BSC030N03MSGATMA1

BSC030N03MSGATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc030n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC030N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC030N03MSGATMA1 за ціною від 23.06 грн до 71.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030n03ms_rev1.11.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
292+41.49 грн
310+ 39.07 грн
317+ 38.17 грн
500+ 35.83 грн
1000+ 32.28 грн
5000+ 30.21 грн
Мінімальне замовлення: 292
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+42.45 грн
500+ 34.26 грн
1000+ 30.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC030N03MS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360738.pdf MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 7106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.48 грн
10+ 43.92 грн
100+ 29.76 грн
500+ 25.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+71.46 грн
14+ 57.15 грн
100+ 42.45 грн
500+ 34.26 грн
1000+ 30.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC030N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de605dea0359 Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.62 грн
10+ 56.7 грн
100+ 44.14 грн
500+ 35.11 грн
1000+ 28.6 грн
2000+ 26.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC030N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de605dea0359 Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній