Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC016N03MSGATMA1
BSC016N03MSGATMA1

BSC016N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC016N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de4a19bb0334 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC016N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC016N03MSGATMA1 за ціною від 40.82 грн до 113.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC016N03MSGATMA1 BSC016N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N03MSGATMA1 BSC016N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
119+101.76 грн
120+ 100.74 грн
151+ 80.45 грн
250+ 76.79 грн
500+ 59.84 грн
1000+ 45.97 грн
3000+ 43.96 грн
Мінімальне замовлення: 119
BSC016N03MSGATMA1 BSC016N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC016N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de4a19bb0334 Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
на замовлення 9727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.8 грн
10+ 86.1 грн
100+ 68.54 грн
500+ 54.42 грн
1000+ 46.17 грн
2000+ 43.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC016N03MSGATMA1 BSC016N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+113.35 грн
10+ 94.49 грн
25+ 93.55 грн
100+ 72.04 грн
250+ 66.02 грн
500+ 53.34 грн
1000+ 42.68 грн
3000+ 40.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC016N03MSGATMA1 BSC016N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N03MSGATMA1 BSC016N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc016n03ms_rev1.11.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N03MSGATMA1 BSC016N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC016N03MSGATMA1 BSC016N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній