![BSC028N06LS3 G BSC028N06LS3 G](https://www.mouser.com/images/infineon/lrg/TDSON_6x5_8_DSL.jpg)
BSC028N06LS3 G Infineon Technologies
на замовлення 49552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 204.18 грн |
10+ | 167.32 грн |
100+ | 116.67 грн |
250+ | 107.54 грн |
500+ | 97.7 грн |
1000+ | 85.05 грн |
5000+ | 76.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC028N06LS3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 100A, Power dissipation: 139W, Case: PG-TDSON-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.8mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції BSC028N06LS3 G за ціною від 156.21 грн до 222.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC028N06LS3 G | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSC028N06LS3 G | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSC028N06LS3G | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |