Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC016N03LSGATMA1
BSC016N03LSGATMA1

BSC016N03LSGATMA1 Infineon Technologies

2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC016N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC016N03LSGATMA1 за ціною від 38.17 грн до 115.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.99 грн
25+ 44.92 грн
100+ 43.26 грн
250+ 39.99 грн
500+ 38.34 грн
1000+ 38.28 грн
3000+ 38.23 грн
6000+ 38.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+48.37 грн
251+ 46.51 грн
500+ 43.01 грн
1000+ 41.23 грн
3000+ 41.17 грн
6000+ 41.11 грн
Мінімальне замовлення: 250
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+49.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC016N03LS_rev1_28-1730849.pdf MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+105.7 грн
10+ 89.76 грн
100+ 63.42 грн
250+ 63.07 грн
500+ 54.92 грн
1000+ 46.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC016N03LS_rev1.28.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42761a13c1b Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.34 грн
10+ 92.41 грн
100+ 73.53 грн
500+ 58.39 грн
1000+ 49.55 грн
2000+ 47.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC016N03LS_rev1.28.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42761a13c1b Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній