Продукція > INFINEON > BSC030N10NS5SCATMA1
BSC030N10NS5SCATMA1

BSC030N10NS5SCATMA1 INFINEON


4098623.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 171 A, 0.003 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+200.93 грн
500+ 175.34 грн
1000+ 138.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC030N10NS5SCATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSC030N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 171 A, 0.003 ohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 171A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: WSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSC030N10NS5SCATMA1 за ціною від 123.73 грн до 348.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC030N10NS5SCATMA1 BSC030N10NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC030N10NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d526675a0f31 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+329.15 грн
10+ 210.26 грн
100+ 149.53 грн
BSC030N10NS5SCATMA1 BSC030N10NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC030N10NS5SC_DataSheet_v02_01_EN-3360720.pdf MOSFETs N
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+333.17 грн
10+ 243.21 грн
100+ 150.34 грн
500+ 148.9 грн
1000+ 133.8 грн
2000+ 123.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030N10NS5SCATMA1 BSC030N10NS5SCATMA1 Виробник : INFINEON 4098623.pdf Description: INFINEON - BSC030N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 171 A, 0.003 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+348.6 грн
10+ 247.73 грн
100+ 200.93 грн
500+ 175.34 грн
1000+ 138.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC030N10NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n10ns5sc-datasheet-v02_01-en.pdf SP005561083
товар відсутній
BSC030N10NS5SCATMA1 BSC030N10NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n10ns5sc-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 22A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N10NS5SCATMA1 BSC030N10NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n10ns5sc-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 22A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N10NS5SCATMA1 BSC030N10NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC030N10NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d526675a0f31 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
товар відсутній