BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 20.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC030N03LSGATMA1 за ціною від 24.36 грн до 68.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC030N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC030N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC030N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC030N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC030N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 4369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC030N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V |
на замовлення 7451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC030N03LSGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC030N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSC030N03LSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 98A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC030N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC030N03LSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 98A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |