Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC030P03NS3GAUMA1
BSC030P03NS3GAUMA1

BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies

bsc030p03ns3g_2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC030P03NS3GAUMA1 за ціною від 51.02 грн до 224.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+51.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+74.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+80.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+83.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
133+92.14 грн
144+ 85.02 грн
156+ 78.75 грн
250+ 75.16 грн
500+ 63.58 грн
1000+ 58.3 грн
Мінімальне замовлення: 133
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+113.11 грн
10+ 101.64 грн
25+ 101.11 грн
100+ 88.22 грн
250+ 80.62 грн
500+ 63.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 17661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+117.21 грн
117+ 104.98 грн
121+ 101.21 грн
200+ 97.3 грн
500+ 83.9 грн
1000+ 77.14 грн
2000+ 76.18 грн
Мінімальне замовлення: 105
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
101+121.81 грн
112+ 109.46 грн
113+ 108.89 грн
125+ 95 грн
250+ 86.82 грн
500+ 68.32 грн
Мінімальне замовлення: 101
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : INFINEON 1849732.pdf Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+131.36 грн
250+ 109.2 грн
1000+ 86.7 грн
3000+ 76.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+158.71 грн
10+ 141.81 грн
11+ 82.3 грн
29+ 77.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : INFINEON 1849732.pdf Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+162.22 грн
50+ 131.36 грн
250+ 109.2 грн
1000+ 86.7 грн
3000+ 76.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC030P03NS3G_DS_v02_01_en-1731191.pdf MOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.05 грн
10+ 145.2 грн
100+ 105.1 грн
250+ 104.4 грн
500+ 86.76 грн
1000+ 79 грн
5000+ 76.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 20342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.29 грн
10+ 153.42 грн
100+ 122.08 грн
500+ 96.95 грн
1000+ 82.26 грн
2000+ 78.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+195.06 грн
10+ 158.02 грн
100+ 131.68 грн
250+ 126.19 грн
500+ 97 грн
1000+ 84.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.1 грн
3+ 197.78 грн
10+ 170.18 грн
11+ 98.75 грн
29+ 93.46 грн
5000+ 89.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній