Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC030N08NS5ATMA1
BSC030N08NS5ATMA1

BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc030n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+52.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0026 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC030N08NS5ATMA1 за ціною від 53.98 грн до 214.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC030N08NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014aed52f4210acf Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+65.7 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+96.95 грн
10+ 86.76 грн
25+ 86.31 грн
100+ 76.5 грн
250+ 69.11 грн
500+ 53.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
116+104.4 грн
130+ 92.95 грн
142+ 82.38 грн
250+ 74.43 грн
500+ 58.13 грн
Мінімальне замовлення: 116
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
116+104.47 грн
125+ 97.03 грн
126+ 96.03 грн
200+ 87.47 грн
500+ 68.08 грн
1000+ 60.1 грн
2000+ 59.84 грн
5000+ 58.64 грн
Мінімальне замовлення: 116
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON 4013649.pdf Description: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0026 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 47565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+127.73 грн
250+ 108.02 грн
1000+ 80.54 грн
3000+ 71.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC030N08NS5_DataSheet_v02_04_EN-3360865.pdf MOSFETs N-Ch 80V 100A
на замовлення 3617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+156.62 грн
10+ 126.09 грн
100+ 92.07 грн
250+ 89.97 грн
500+ 77.31 грн
1000+ 66 грн
5000+ 63.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON 4013649.pdf Description: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0026 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 47565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+159.27 грн
50+ 127.73 грн
250+ 108.02 грн
1000+ 80.54 грн
3000+ 71.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC030N08NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014aed52f4210acf Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
на замовлення 13683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.41 грн
10+ 134.42 грн
100+ 93.02 грн
500+ 70.65 грн
1000+ 65.29 грн
2000+ 60.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній