Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC009NE2LS5IATMA1
BSC009NE2LS5IATMA1

BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+68.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC009NE2LS5IATMA1 за ціною від 62.41 грн до 167.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+77.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
106+114.51 грн
107+ 113.51 грн
122+ 98.84 грн
200+ 90.86 грн
500+ 80.36 грн
1000+ 70.77 грн
2000+ 67.5 грн
Мінімальне замовлення: 106
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+117.59 грн
10+ 106.63 грн
25+ 105.51 грн
100+ 88.58 грн
250+ 74.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000318718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+123.79 грн
250+ 107.23 грн
1000+ 79.8 грн
3000+ 70.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
96+126.63 грн
105+ 114.83 грн
107+ 113.63 грн
122+ 95.4 грн
250+ 80.4 грн
Мінімальне замовлення: 96
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000318718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+144.29 грн
50+ 123.79 грн
250+ 107.23 грн
1000+ 79.8 грн
3000+ 70.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e Description: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
на замовлення 5873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.82 грн
10+ 122.49 грн
100+ 97.51 грн
500+ 77.43 грн
1000+ 65.7 грн
2000+ 62.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC009NE2LS5I_DataSheet_v02_01_EN-3360566.pdf MOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 10989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.28 грн
10+ 136.6 грн
100+ 94.89 грн
500+ 80.13 грн
1000+ 66 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 40 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 74; PG-TDSON-8
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+75.99 грн
10+ 70.92 грн
100+ 65.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC009NE2LS5IATMA1
Код товару: 195332 		Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC009NE2LS5I-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e Description: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
товар відсутній
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC009NE2LS5I-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній