Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC022N04LSATMA1
BSC022N04LSATMA1

BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC022N04LSATMA1 за ціною від 36.72 грн до 112.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+41.43 грн
10000+ 38.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+43.82 грн
10000+ 41.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+47.19 грн
10000+ 44.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+47.2 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+48.5 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+69.11 грн
250+ 58.63 грн
1000+ 41.74 грн
3000+ 36.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
154+78.65 грн
166+ 73.1 грн
197+ 61.63 грн
208+ 56.12 грн
500+ 51.79 грн
1000+ 44.88 грн
2000+ 42.29 грн
Мінімальне замовлення: 154
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
137+88.6 грн
138+ 87.83 грн
173+ 69.93 грн
250+ 66.81 грн
500+ 52.76 грн
1000+ 40.86 грн
Мінімальне замовлення: 137
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+93.03 грн
50+ 69.11 грн
250+ 58.63 грн
1000+ 41.74 грн
3000+ 36.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+97.84 грн
10+ 82.27 грн
25+ 81.56 грн
100+ 62.62 грн
250+ 57.44 грн
500+ 47.03 грн
1000+ 37.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
на замовлення 17110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.54 грн
10+ 82.83 грн
100+ 64.44 грн
500+ 51.26 грн
1000+ 41.76 грн
2000+ 39.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC022N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360624.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.2 грн
10+ 88.16 грн
100+ 60.49 грн
500+ 52.27 грн
1000+ 40.14 грн
2500+ 40.07 грн
5000+ 38.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LSATMA1
Код товару: 131683 		BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC022N04LS-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC022N04LS-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній