![BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/22/20/30/34/234235/smn_/manual/bsc007n04ls6atma1.jpg)
BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 52.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0026 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC030N08NS5ATMA1 за ціною від 53.98 грн до 214.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC030N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSC030N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSC030N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSC030N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSC030N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 47565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSC030N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSC030N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 47565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSC030N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V |
на замовлення 13683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSC030N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSC030N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSC030N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |