BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 36.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V.
Інші пропозиції BSC014NE2LSIATMA1 за ціною від 41.91 грн до 125.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC014NE2LSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC014NE2LSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC014NE2LSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC014NE2LSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 19930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC014NE2LSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V |
на замовлення 16622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC014NE2LSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS |
на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC014NE2LSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC014NE2LSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSC014NE2LSIATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC014NE2LSIATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |