Інші пропозиції BSC009NE2LS5ATMA1 за ціною від 41.49 грн до 336.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC009NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC009NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC009NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC009NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC009NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC009NE2LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 16682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC009NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V |
на замовлення 9729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC009NE2LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 16682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC009NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LV POWER MOS |
на замовлення 4966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC009NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 14691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC009NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSC009NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| BSC009NE2LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
| BSC009NE2LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |