Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC014N04LSATMA1
BSC014N04LSATMA1

BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_08-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC014N04LSATMA1 за ціною від 47.9 грн до 127.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+51.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1 Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+52.46 грн
10000+ 48.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+71.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
158+77.46 грн
166+ 73.9 грн
193+ 63.5 грн
Мінімальне замовлення: 158
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009690710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+87.04 грн
250+ 72.72 грн
1000+ 54.96 грн
3000+ 49.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+101.92 грн
129+ 95.3 грн
153+ 80.31 грн
200+ 73.12 грн
Мінімальне замовлення: 120
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
116+106 грн
124+ 99.27 грн
147+ 83.57 грн
200+ 76.17 грн
500+ 70.35 грн
1000+ 61.06 грн
2000+ 57.48 грн
5000+ 56.09 грн
10000+ 54.78 грн
Мінімальне замовлення: 116
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009690710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+112.37 грн
50+ 87.04 грн
250+ 72.72 грн
1000+ 54.96 грн
3000+ 49.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1 Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 14869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.32 грн
10+ 96.7 грн
100+ 76.95 грн
500+ 61.11 грн
1000+ 51.85 грн
2000+ 49.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LS_DataSheet_v02_08_EN-3360750.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 11452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.56 грн
10+ 102.21 грн
100+ 72.66 грн
250+ 67.58 грн
500+ 60.8 грн
1000+ 49.52 грн
5000+ 47.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній