Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (139952) > Сторінка 2292 з 2333

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 233 466 699 932 1165 1398 1631 1864 2097 2287 2288 2289 2290 2291 2292 2293 2294 2295 2296 2297 2330 2333  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IKD10N60RATMA1 IKD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD10N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD10N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.73 грн
10+ 40.66 грн
39+ 22.33 грн
106+ 21.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
PVG612 PVG612 INFINEON TECHNOLOGIES pvg612.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Relay series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+555.72 грн
3+ 355.6 грн
7+ 336.38 грн
PVG612ASPBF PVG612ASPBF INFINEON TECHNOLOGIES PVG612ASPBF.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 4A; 0÷60VAC; -60÷60VDC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Relay series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 3.5ms
Release time: 0.5ms
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1383.72 грн
2+ 712.67 грн
4+ 674.23 грн
PVG612S PVG612S INFINEON TECHNOLOGIES PVG612S.PDF description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Case: DIP6
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 2.4A
Type of relay: solid state
Relay variant: MOSFET
Relay series: PVG612
Control current: 5...25mA
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
On-state resistance: 0.15Ω
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+726.09 грн
3+ 406.61 грн
6+ 384.43 грн
IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.65 грн
6+ 157.47 грн
15+ 149.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
BFR93AE6327 BFR93AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR93AE6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 26185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.46 грн
18+ 21.07 грн
25+ 15.82 грн
100+ 14.05 грн
189+ 4.58 грн
518+ 4.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR93AWH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 18015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+9.08 грн
65+ 5.88 грн
100+ 4.92 грн
215+ 4.07 грн
585+ 3.84 грн
12000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 45
BC857BE6327 BC857BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC857B-DTE.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
IRFZ44EPBF IRFZ44EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.65 грн
10+ 56.7 грн
23+ 38.3 грн
62+ 36.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44espbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 55A; 115W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.47 грн
10+ 57.66 грн
23+ 38.44 грн
62+ 36.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFZ44VZPBF IRFZ44VZPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44VZPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ44VZSPBF IRFZ44VZSPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44vzpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.03 грн
10+ 98.32 грн
12+ 75.41 грн
32+ 70.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ44ZPBF IRFZ44ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.55 грн
10+ 41.99 грн
28+ 31.79 грн
75+ 30.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44ZSTRRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
AUIRFZ44VZS AUIRFZ44VZS INFINEON TECHNOLOGIES auirfz44vzs.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 57A; 92W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 57A
Power dissipation: 92W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 16037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.93 грн
50+ 17.15 грн
138+ 16.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+16.72 грн
37+ 10.13 грн
55+ 6.74 грн
100+ 5.76 грн
212+ 4.07 грн
583+ 3.84 грн
1000+ 3.79 грн
3000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 24
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.7 грн
27+ 13.75 грн
100+ 8.21 грн
169+ 5.1 грн
466+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRLML2246TRPBF IRLML2246TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2246pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.66 грн
23+ 16.78 грн
29+ 12.94 грн
100+ 7.76 грн
193+ 4.51 грн
529+ 4.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRLML2402TRPBF IRLML2402TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2402TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Part status: Not recommended for new designs
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+15.13 грн
31+ 12.12 грн
36+ 10.35 грн
50+ 8.87 грн
100+ 7.47 грн
Мінімальне замовлення: 27
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.44 грн
16+ 23.29 грн
20+ 20.4 грн
50+ 15.97 грн
100+ 13.09 грн
124+ 6.95 грн
340+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2803.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+24.68 грн
23+ 16.71 грн
26+ 14.42 грн
50+ 10.28 грн
100+ 8.95 грн
138+ 6.28 грн
380+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.54 грн
10+ 85.76 грн
17+ 51.75 грн
46+ 48.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+97.93 грн
10+ 56.92 грн
21+ 42.14 грн
56+ 39.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
IR21844PBF IR21844PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+365.43 грн
3+ 305.32 грн
4+ 233.61 грн
11+ 221.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR21844SPBF IR21844SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.93 грн
8+ 122.72 грн
20+ 116.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR21844STRPBF IR21844STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
IR2184PBF IR2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.83 грн
8+ 116.81 грн
21+ 110.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR2184SPBF IR2184SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.53 грн
3+ 184.82 грн
7+ 141.2 грн
17+ 133.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR2184STRPBF IR2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.07 грн
3+ 203.3 грн
8+ 108.68 грн
22+ 102.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
BAT60AE6327HTSA1 BAT60AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT60AE6327-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 10V; 3A; SOD323; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.66 грн
22+ 16.93 грн
100+ 11.68 грн
149+ 5.77 грн
408+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
BAT60BE6327HTSA1 BAT60BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT60BE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 10V; 3A; SOD323; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 4171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+27.07 грн
20+ 18.78 грн
100+ 12.35 грн
152+ 5.69 грн
417+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRFB260NPBF IRFB260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.56 грн
9+ 99.8 грн
24+ 93.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRS21844SPBF IRS21844SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
BTS452R BTS452R INFINEON TECHNOLOGIES BTS452R-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO252-5-11
Supply voltage: 6...52V DC
On-state resistance: 0.2Ω
Output voltage: 62V
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
товару немає в наявності
BAV70SH6327XTSA1 BAV70SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV70E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT363; 250mW; reel,tape
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double x2
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
44+9.24 грн
70+ 5.31 грн
201+ 4.29 грн
553+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 44
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV99SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT363; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT363
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+18.31 грн
29+ 12.79 грн
36+ 10.28 грн
100+ 7.32 грн
202+ 4.21 грн
556+ 3.99 грн
Мінімальне замовлення: 22
IRS2092STRPBF IRS2092STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2092.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Frequency: 800kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.69 грн
5+ 224.74 грн
7+ 130.85 грн
19+ 124.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI180N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.17 грн
6+ 71.71 грн
18+ 49.53 грн
48+ 46.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP180N10N3G-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRF7413TRPBF IRF7413TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7413pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+46.18 грн
11+ 36.74 грн
51+ 16.93 грн
140+ 15.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRS20752LTRPBF IRS20752LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS20752ltrpbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Case: SOT23-6
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Output current: -240...160mA
Topology: single transistor
Voltage class: 200V
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.95 грн
10+ 42.14 грн
25+ 39.18 грн
27+ 32.53 грн
74+ 30.31 грн
1000+ 29.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp064n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+130.57 грн
5+ 102.02 грн
11+ 78.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.17 грн
9+ 100.54 грн
24+ 95.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5103pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.46 грн
10+ 94.63 грн
14+ 63.58 грн
38+ 60.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp150n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+129.77 грн
9+ 97.59 грн
25+ 92.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP054NPBF IRFP054NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp054n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+185.5 грн
7+ 128.64 грн
19+ 121.24 грн
50+ 119.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCP5216H6327XTSA1.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Case: SOT223
Collector current: 1A
Frequency: 125MHz
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ097N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
на замовлення 4954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+62.9 грн
34+ 25.51 грн
94+ 24.1 грн
2000+ 23.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
ICE3A1565FKLA1 ICE3A1565FKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3A_B_ser.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 6.1A; 100kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷72%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 6.1A
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...72%
Power: 42/20W
Application: SMPS
Operating voltage: 8.5...21V DC
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.47 грн
7+ 136.03 грн
18+ 128.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
ICE3A2065ELJFKLA1 ICE3A2065ELJFKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3A2065ELJ.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 10.3A; 100kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷75%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 10.3A
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 57/28W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...26V DC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.93 грн
5+ 181.86 грн
7+ 123.46 грн
20+ 116.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
ICE3AR0680JZXKLA1
+1
 		ICE3AR0680JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3AR0680JZ.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 20A
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 82/52W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
IKD10N60RATMA1 IKD10N60R.pdf
IKD10N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RF.pdf
IKD10N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+55.73 грн
10+ 40.66 грн
39+ 22.33 грн
106+ 21.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
PVG612 description pvg612.pdf
PVG612
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Relay series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+555.72 грн
3+ 355.6 грн
7+ 336.38 грн
PVG612ASPBF PVG612ASPBF.pdf
PVG612ASPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 4A; 0÷60VAC; -60÷60VDC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Relay series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 3.5ms
Release time: 0.5ms
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1383.72 грн
2+ 712.67 грн
4+ 674.23 грн
PVG612S description PVG612S.PDF
PVG612S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Case: DIP6
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 2.4A
Type of relay: solid state
Relay variant: MOSFET
Relay series: PVG612
Control current: 5...25mA
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
On-state resistance: 0.15Ω
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+726.09 грн
3+ 406.61 грн
6+ 384.43 грн
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+321.65 грн
6+ 157.47 грн
15+ 149.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
BFR93AE6327 BFR93AE6327-dte.pdf
BFR93AE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 26185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+29.46 грн
18+ 21.07 грн
25+ 15.82 грн
100+ 14.05 грн
189+ 4.58 грн
518+ 4.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327-dte.pdf
BFR93AWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 18015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+9.08 грн
65+ 5.88 грн
100+ 4.92 грн
215+ 4.07 грн
585+ 3.84 грн
12000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 45
BC857BE6327 BC857B-DTE.pdf
BC857BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
IRFZ44EPBF description irfz44e.pdf
IRFZ44EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+71.65 грн
10+ 56.7 грн
23+ 38.3 грн
62+ 36.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFZ44ESTRLPBF irfz44espbf.pdf
IRFZ44ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRFZ44VPBF irfz44v.pdf
IRFZ44VPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 55A; 115W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+68.47 грн
10+ 57.66 грн
23+ 38.44 грн
62+ 36.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFZ44VZPBF IRFZ44VZPBF.pdf
IRFZ44VZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+90.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ44VZSPBF irfz44vzpbf.pdf
IRFZ44VZSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+117.03 грн
10+ 98.32 грн
12+ 75.41 грн
32+ 70.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ44ZPBF description irfz44z.pdf
IRFZ44ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.55 грн
10+ 41.99 грн
28+ 31.79 грн
75+ 30.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF.pdf
IRFZ44ZSTRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
AUIRFZ44VZS auirfz44vzs.pdf
AUIRFZ44VZS
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 57A; 92W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 57A
Power dissipation: 92W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 16037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+54.93 грн
50+ 17.15 грн
138+ 16.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLML2030TRPBF irlml2030pbf.pdf
IRLML2030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+16.72 грн
37+ 10.13 грн
55+ 6.74 грн
100+ 5.76 грн
212+ 4.07 грн
583+ 3.84 грн
1000+ 3.79 грн
3000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 24
IRLML2060TRPBF irlml2060pbf.pdf
IRLML2060TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+20.7 грн
27+ 13.75 грн
100+ 8.21 грн
169+ 5.1 грн
466+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRLML2246TRPBF irlml2246pbf.pdf
IRLML2246TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+28.66 грн
23+ 16.78 грн
29+ 12.94 грн
100+ 7.76 грн
193+ 4.51 грн
529+ 4.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRLML2402TRPBF IRLML2402TRPBF.pdf
IRLML2402TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Part status: Not recommended for new designs
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+15.13 грн
31+ 12.12 грн
36+ 10.35 грн
50+ 8.87 грн
100+ 7.47 грн
Мінімальне замовлення: 27
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+33.44 грн
16+ 23.29 грн
20+ 20.4 грн
50+ 15.97 грн
100+ 13.09 грн
124+ 6.95 грн
340+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRLML2803TRPBF irlml2803.pdf
IRLML2803TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+24.68 грн
23+ 16.71 грн
26+ 14.42 грн
50+ 10.28 грн
100+ 8.95 грн
138+ 6.28 грн
380+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRF2807PBF irf2807.pdf
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.54 грн
10+ 85.76 грн
17+ 51.75 грн
46+ 48.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRF2807STRRPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRF2807ZPBF description irf2807z.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+97.93 грн
10+ 56.92 грн
21+ 42.14 грн
56+ 39.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
IR21844PBF description IR21844SPBF.pdf
IR21844PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+365.43 грн
3+ 305.32 грн
4+ 233.61 грн
11+ 221.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR21844SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR21844SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+261.93 грн
8+ 122.72 грн
20+ 116.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR21844STRPBF IR21844SPBF.pdf
IR21844STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
IR2184PBF IR21844SPBF.pdf
IR2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.83 грн
8+ 116.81 грн
21+ 110.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR2184SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR2184SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.53 грн
3+ 184.82 грн
7+ 141.2 грн
17+ 133.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR2184STRPBF IR21844SPBF.pdf
IR2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.07 грн
3+ 203.3 грн
8+ 108.68 грн
22+ 102.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
BAT60AE6327HTSA1 BAT60AE6327-DTE.pdf
BAT60AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 10V; 3A; SOD323; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+28.66 грн
22+ 16.93 грн
100+ 11.68 грн
149+ 5.77 грн
408+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
BAT60BE6327HTSA1 BAT60BE6327HTSA1.pdf
BAT60BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 10V; 3A; SOD323; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 4171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+27.07 грн
20+ 18.78 грн
100+ 12.35 грн
152+ 5.69 грн
417+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRFB260NPBF irfb260n.pdf
IRFB260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+173.56 грн
9+ 99.8 грн
24+ 93.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRS21844SPBF irs2184.pdf
IRS21844SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
BTS452R BTS452R-DTE.pdf
BTS452R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO252-5-11
Supply voltage: 6...52V DC
On-state resistance: 0.2Ω
Output voltage: 62V
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
товару немає в наявності
BAV70SH6327XTSA1 BAV70E6327HTSA1.pdf
BAV70SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT363; 250mW; reel,tape
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double x2
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+9.24 грн
70+ 5.31 грн
201+ 4.29 грн
553+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 44
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1.pdf
BAV99SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT363; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT363
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+18.31 грн
29+ 12.79 грн
36+ 10.28 грн
100+ 7.32 грн
202+ 4.21 грн
556+ 3.99 грн
Мінімальне замовлення: 22
IRS2092STRPBF IRS2092.pdf
IRS2092STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Frequency: 800kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+270.69 грн
5+ 224.74 грн
7+ 130.85 грн
19+ 124.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3G-DTE.pdf
IPI180N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+89.17 грн
6+ 71.71 грн
18+ 49.53 грн
48+ 46.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3G-dte.pdf
IPP180N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRF7413TRPBF description irf7413pbf.pdf
IRF7413TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRF7413ZTRPBF description irf7413zpbf.pdf
IRF7413ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+46.18 грн
11+ 36.74 грн
51+ 16.93 грн
140+ 15.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRS20752LTRPBF IRS20752ltrpbf.pdf
IRS20752LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Case: SOT23-6
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Output current: -240...160mA
Topology: single transistor
Voltage class: 200V
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+50.95 грн
10+ 42.14 грн
25+ 39.18 грн
27+ 32.53 грн
74+ 30.31 грн
1000+ 29.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFP064NPBF irfp064n.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+130.57 грн
5+ 102.02 грн
11+ 78.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP3206PBF irfp3206pbf.pdf
IRFP3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+171.17 грн
9+ 100.54 грн
24+ 95.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLML5103TRPBF irlml5103pbf.pdf
IRLML5103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+111.46 грн
10+ 94.63 грн
14+ 63.58 грн
38+ 60.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRFP150NPBF description irfp150n.pdf
IRFP150NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+129.77 грн
9+ 97.59 грн
25+ 92.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP054NPBF irfp054n.pdf
IRFP054NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+185.5 грн
7+ 128.64 грн
19+ 121.24 грн
50+ 119.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1.pdf
BCP5216H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Case: SOT223
Collector current: 1A
Frequency: 125MHz
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSG-DTE.pdf
BSZ097N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
на замовлення 4954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+62.9 грн
34+ 25.51 грн
94+ 24.1 грн
2000+ 23.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
ICE3A1565FKLA1 ICE3A_B_ser.pdf
ICE3A1565FKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 6.1A; 100kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷72%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 6.1A
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...72%
Power: 42/20W
Application: SMPS
Operating voltage: 8.5...21V DC
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+157.47 грн
7+ 136.03 грн
18+ 128.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
ICE3A2065ELJFKLA1 ICE3A2065ELJ.pdf
ICE3A2065ELJFKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 10.3A; 100kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷75%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 10.3A
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 57/28W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...26V DC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+261.93 грн
5+ 181.86 грн
7+ 123.46 грн
20+ 116.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
ICE3AR0680JZXKLA1 ICE3AR0680JZ.pdf
ICE3AR0680JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 20A
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 82/52W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 233 466 699 932 1165 1398 1631 1864 2097 2287 2288 2289 2290 2291 2292 2293 2294 2295 2296 2297 2330 2333  [ Наступна Сторінка >> ]