Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC028N06NSATMA1
BSC028N06NSATMA1

BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies

bsc028n06ns_rev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC028N06NSATMA1 за ціною від 64.67 грн до 216.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : INFINEON 4104979.pdf Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+72.37 грн
15000+ 68.35 грн
25000+ 64.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC028N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9 Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+93.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+100.3 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+105.99 грн
10+ 92.2 грн
26+ 87.11 грн
250+ 85.66 грн
1000+ 83.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+118.02 грн
10+ 107.65 грн
25+ 107.12 грн
100+ 93.73 грн
250+ 85.09 грн
500+ 65.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
96+127.1 грн
105+ 115.36 грн
116+ 100.94 грн
250+ 91.63 грн
500+ 70.5 грн
Мінімальне замовлення: 96
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
92+131.91 грн
99+ 122.85 грн
117+ 103.72 грн
200+ 94.57 грн
500+ 87.3 грн
1000+ 75.78 грн
2000+ 71.38 грн
5000+ 69.57 грн
Мінімальне замовлення: 92
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.8 грн
3+ 132.08 грн
10+ 110.63 грн
26+ 104.54 грн
250+ 102.79 грн
1000+ 100.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC028N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9 Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 22952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.13 грн
10+ 136.7 грн
100+ 108.79 грн
500+ 86.39 грн
1000+ 73.3 грн
2000+ 69.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC028N06NS_DataSheet_v02_05_EN-3360863.pdf MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.83 грн
10+ 162.69 грн
100+ 114.29 грн
500+ 96.87 грн
1000+ 78.05 грн
5000+ 75.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : INFINEON 4104979.pdf Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+216.56 грн
10+ 160.27 грн
100+ 127.43 грн
250+ 108.89 грн
500+ 91.8 грн
1000+ 75.72 грн
5000+ 72.37 грн
15000+ 68.35 грн
25000+ 64.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc028n06ns_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній