BSC028N06LS3 G

BSC028N06LS3 G Infineon Technologies


Infineon_BSC028N06LS3_G_DataSheet_v02_03_EN-3360788.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 50299 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.34 грн
10+ 181.93 грн
25+ 149.84 грн
100+ 128.23 грн
250+ 121.26 грн
500+ 114.29 грн
1000+ 97.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC028N06LS3 G Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 100A, Power dissipation: 139W, Case: PG-TDSON-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.8mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced.

Інші пропозиції BSC028N06LS3 G за ціною від 156.59 грн до 222.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC028N06LS3 G BSC028N06LS3 G Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ls3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+222.91 грн
57+ 214.42 грн
100+ 207.14 грн
250+ 193.68 грн
500+ 174.46 грн
1000+ 163.38 грн
2500+ 159.78 грн
5000+ 156.59 грн
Мінімальне замовлення: 55
BSC028N06LS3 G BSC028N06LS3 G Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ls3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06LS3G BSC028N06LS3G Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній