Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC032NE2LSATMA1
BSC032NE2LSATMA1

BSC032NE2LSATMA1 Infineon Technologies

3703bsc032ne2ls_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+19.6 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC032NE2LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 0.0027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm.

Інші пропозиції BSC032NE2LSATMA1 за ціною від 19.13 грн до 71.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC032NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed8c328633851 Description: MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc032ne2ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc032ne2ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+27.4 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 Виробник : INFINEON BSC032NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed8c328633851 Description: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 0.0027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+35.09 грн
500+ 27.75 грн
1000+ 19.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC032NE2LS_DataSheet_v02_03_EN-3360721.pdf MOSFET N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.46 грн
10+ 36.37 грн
100+ 27.69 грн
500+ 24.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC032NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed8c328633851 Description: MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
на замовлення 23462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.14 грн
10+ 36.83 грн
100+ 28.63 грн
500+ 22.77 грн
1000+ 22.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 Виробник : INFINEON BSC032NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed8c328633851 Description: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 0.0027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+63.71 грн
17+ 47.15 грн
100+ 35.09 грн
500+ 27.75 грн
1000+ 19.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc032ne2ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+69.74 грн
187+ 64.8 грн
222+ 54.3 грн
250+ 49.68 грн
500+ 38.86 грн
1000+ 27.7 грн
3000+ 26.9 грн
Мінімальне замовлення: 173
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc032ne2ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+71.85 грн
10+ 64.76 грн
25+ 60.17 грн
100+ 48.62 грн
250+ 42.71 грн
500+ 34.64 грн
1000+ 25.72 грн
3000+ 24.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC032NE2LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 84A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc032ne2ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC032NE2LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 84A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній