грн
3000+ 89.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+128.01 грн
Мінімальне замовлення: 96
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+81.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTInfineon TechnologiesDescription: BSC014N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BSC014N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.17 грн
10+ 99.97 грн
100+ 78.92 грн
500+ 55.77 грн
1000+ 45.98 грн
5000+ 44.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTATMA1
Код товару: 198659		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+82.65 грн
152+ 81.11 грн
159+ 77.53 грн
200+ 73.57 грн
500+ 67.94 грн
1000+ 63.38 грн
2000+ 62.59 грн
Мінімальне замовлення: 149
BSC014N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.92 грн
500+ 55.77 грн
1000+ 45.98 грн
5000+ 44.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+63.85 грн
11+ 60.72 грн
25+ 60.11 грн
100+ 55.02 грн
250+ 49.75 грн
500+ 42.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.05 грн
10+ 112.23 грн
100+ 77.03 грн
500+ 58.1 грн
1000+ 53.54 грн
2000+ 49.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 7256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.19 грн
10+ 90.82 грн
100+ 62.24 грн
250+ 61.66 грн
500+ 53.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+65.39 грн
190+ 64.73 грн
200+ 61.45 грн
250+ 57.86 грн
500+ 47.86 грн
Мінімальне замовлення: 188
BSC014N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 60V TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товар відсутній
BSC014N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
BSC014N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 19534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.7 грн
10+ 178.31 грн
25+ 146.36 грн
100+ 125.34 грн
250+ 118.82 грн
500+ 110.85 грн
1000+ 95.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N06NSInfineon technologies
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC014N06NSInfineon
на замовлення 365000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC014N06NS
Код товару: 144121		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+93.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+89.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.82 грн
50+ 175.56 грн
250+ 156.05 грн
1000+ 135.1 грн
3000+ 115.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 20186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.56 грн
10+ 166.04 грн
100+ 116.38 грн
500+ 89.28 грн
1000+ 82.87 грн
2000+ 81.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 7791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.32 грн
10+ 178.31 грн
25+ 149.98 грн
100+ 125.34 грн
250+ 123.9 грн
500+ 110.85 грн
1000+ 89.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+99.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+72.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+148.68 грн
500+ 126.79 грн
1000+ 118.43 грн
5000+ 112.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+182.29 грн
78+ 157.71 грн
100+ 150.54 грн
200+ 144.18 грн
500+ 122.53 грн
1000+ 112.36 грн
Мінімальне замовлення: 68
BSC014N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30; Qg, нКл = 89 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 156; PG-TDSON-8
на замовлення 975 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
5+130.54 грн
10+ 121.84 грн
100+ 113.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC014N06NSE8230ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
товар відсутній
BSC014N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 261 A, 0.0012 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 261A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+193.96 грн
500+ 156.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.18 грн
10+ 225.8 грн
25+ 187.65 грн
100+ 158.67 грн
500+ 141.28 грн
1000+ 120.27 грн
2000+ 113.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 261A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
товар відсутній
BSC014N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 261 A, 0.0012 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 261A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.92 грн
10+ 255.21 грн
25+ 232.45 грн
100+ 193.96 грн
500+ 156.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 261A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.5 грн
10+ 199.47 грн
100+ 141.35 грн
500+ 109.3 грн
1000+ 102.87 грн
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+201.46 грн
67+ 184.34 грн
68+ 180.98 грн
100+ 158.95 грн
250+ 143.89 грн
500+ 127.74 грн
1000+ 119.66 грн
Мінімальне замовлення: 62
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 8652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.77 грн
10+ 203.7 грн
100+ 144.48 грн
500+ 111.82 грн
1000+ 105.64 грн
BSC014N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.75 грн
250+ 166.62 грн
1000+ 123.77 грн
3000+ 110.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+115.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+211.99 грн
60+ 207.89 грн
100+ 189.46 грн
500+ 160.97 грн
1000+ 147.21 грн
2000+ 130.79 грн
5000+ 127.28 грн
Мінімальне замовлення: 58
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+124.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+117.5 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+116.9 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+230.02 грн
50+ 187.75 грн
250+ 166.62 грн
1000+ 123.77 грн
3000+ 110.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+105.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.74 грн
10+ 215.8 грн
25+ 182.58 грн
100+ 158.67 грн
250+ 157.22 грн
500+ 142.01 грн
1000+ 117.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+97.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+187.07 грн
10+ 171.17 грн
25+ 168.05 грн
100+ 147.6 грн
250+ 133.61 грн
500+ 118.61 грн
1000+ 111.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC014NE2LSIInfineon technologies
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC014NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 9926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.33 грн
10+ 104.98 грн
100+ 70.79 грн
500+ 59.77 грн
1000+ 48.69 грн
2500+ 45.86 грн
5000+ 43.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.33 грн
10+ 104.15 грн
100+ 70.79 грн
500+ 59.7 грн
1000+ 45.86 грн
2500+ 45.79 грн
5000+ 43.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 16622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.35 грн
10+ 93.74 грн
100+ 72.9 грн
500+ 57.99 грн
1000+ 47.24 грн
2000+ 44.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+96.98 грн
137+ 90.02 грн
163+ 75.58 грн
200+ 68.83 грн
500+ 55.78 грн
1000+ 47.4 грн
Мінімальне замовлення: 127
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.87 грн
10000+ 43.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.33 грн
10+ 104.98 грн
100+ 70.79 грн
500+ 59.77 грн
1000+ 48.69 грн
2500+ 45.86 грн
5000+ 43.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 12712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.1 грн
10+ 109.15 грн
100+ 76.8 грн
500+ 64.56 грн
1000+ 51.22 грн
2500+ 47.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+125.84 грн
10+ 112.55 грн
25+ 111.42 грн
100+ 85.24 грн
250+ 78.13 грн
500+ 63.81 грн
1000+ 47.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 12604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.37 грн
10+ 65.96 грн
100+ 44.79 грн
500+ 37.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.6 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC016N03LS GInfineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC016N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
товар відсутній
BSC016N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.17 грн
10+ 106.65 грн
100+ 73.9 грн
250+ 68.76 грн
500+ 62.02 грн
1000+ 53.11 грн
2500+ 50.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC016N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC016N03LSGInfineon technologies
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC016N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+45.75 грн
25+ 45.68 грн
100+ 43.99 грн
250+ 40.67 грн
500+ 38.99 грн
1000+ 38.94 грн
3000+ 38.88 грн
6000+ 38.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.89 грн
10+ 93.32 грн
100+ 65.93 грн
250+ 65.57 грн
500+ 57.09 грн
1000+ 48.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.91 грн
10+ 96.08 грн
100+ 76.45 грн
500+ 60.71 грн
1000+ 51.51 грн
2000+ 48.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC016N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+49.2 грн
251+ 47.31 грн
500+ 43.74 грн
1000+ 41.93 грн
3000+ 41.87 грн
6000+ 41.81 грн
Мінімальне замовлення: 250
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товар відсутній
BSC016N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.88 грн
10+ 98.32 грн
100+ 68.03 грн
250+ 63.54 грн
500+ 56.95 грн
1000+ 45.72 грн
2500+ 45.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC016N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC016N03MSGInfineon
на замовлення 7713 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.59 грн
10+ 101.51 грн
100+ 69.19 грн
500+ 51.91 грн
1000+ 47.71 грн
2000+ 44.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+103.49 грн
120+ 102.46 грн
151+ 81.82 грн
250+ 78.09 грн
500+ 60.86 грн
1000+ 46.75 грн
3000+ 44.7 грн
Мінімальне замовлення: 119
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+115.28 грн
10+ 96.1 грн
25+ 95.14 грн
100+ 73.26 грн
250+ 67.14 грн
500+ 54.25 грн
1000+ 43.41 грн
3000+ 41.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC016N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N04LSInfineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
BSC016N04LS GInfineon
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC016N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.94 грн
10+ 170.81 грн
100+ 118.1 грн
250+ 109.4 грн
500+ 99.26 грн
1000+ 91.29 грн
5000+ 77.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N04LSGInfineon technologies
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.9 грн
10+ 194.14 грн
100+ 156.5 грн
250+ 142.73 грн
500+ 128.97 грн
1000+ 97.81 грн
2500+ 94.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.17 грн
500+ 105.66 грн
1000+ 89.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC016N04LSGATMA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N04LSGATMA1 BSC016N04LS G TBSC016n04ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.02 грн
10+ 169.87 грн
100+ 125.17 грн
500+ 105.66 грн
1000+ 89.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N06NSInfineon
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC016N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+107.29 грн
10000+ 98.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N06NS
Код товару: 165006		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC016N06NSInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N06NS TBSC016n06ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+119.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC016N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+162.74 грн
79+ 156.54 грн
100+ 151.23 грн
250+ 141.41 грн
500+ 127.37 грн
1000+ 119.28 грн
2500+ 116.66 грн
Мінімальне замовлення: 76
BSC016N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
на замовлення 9932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.64 грн
10+ 163.31 грн
100+ 113.03 грн
250+ 104.33 грн
500+ 94.91 грн
1000+ 81.87 грн
5000+ 74.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 23042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.61 грн
10+ 146.11 грн
100+ 116.26 грн
500+ 92.31 грн
1000+ 78.33 грн
2000+ 74.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+201.89 грн
73+ 169.14 грн
77+ 160.85 грн
100+ 126.59 грн
250+ 107.18 грн
500+ 74.85 грн
Мінімальне замовлення: 61
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC016N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+187.47 грн
10+ 157.06 грн
25+ 149.36 грн
100+ 117.55 грн
250+ 99.52 грн
500+ 69.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+193.55 грн
67+ 184.34 грн
100+ 150.54 грн
200+ 136.28 грн
500+ 89.61 грн
1000+ 84.18 грн
2000+ 82.25 грн
Мінімальне замовлення: 64
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
на замовлення 13079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.64 грн
10+ 158.31 грн
100+ 113.03 грн
250+ 107.23 грн
500+ 91.29 грн
1000+ 77.53 грн
2500+ 76.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.23 грн
250+ 123.54 грн
1000+ 110.19 грн
3000+ 96.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+79.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.56 грн
50+ 129.23 грн
250+ 123.54 грн
1000+ 110.19 грн
3000+ 96.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товар відсутній
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
товар відсутній
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesSP005346690
товар відсутній
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.45 грн
10+ 175.55 грн
100+ 123.47 грн
500+ 94.94 грн
1000+ 88.21 грн
2000+ 87.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 13830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.58 грн
10+ 177.66 грн
100+ 125.06 грн
500+ 96.22 грн
1000+ 89.42 грн
2000+ 88.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+112.5 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N06NSTATMA1
Код товару: 170205		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC016N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.38 грн
50+ 164.99 грн
250+ 147.11 грн
1000+ 110.19 грн
3000+ 96.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+98.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+105.4 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+131.99 грн
Мінімальне замовлення: 94
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 66852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.15 грн
10+ 194.14 грн
25+ 158.67 грн
100+ 136.21 грн
250+ 128.97 грн
500+ 120.27 грн
1000+ 103.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.99 грн
250+ 147.11 грн
1000+ 110.19 грн
3000+ 96.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+209.94 грн
68+ 182.29 грн
100+ 174.1 грн
200+ 166.89 грн
500+ 141.73 грн
1000+ 129.04 грн
2000+ 127.28 грн
5000+ 122.89 грн
Мінімальне замовлення: 59
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+103.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC017N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC017N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC017N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC018N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.35 грн
10+ 66.99 грн
100+ 45.36 грн
500+ 43.04 грн
1000+ 41.66 грн
2500+ 41.37 грн
5000+ 39.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC018N04LSGInfineon technologies
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC018N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+70.26 грн
177+ 69.56 грн
224+ 54.87 грн
250+ 52.38 грн
500+ 41.62 грн
1000+ 39.52 грн
Мінімальне замовлення: 175
BSC018N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
12+ 72.82 грн
100+ 53.64 грн
500+ 49.06 грн
1000+ 44.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 33041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.37 грн
10+ 66.19 грн
100+ 44.83 грн
500+ 36.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+79.62 грн
10+ 65.24 грн
25+ 64.59 грн
100+ 49.13 грн
250+ 45.03 грн
500+ 37.1 грн
1000+ 36.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC018N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товар відсутній
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC018N04LSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товар відсутній
BSC018NE2LSInfineonN-MOSFET 25V 29A 1.8mΩ BSC018NE2LSI, BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LS Infineon TBSC018ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 30
BSC018NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59 грн
10+ 50.49 грн
100+ 37.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.49 грн
500+ 45.96 грн
1000+ 35.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 9342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.13 грн
10+ 55.17 грн
100+ 37.09 грн
500+ 29.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.22 грн
11+ 74.61 грн
100+ 56.49 грн
500+ 45.96 грн
1000+ 35.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC018NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 50186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.06 грн
10+ 73.41 грн
100+ 48.91 грн
500+ 44.7 грн
1000+ 38.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.73 грн
14+ 61.77 грн
100+ 44.05 грн
500+ 37.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+108.08 грн
10+ 93.38 грн
25+ 89.43 грн
100+ 73.94 грн
250+ 63.81 грн
500+ 55.45 грн
1000+ 50.7 грн
3000+ 50.2 грн
6000+ 49.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC018NE2LSIATMA1
Код товару: 109878		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
BSC018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.05 грн
500+ 37.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+ 83.09 грн
100+ 64.63 грн
500+ 51.41 грн
1000+ 41.88 грн
2000+ 39.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC018NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
товар відсутній
BSC019N02KS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 20088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.14 грн
10+ 133.31 грн
100+ 92.02 грн
250+ 84.77 грн
500+ 76.8 грн
1000+ 66.37 грн
2500+ 63.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC019N02KSGInfineonN-MOSFET 20V 100A BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N02KSG Infineon TBSC019n02ksg
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSC019N02KSGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+116.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 104W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.95mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 20V
товар відсутній
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 10 V
товар відсутній
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC019N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 104W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.95mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC019N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.1 грн
10+ 103.32 грн
100+ 71.44 грн
250+ 65.43 грн
500+ 59.41 грн
1000+ 50.86 грн
2500+ 48.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC019N04LSInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC019N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.36 грн
10+ 107.29 грн
100+ 85.34 грн
500+ 68.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.7 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 7712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+73.72 грн
10+ 68.1 грн
25+ 67.76 грн
100+ 59.14 грн
250+ 53.75 грн
500+ 46.73 грн
1000+ 45.97 грн
3000+ 45.2 грн
6000+ 44.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 7712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+73.33 грн
169+ 72.97 грн
187+ 66.05 грн
250+ 62.51 грн
500+ 52.43 грн
1000+ 49.5 грн
3000+ 48.67 грн
6000+ 47.84 грн
Мінімальне замовлення: 168
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
на замовлення 24042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.43 грн
10+ 91.7 грн
100+ 73.03 грн
500+ 57.99 грн
1000+ 49.2 грн
2000+ 46.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC019N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.19 грн
10+ 99.15 грн
100+ 69.41 грн
250+ 67.31 грн
500+ 58.25 грн
1000+ 48.4 грн
5000+ 46.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
BSC019N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.34 грн
500+ 68.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+74.04 грн
167+ 73.84 грн
200+ 69.92 грн
500+ 64.64 грн
1000+ 61.89 грн
2000+ 61.62 грн
5000+ 58.64 грн
Мінімальне замовлення: 166
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.78 грн
10000+ 46.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товар відсутній
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.32 грн
10+ 136.91 грн
25+ 129.18 грн
100+ 103.29 грн
250+ 96.98 грн
500+ 84.86 грн
1000+ 69.16 грн
2500+ 64.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC019N04NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.2 грн
10+ 87.49 грн
100+ 59.19 грн
500+ 50.21 грн
1000+ 39.05 грн
2500+ 38.47 грн
5000+ 36.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC019N04NSGInfineon TechnologiesDescription: BSC019N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.4 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04NSGATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP BSC019N04NSGATMA1 TBSC019n04ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+119.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC019N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.71 грн
10000+ 41.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товар відсутній
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.66 грн
10000+ 38.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC019N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.9 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC019N06NSInfineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+161.91 грн
95+ 130.58 грн
101+ 122.21 грн
200+ 116.84 грн
500+ 97 грн
1000+ 87.03 грн
2000+ 84.7 грн
Мінімальне замовлення: 76
BSC019N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.66 грн
500+ 107.29 грн
1000+ 88.48 грн
5000+ 80.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC019N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+259.28 грн
10+ 195.88 грн
25+ 176.37 грн
100+ 145.66 грн
500+ 107.29 грн
1000+ 88.48 грн
5000+ 80.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 8635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.95 грн
10+ 164.14 грн
100+ 119.55 грн
250+ 111.58 грн
500+ 98.54 грн
1000+ 82.6 грн
2500+ 77.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+92.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
на замовлення 12270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.34 грн
10+ 152.83 грн
25+ 144.18 грн
100+ 115.27 грн
250+ 108.24 грн
500+ 94.71 грн
1000+ 77.19 грн
2500+ 71.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30; Qg, нКл = 77 @ 10 В; Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА; Р, Вт = 136; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; PG-TDSON-8 FL
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3+243.7 грн
10+ 227.46 грн
100+ 211.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.72 грн
10+ 254.13 грн
100+ 157.95 грн
500+ 130.42 грн
1000+ 129.69 грн
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товар відсутній
BSC019N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 237 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.27 грн
500+ 158.14 грн
5000+ 128.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
товар відсутній
BSC019N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 237 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.85 грн
10+ 265.78 грн
25+ 242.21 грн
100+ 202.27 грн
500+ 158.14 грн
5000+ 128.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товар відсутній
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesSP005560379
товар відсутній
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.2 грн
10+ 222.11 грн
100+ 158.31 грн
500+ 122.97 грн
1000+ 118.04 грн
BSC02000-0RSauroBridge for Shortcircuit for RISING CLAMP system, 2POS, red
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC020C0-0RSauroBridge for Shortcircuit for RISING CLAMP system, red similar to RAL3017
товар відсутній
BSC020N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC020N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC020N025S GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP
товар відсутній
BSC020N025SGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N025SGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC020N03LSINF09+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03LS GInfineon
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.82 грн
10+ 84.15 грн
100+ 56.95 грн
500+ 48.33 грн
1000+ 39.34 грн
2500+ 37.1 грн
5000+ 35.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC020N03LSGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03LSGINFINEON09+ SOP8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03LSGINFINEON
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03LSGInfineon technologies
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+67.33 грн
11+ 56.28 грн
25+ 55.72 грн
100+ 42.96 грн
250+ 39.38 грн
500+ 37.02 грн
1000+ 36.22 грн
3000+ 35.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 24300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+60.53 грн
214+ 57.55 грн
257+ 47.93 грн
267+ 44.54 грн
500+ 40.88 грн
1000+ 37.22 грн
5000+ 30.9 грн
Мінімальне замовлення: 204
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 18762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.97 грн
10+ 60.3 грн
100+ 40.63 грн
500+ 32.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.12 грн
10+ 59.24 грн
100+ 39.99 грн
250+ 39.92 грн
500+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.8 грн
10000+ 23.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.63 грн
10000+ 25.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 277
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.63 грн
13+ 63.15 грн
100+ 44.95 грн
500+ 37.89 грн
1000+ 34.9 грн
2000+ 34.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSC020N03LSGATMA2Infineon TechnologiesDescription: LV POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
BSC020N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товар відсутній
BSC020N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.1 грн
10+ 101.65 грн
100+ 68.76 грн
500+ 58.32 грн
1000+ 47.53 грн
2500+ 46.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC020N03MSGInfineon technologies
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03MSGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 32001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.97 грн
10+ 95.93 грн
100+ 65.21 грн
500+ 48.81 грн
1000+ 44.82 грн
2000+ 41.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 10132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.74 грн
10+ 69.41 грн
100+ 51.01 грн
500+ 45.65 грн
1000+ 42.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 24750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+144.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
на замовлення 7347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.07 грн
10+ 220.38 грн
100+ 157.04 грн
500+ 121.95 грн
1000+ 116.9 грн
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
товар відсутній
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+129.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
товар відсутній
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
2+308.53 грн
10+ 256.63 грн
25+ 220.26 грн
100+ 180.41 грн
250+ 179.68 грн
500+ 160.12 грн
1000+ 129.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC022N03Sinfineon06+ TDSON
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC022N03SInfineon TechnologiesArray
товар відсутній
BSC022N03SINF09+
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC022N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товар відсутній
BSC022N03S GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 28A TDSON-8
товар відсутній
BSC022N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товар відсутній
BSC022N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товар відсутній
BSC022N03SGINFINEON07+ DIP16
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC022N03SGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC022N03SGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC022N04LSInfineon technologies
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC022N04LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.5 грн
10+ 94.99 грн
100+ 64.12 грн
500+ 54.41 грн
1000+ 44.34 грн
2500+ 43.25 грн
10000+ 43.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LS6Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSC022N04LS6Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC022N04LS6Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+135.01 грн
100+ 128.97 грн
250+ 123.79 грн
500+ 115.07 грн
1000+ 103.07 грн
2500+ 96.02 грн
5000+ 93.44 грн
Мінімальне замовлення: 92
BSC022N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.41 грн
250+ 75.59 грн
1000+ 56.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 13215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.26 грн
10+ 93.59 грн
100+ 63.59 грн
500+ 47.59 грн
1000+ 43.7 грн
2000+ 40.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LS6ATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP OptiMOS 6 BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6 TBSC022n04ls6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+137.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC022N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.23 грн
50+ 89.41 грн
250+ 75.59 грн
1000+ 56.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8 FL
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 30486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.33 грн
10+ 104.98 грн
100+ 63.25 грн
500+ 50.5 грн
1000+ 42.82 грн
5000+ 42.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8 FL
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
товар відсутній
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+99.51 грн
10+ 83.68 грн
25+ 82.95 грн
100+ 63.68 грн
250+ 58.42 грн
500+ 47.83 грн
1000+ 38.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC022N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.85 грн
250+ 60.96 грн
1000+ 43.4 грн
3000+ 38.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC022N04LSATMA1
Код товару: 131683		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+90.11 грн
138+ 89.33 грн
173+ 71.12 грн
250+ 67.95 грн
500+ 53.66 грн
1000+ 41.55 грн
Мінімальне замовлення: 137
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.65 грн
10+ 91.65 грн
100+ 62.89 грн
500+ 54.34 грн
1000+ 41.73 грн
2500+ 41.66 грн
5000+ 39.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
товар відсутній
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
на замовлення 17039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.21 грн
10+ 88.83 грн
100+ 60.16 грн
500+ 44.92 грн
1000+ 41.21 грн
2000+ 38.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.99 грн
10000+ 45.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.72 грн
50+ 71.85 грн
250+ 60.96 грн
1000+ 43.4 грн
3000+ 38.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.57 грн
10000+ 42.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+79.99 грн
166+ 74.35 грн
197+ 62.67 грн
208+ 57.08 грн
500+ 52.67 грн
1000+ 45.65 грн
2000+ 43.01 грн
Мінімальне замовлення: 154
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+124.5 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesSP005561403
товар відсутній
BSC023N08NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC023N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 202 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+176.37 грн
500+ 135.1 грн
1000+ 116.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 11217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.44 грн
10+ 213.96 грн
100+ 152.16 грн
500+ 118.01 грн
1000+ 112.51 грн
BSC023N08NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC023N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 202 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.5 грн
10+ 236.52 грн
100+ 176.37 грн
500+ 135.1 грн
1000+ 116.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.54 грн
10+ 246.63 грн
25+ 202.87 грн
100+ 173.89 грн
250+ 163.74 грн
500+ 154.33 грн
1000+ 131.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC024N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/100A TDSON
товар відсутній
BSC024N025SG
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC024NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.06 грн
10+ 70.57 грн
100+ 47.75 грн
500+ 40.5 грн
1000+ 33.04 грн
5000+ 29.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC024NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC024NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.89 грн
10+ 52.99 грн
100+ 38.04 грн
500+ 33.91 грн
1000+ 29.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+83.88 грн
161+ 76.36 грн
198+ 62.15 грн
212+ 56.11 грн
1000+ 45.98 грн
5000+ 40.11 грн
Мінімальне замовлення: 147
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
на замовлення 9111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.13 грн
10+ 72.83 грн
100+ 48.81 грн
500+ 36.1 грн
1000+ 32.98 грн
2000+ 30.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.97 грн
11+ 55.54 грн
25+ 55.37 грн
100+ 44.95 грн
250+ 40.69 грн
500+ 33.99 грн
1000+ 27.07 грн
3000+ 25.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+59.81 грн
207+ 59.63 грн
245+ 50.2 грн
251+ 47.32 грн
500+ 38.13 грн
1000+ 29.16 грн
3000+ 27.87 грн
Мінімальне замовлення: 206
BSC024NE2LSATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS INFINEON TBSC024ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC024NE2LSATMA1
Код товару: 116188		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC024NE2LSXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
товар відсутній
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.2 грн
10+ 88.32 грн
100+ 59.48 грн
500+ 50.43 грн
1000+ 41.08 грн
2500+ 38.69 грн
5000+ 36.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC025N03LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC025N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.67 грн
10+ 91.03 грн
100+ 66.97 грн
500+ 44.76 грн
1000+ 31.7 грн
2000+ 30.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
на замовлення 38848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.32 грн
10+ 79.02 грн
100+ 61.47 грн
500+ 48.9 грн
1000+ 39.84 грн
2000+ 37.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC025N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.52 грн
10000+ 36.3 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 244-253 дні (днів)
4+108.2 грн
10+ 88.32 грн
100+ 59.48 грн
500+ 50.43 грн
1000+ 39.7 грн
2500+ 38.69 грн
5000+ 36.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC025N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 3284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.97 грн
10+ 83.32 грн
100+ 57.09 грн
500+ 48.4 грн
1000+ 39.41 грн
2500+ 38.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC025N03MSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC025N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC025N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+78.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC025N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0021 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.56 грн
100+ 43.48 грн
500+ 40.3 грн
1000+ 37.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N08LS5Infineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+324.64 грн
54+ 229.4 грн
64+ 192.53 грн
100+ 175.78 грн
500+ 146.3 грн
1000+ 134.3 грн
2000+ 131.67 грн
Мінімальне замовлення: 38
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC025N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+217.01 грн
50+ 192.63 грн
250+ 163.37 грн
1000+ 124.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.55 грн
10+ 247.46 грн
25+ 192.73 грн
100+ 176.79 грн
250+ 160.12 грн
500+ 144.91 грн
1000+ 122.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.29 грн
10+ 220.15 грн
25+ 198.16 грн
100+ 169.45 грн
250+ 152.91 грн
500+ 137.21 грн
1000+ 113.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A T/R
товар відсутній
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+119.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+111.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+113.2 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 410000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+141.4 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+192.63 грн
250+ 163.37 грн
1000+ 124.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC026N02KS GInfineon
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC026N02KS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.4 грн
10+ 109.98 грн
100+ 76.08 грн
250+ 56.8 грн
5000+ 50.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC026N02KSGinfineon08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC026N02KSGInfineon TechnologiesDescription: BSC026N02 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
на замовлення 27190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 363
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
товар відсутній
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.75 грн
16+ 40.11 грн
25+ 39.48 грн
100+ 37.47 грн
250+ 34.13 грн
500+ 32.23 грн
1000+ 31.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSC026N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 78W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.6mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 20V
товар відсутній
BSC026N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 78W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.6mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
товар відсутній
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
на замовлення 26892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+59.85 грн
Мінімальне замовлення: 363
BSC026N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.11 грн
10+ 93.32 грн
100+ 62.45 грн
500+ 52.96 грн
1000+ 43.11 грн
2500+ 40.65 грн
5000+ 38.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC026N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+99.58 грн
130+ 95.12 грн
250+ 91.31 грн
500+ 84.86 грн
1000+ 76.02 грн
2500+ 70.82 грн
5000+ 68.92 грн
Мінімальне замовлення: 124
BSC026N04LSInfineon technologies
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC026N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.39 грн
250+ 59.66 грн
1000+ 42.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+41.07 грн
331+ 37.18 грн
Мінімальне замовлення: 300
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+57.51 грн
215+ 57.19 грн
235+ 52.52 грн
250+ 50.13 грн
500+ 43.63 грн
1000+ 36.26 грн
Мінімальне замовлення: 214
BSC026N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.28 грн
50+ 70.39 грн
250+ 59.66 грн
1000+ 42.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC026N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.41 грн
12+ 53.41 грн
25+ 53.09 грн
100+ 45.79 грн
250+ 41.97 грн
500+ 36.63 грн
1000+ 33.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.52 грн
10+ 79.07 грн
100+ 55.35 грн
500+ 48.62 грн
1000+ 40.57 грн
2500+ 40.43 грн
5000+ 38.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC026N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 8713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.99 грн
10+ 89.06 грн
100+ 60.31 грн
500+ 45 грн
1000+ 41.26 грн
2000+ 38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
BSC026N08NS5Infineon
на замовлення 14128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC026N08NS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
BSC026N08NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+274.81 грн
47+ 263.01 грн
50+ 252.99 грн
100+ 235.67 грн
250+ 211.59 грн
500+ 197.61 грн
1000+ 192.77 грн
2500+ 188.52 грн
5000+ 184.77 грн
Мінімальне замовлення: 45
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.56 грн
10+ 184.98 грн
100+ 130.48 грн
500+ 100.57 грн
1000+ 93.53 грн
2000+ 93.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+160.93 грн
250+ 146.3 грн
1000+ 111.7 грн
3000+ 101.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+197.65 грн
75+ 165.9 грн
100+ 156.69 грн
200+ 150.1 грн
500+ 126.18 грн
1000+ 114.11 грн
2000+ 111.48 грн
5000+ 107.97 грн
Мінімальне замовлення: 63
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+226.33 грн
10+ 189.89 грн
25+ 181.82 грн
100+ 153.98 грн
250+ 135.71 грн
500+ 116.92 грн
1000+ 87.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC026N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+103.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+243.74 грн
61+ 204.49 грн
63+ 195.81 грн
100+ 165.83 грн
250+ 146.15 грн
500+ 125.91 грн
1000+ 94.17 грн
Мінімальне замовлення: 51
BSC026N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.63 грн
50+ 165.81 грн
250+ 150.36 грн
1000+ 111.7 грн
3000+ 101.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC026N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+237.08 грн
54+ 228.05 грн
100+ 220.3 грн
250+ 206 грн
500+ 185.54 грн
1000+ 173.77 грн
2500+ 169.94 грн
Мінімальне замовлення: 52
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 35414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.97 грн
10+ 205.8 грн
25+ 178.24 грн
100+ 129.69 грн
500+ 107.23 грн
1000+ 102.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+72.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 66A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
на замовлення 4896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+ 81.43 грн
100+ 63.34 грн
500+ 50.38 грн
1000+ 41.04 грн
2000+ 38.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LV POWER MOS
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.87 грн
10+ 115.82 грн
100+ 78.97 грн
500+ 65.28 грн
1000+ 51.15 грн
2500+ 51.08 грн
5000+ 48.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+91.28 грн
10+ 77.27 грн
25+ 76.5 грн
100+ 59.11 грн
250+ 54.65 грн
500+ 42.95 грн
1000+ 35.63 грн
3000+ 34.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
товар відсутній
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 66A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC027N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC027N03SG
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC027N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.34 грн
10+ 95.82 грн
100+ 64.99 грн
500+ 55.14 грн
1000+ 44.85 грн
2500+ 43.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC027N04LSGInfineonTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP BSC027N04LSG TBSC027n04lsg
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSC027N04LSG(XT)
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 48784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.78 грн
10+ 89.74 грн
100+ 60.85 грн
500+ 45.47 грн
1000+ 41.72 грн
2000+ 38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+128.01 грн
100+ 123.23 грн
125+ 95.45 грн
250+ 86.71 грн
500+ 72.63 грн
1000+ 57.63 грн
3000+ 51.65 грн
Мінімальне замовлення: 96
BSC027N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.03 грн
250+ 69.98 грн
1000+ 58.34 грн
3000+ 47.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+179.67 грн
Мінімальне замовлення: 69
BSC027N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC027N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.19 грн
10+ 94.99 грн
100+ 64.34 грн
500+ 54.77 грн
1000+ 41.95 грн
2500+ 41.52 грн
5000+ 39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+134.08 грн
10+ 119.35 грн
25+ 118.87 грн
50+ 110.34 грн
100+ 82.07 грн
250+ 77.3 грн
500+ 67.44 грн
1000+ 53.51 грн
3000+ 47.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC027N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.66 грн
50+ 81.03 грн
250+ 69.98 грн
1000+ 58.34 грн
3000+ 47.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+84.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 83W
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS®
Drain current: 84A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
товар відсутній
BSC027N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 83W
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS®
Drain current: 84A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.57 грн
10+ 158.31 грн
100+ 110.13 грн
250+ 109.4 грн
500+ 92.02 грн
1000+ 74.63 грн
5000+ 72.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 15930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.53 грн
10+ 134.72 грн
100+ 93.4 грн
500+ 71.04 грн
1000+ 65.7 грн
2000+ 62.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N10NS5Infineon TechnologiesInfineon TRENCH >=100V
товар відсутній
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 24686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.4 грн
10+ 296.62 грн
25+ 243.44 грн
100+ 208.67 грн
250+ 197.07 грн
500+ 185.48 грн
1000+ 149.25 грн
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 6957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.04 грн
10+ 247.17 грн
100+ 177.27 грн
500+ 138.33 грн
1000+ 135.35 грн
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
товар відсутній
BSC027N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 17948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+226.76 грн
500+ 197.74 грн
1000+ 147 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
товар відсутній
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+149.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
товар відсутній
BSC027N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 17948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+392.57 грн
10+ 279.6 грн
100+ 226.76 грн
500+ 197.74 грн
1000+ 147 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 49358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.48 грн
10+ 172.48 грн
100+ 120.27 грн
250+ 110.85 грн
500+ 100.71 грн
1000+ 87.67 грн
5000+ 78.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+226.7 грн
57+ 218.07 грн
100+ 210.67 грн
250+ 196.98 грн
500+ 177.43 грн
1000+ 166.16 грн
2500+ 162.5 грн
5000+ 159.26 грн
Мінімальне замовлення: 55
BSC028N06LS3GINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+183.31 грн
80+ 153.62 грн
100+ 145.42 грн
200+ 139.24 грн
500+ 117.04 грн
1000+ 105.34 грн
2000+ 103.58 грн
5000+ 100.07 грн
Мінімальне замовлення: 68
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+79.2 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.81 грн
50+ 152.8 грн
250+ 128.42 грн
1000+ 101.89 грн
3000+ 87.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+217.14 грн
10+ 181.14 грн
25+ 171.46 грн
100+ 139.35 грн
250+ 125.39 грн
500+ 77.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC028N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC028N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+233.85 грн
63+ 195.08 грн
67+ 184.65 грн
100+ 150.06 грн
250+ 135.03 грн
500+ 83.18 грн
Мінімальне замовлення: 53
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+119.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 17723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.48 грн
10+ 172.48 грн
100+ 120.27 грн
250+ 114.48 грн
500+ 101.43 грн
1000+ 88.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 16576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.83 грн
10+ 150.79 грн
100+ 105.11 грн
500+ 80.31 грн
1000+ 74.41 грн
2000+ 71.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.8 грн
250+ 135.73 грн
1000+ 101.89 грн
3000+ 93.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12; Qg, нКл = 23 @ 10 В; Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 48 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TDSON-8
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.04 грн
10+ 156.64 грн
100+ 108.68 грн
250+ 100.71 грн
500+ 91.29 грн
1000+ 79.7 грн
5000+ 71.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.39 грн
10000+ 59.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSInfineon technologies
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC028N06NSInfineon
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+185.36 грн
68+ 183.31 грн
100+ 149.52 грн
200+ 135.29 грн
500+ 106.98 грн
1000+ 81.46 грн
2000+ 79.62 грн
5000+ 79.27 грн
Мінімальне замовлення: 67
BSC028N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+215.55 грн
10+ 116.62 грн
26+ 105.96 грн
1000+ 102.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+75.96 грн
10000+ 74.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 6558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.37 грн
10+ 139.85 грн
100+ 97.1 грн
500+ 73.94 грн
1000+ 68.41 грн
2000+ 64.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.14 грн
10+ 166.62 грн
100+ 132.48 грн
250+ 113.21 грн
500+ 95.44 грн
1000+ 78.72 грн
5000+ 75.24 грн
15000+ 71.06 грн
25000+ 67.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+195.18 грн
77+ 159.88 грн
100+ 125.72 грн
250+ 103.87 грн
500+ 89.55 грн
1000+ 72.41 грн
3000+ 72.13 грн
Мінімальне замовлення: 63
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.04 грн
10+ 156.64 грн
100+ 108.68 грн
250+ 100.71 грн
500+ 91.29 грн
1000+ 73.9 грн
5000+ 71.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+81.08 грн
10000+ 79.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+181.24 грн
10+ 149.99 грн
25+ 148.46 грн
100+ 116.74 грн
250+ 96.45 грн
500+ 83.15 грн
1000+ 67.24 грн
3000+ 66.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC028N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+179.62 грн
10+ 93.59 грн
26+ 88.3 грн
1000+ 85.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC028N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.48 грн
250+ 113.21 грн
500+ 95.44 грн
1000+ 78.72 грн
5000+ 75.24 грн
15000+ 71.06 грн
25000+ 67.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC028N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.2 грн
10+ 156.87 грн
100+ 122.73 грн
500+ 98.11 грн
1000+ 73.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.49 грн
10+ 151.64 грн
100+ 113.75 грн
250+ 109.4 грн
500+ 96.36 грн
1000+ 77.53 грн
8000+ 73.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+73.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSC028N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.73 грн
500+ 98.11 грн
1000+ 73.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesSQUARE FLANGE RECETACLE
товар відсутній
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+190.48 грн
77+ 159.76 грн
100+ 150.54 грн
500+ 131.34 грн
1000+ 114.3 грн
2000+ 107.09 грн
Мінімальне замовлення: 65
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.29 грн
10+ 142.57 грн
100+ 99.1 грн
500+ 75.52 грн
1000+ 69.9 грн
2000+ 66.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+181 грн
Мінімальне замовлення: 68
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+114.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 18334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.56 грн
10+ 146.79 грн
100+ 102.17 грн
500+ 77.97 грн
1000+ 72.2 грн
2000+ 69.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.48 грн
250+ 112.16 грн
1000+ 83.77 грн
3000+ 74.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+208.57 грн
72+ 170.82 грн
73+ 168.98 грн
100+ 130.85 грн
250+ 119.91 грн
500+ 96.31 грн
1000+ 78.26 грн
Мінімальне замовлення: 59
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+82.5 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.18 грн
50+ 132.48 грн
250+ 112.16 грн
1000+ 83.77 грн
3000+ 74.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.67 грн
10+ 158.62 грн
25+ 156.91 грн
100+ 121.5 грн
250+ 111.34 грн
500+ 89.43 грн
1000+ 72.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+88.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 16871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.71 грн
10+ 164.98 грн
100+ 115.93 грн
500+ 97.81 грн
1000+ 78.97 грн
5000+ 76.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC029N025SGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 15 V
на замовлення 8868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 402
BSC029N025SGinfineon08+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.21 грн
10+ 125.96 грн
100+ 86.96 грн
500+ 65.92 грн
1000+ 60.87 грн
2000+ 56.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+74.78 грн
Мінімальне замовлення: 165
BSC0302LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0302LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.35 грн
500+ 83.02 грн
1000+ 70.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 5756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.47 грн
10+ 117.48 грн
100+ 81.87 грн
250+ 80.42 грн
500+ 70.06 грн
1000+ 62.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+97.27 грн
10+ 89.8 грн
25+ 88.9 грн
100+ 75.02 грн
250+ 67.98 грн
500+ 59.55 грн
1000+ 59.54 грн
3000+ 59.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC0302LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0302LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.06 грн
10+ 135.73 грн
100+ 98.35 грн
500+ 83.02 грн
1000+ 70.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC0303LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0303LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.15 грн
500+ 60.83 грн
1000+ 51.9 грн
5000+ 48.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товар відсутній
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
товар відсутній
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
товар відсутній
BSC0303LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0303LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.78 грн
10+ 87.78 грн
100+ 73.15 грн
500+ 60.83 грн
1000+ 51.9 грн
5000+ 48.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
товар відсутній
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.29 грн
10+ 105.36 грн
100+ 72.03 грн
500+ 54.19 грн
1000+ 49.87 грн
2000+ 46.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.72 грн
10+ 60.07 грн
100+ 40.72 грн
500+ 34.49 грн
1000+ 28.11 грн
2500+ 26.45 грн
5000+ 25.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC030N03LSGInfineon technologies
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03LSGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC030N03LSGINFINEON1035+ TDSON-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03LSGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.34 грн
13+ 66.49 грн
100+ 47.71 грн
500+ 37.51 грн
1000+ 29.19 грн
5000+ 29.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+29.9 грн
Мінімальне замовлення: 412
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.88 грн
10+ 52.24 грн
100+ 34.56 грн
500+ 29.34 грн
1000+ 26.08 грн
2500+ 25.87 грн
5000+ 24.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.58 грн
10000+ 23.12 грн
25000+ 23.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+37.48 грн
18+ 35.22 грн
25+ 34.87 грн
100+ 31.05 грн
250+ 28.46 грн
500+ 25.25 грн
1000+ 23.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 12431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+ 63.09 грн
100+ 42.01 грн
500+ 30.92 грн
1000+ 28.18 грн
2000+ 25.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC030N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.55 грн
10000+ 25.06 грн
25000+ 25.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N03LSЎЎG
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03MS GInfineonQFN
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 9090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.37 грн
10+ 64.82 грн
100+ 43.83 грн
500+ 37.17 грн
1000+ 30.36 грн
2500+ 28.47 грн
5000+ 27.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC030N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
BSC030N03MSG
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC030N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.08 грн
10000+ 25.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.68 грн
500+ 33.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.72 грн
10+ 66.87 грн
100+ 44.65 грн
500+ 32.94 грн
1000+ 30.05 грн
2000+ 27.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.63 грн
10+ 50.91 грн
100+ 35.28 грн
500+ 26.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+37.48 грн
329+ 37.38 грн
330+ 37.28 грн
500+ 35.55 грн
5000+ 32.46 грн
Мінімальне замовлення: 328
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.9 грн
10000+ 23.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.5 грн
17+ 49.34 грн
100+ 35.68 грн
500+ 33.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N04NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 15361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.25 грн
10+ 62.32 грн
100+ 43.47 грн
500+ 37.75 грн
1000+ 30.36 грн
2500+ 30.21 грн
5000+ 30.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N04NSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.15 грн
12+ 68.19 грн
100+ 50.23 грн
500+ 40.38 грн
1000+ 34.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.3 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+38.71 грн
500+ 38.2 грн
5000+ 37.59 грн
Мінімальне замовлення: 318
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.78 грн
20+ 31.39 грн
25+ 30.34 грн
100+ 28.6 грн
250+ 26.21 грн
500+ 24.2 грн
1000+ 24.09 грн
3000+ 23.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+33.8 грн
377+ 32.67 грн
385+ 31.94 грн
389+ 30.48 грн
500+ 27.15 грн
1000+ 25.95 грн
3000+ 25.84 грн
Мінімальне замовлення: 364
BSC030N04NSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.23 грн
500+ 40.38 грн
1000+ 34.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
на замовлення 40043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.13 грн
10+ 72.76 грн
100+ 48.79 грн
500+ 36.13 грн
1000+ 33.02 грн
2000+ 30.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC030N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC030N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товар відсутній
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N04NSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товар відсутній
BSC030N08NS5Infineon technologies
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+99.04 грн
10+ 87.95 грн
25+ 87.48 грн
100+ 76.26 грн
250+ 69.9 грн
500+ 55.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC030N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0026 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.11 грн
50+ 111.35 грн
250+ 92.66 грн
1000+ 74.04 грн
3000+ 65.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+106.66 грн
130+ 94.72 грн
131+ 94.21 грн
145+ 82.13 грн
250+ 75.28 грн
500+ 59.26 грн
Мінімальне замовлення: 116
BSC030N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0026 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.35 грн
250+ 92.66 грн
1000+ 74.04 грн
3000+ 65.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
на замовлення 13584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.04 грн
10+ 131.32 грн
100+ 90.84 грн
500+ 68.99 грн
1000+ 63.75 грн
2000+ 59.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.37 грн
10+ 128.31 грн
100+ 93.46 грн
250+ 92.02 грн
500+ 75.35 грн
1000+ 65.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+70.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 171 A, 0.003 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.38 грн
500+ 176.6 грн
1000+ 139.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.44 грн
10+ 213.96 грн
100+ 152.17 грн
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 22A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 171 A, 0.003 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.12 грн
10+ 249.52 грн
100+ 202.38 грн
500+ 176.6 грн
1000+ 139.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
товар відсутній
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.3 грн
10+ 251.63 грн
100+ 177.51 грн
500+ 157.95 грн
1000+ 134.76 грн
2000+ 124.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 22A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesSP005561083
товар відсутній
BSC030P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.65 грн
10+ 154.14 грн
100+ 107.23 грн
250+ 98.54 грн
500+ 89.84 грн
1000+ 78.25 грн
5000+ 70.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030P03NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030P03NS3 G
Код товару: 142919		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
BSC030P03NS3GAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+230.18 грн
3+ 203.15 грн
10+ 174.79 грн
11+ 100.53 грн
29+ 95.1 грн
5000+ 91.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 16721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+111.63 грн
120+ 102.41 грн
137+ 90.33 грн
200+ 86.9 грн
500+ 80.28 грн
1000+ 76.9 грн
2000+ 76.19 грн
Мінімальне замовлення: 111
BSC030P03NS3GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.29 грн
250+ 100.78 грн
1000+ 73.13 грн
3000+ 60.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 34596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.51 грн
10+ 134.72 грн
100+ 107.18 грн
500+ 85.11 грн
1000+ 72.22 грн
2000+ 68.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+87.32 грн
155+ 79.34 грн
250+ 77.85 грн
500+ 68.53 грн
1000+ 59.07 грн
Мінімальне замовлення: 141
BSC030P03NS3GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.18 грн
50+ 120.29 грн
250+ 100.78 грн
1000+ 73.13 грн
3000+ 60.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.14 грн
10+ 133.31 грн
100+ 94.91 грн
250+ 92.02 грн
500+ 78.25 грн
1000+ 70.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.4 грн
10+ 80.56 грн
100+ 73.2 грн
250+ 69.26 грн
500+ 58.54 грн
1000+ 52.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+108.43 грн
10+ 98.04 грн
25+ 97.51 грн
100+ 83.67 грн
250+ 75.71 грн
500+ 63.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030P03NS3GAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.02 грн
10+ 145.66 грн
11+ 83.77 грн
29+ 79.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+79.21 грн
Мінімальне замовлення: 156
BSC031N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.43 грн
10+ 149.15 грн
100+ 103.61 грн
250+ 99.26 грн
500+ 86.94 грн
1000+ 70.79 грн
5000+ 68.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 11829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.72 грн
10+ 133.74 грн
100+ 106.45 грн
500+ 84.53 грн
1000+ 71.72 грн
2000+ 68.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC031N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC031N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+72.56 грн
10000+ 67.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC032N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC032N03SINF09+
на замовлення 18503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SinfineonTDSON-8
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03S GInfineon09+
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03S GINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SGINFINEON07+ DIP16
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC032N03SGINFINEON
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SGINFINEON06+ P-TDSON-
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SGinfineon09+
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC032N03SGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SGinfineon06+
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC032N04LS
Код товару: 196253		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC032N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+92.99 грн
139+ 88.83 грн
250+ 85.27 грн
500+ 79.25 грн
1000+ 70.99 грн
2500+ 66.14 грн
5000+ 64.36 грн
Мінімальне замовлення: 133
BSC032N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 9909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.06 грн
10+ 70.41 грн
100+ 47.67 грн
500+ 40.43 грн
1000+ 32.97 грн
2500+ 32.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC032N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.91 грн
17+ 52.08 грн
47+ 49.06 грн
500+ 48.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC032N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.66 грн
5+ 80.88 грн
17+ 62.49 грн
47+ 58.87 грн
500+ 57.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 9676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116 грн
10+ 71.02 грн
100+ 47.6 грн
500+ 35.21 грн
1000+ 32.16 грн
2000+ 29.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC032N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.16 грн
250+ 52.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+40.35 грн
313+ 39.33 грн
Мінімальне замовлення: 305
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 13637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.58 грн
10+ 68.07 грн
100+ 49.05 грн
500+ 42.96 грн
1000+ 34.99 грн
2500+ 34.85 грн
5000+ 33.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC032N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.14 грн
50+ 56.16 грн
250+ 52.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC032NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.99 грн
10+ 56.58 грн
100+ 38.26 грн
500+ 32.46 грн
1000+ 26.45 грн
2500+ 24.85 грн
5000+ 23.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC032NE2LSInfineon technologies
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 0.0027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.67 грн
17+ 48.6 грн
100+ 36.17 грн
500+ 28.6 грн
1000+ 19.72 грн
Мінімальне замовлення: 13