Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC030N04NSGATMA1
BSC030N04NSGATMA1

BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies

bsc030n04nsg_rev1.04.pdffileiddb3a30431689f4420116c45f30440837fol.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC030N04NSGATMA1 за ціною від 23.59 грн до 83.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC030N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c45f30440837 Description: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+31.78 грн
10000+ 29.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+32.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+33.42 грн
25+ 32.85 грн
100+ 30.28 грн
250+ 27.52 грн
500+ 25.7 грн
1000+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
336+35.99 грн
342+ 35.37 грн
358+ 33.82 грн
364+ 32.01 грн
500+ 28.83 грн
1000+ 25.41 грн
3000+ 25.4 грн
Мінімальне замовлення: 336
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
282+42.9 грн
300+ 40.38 грн
307+ 39.47 грн
500+ 37 грн
1000+ 33.36 грн
5000+ 31.24 грн
Мінімальне замовлення: 282
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+48.31 грн
500+ 38.84 грн
1000+ 34.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC030N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c45f30440837 Description: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
на замовлення 41005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.66 грн
10+ 63.59 грн
100+ 49.44 грн
500+ 39.32 грн
1000+ 32.03 грн
2000+ 30.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+83.65 грн
12+ 65.44 грн
100+ 48.31 грн
500+ 38.84 грн
1000+ 34.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N04NSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N04NSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній