IRLU024NPBF (транзистор)


Код товару: 73061
Виробник: IR
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 200 шт:

150 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
2+30 грн
10+ 27.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLU024NPBF (транзистор) за ціною від 21.01 грн до 72.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
327+37.51 грн
374+ 32.72 грн
375+ 32.61 грн
500+ 26.64 грн
1000+ 23.21 грн
3000+ 21.06 грн
Мінімальне замовлення: 327
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
297+41.27 грн
309+ 39.62 грн
500+ 38.19 грн
1000+ 35.62 грн
2500+ 32.01 грн
Мінімальне замовлення: 297
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+55.39 грн
11+ 36.08 грн
39+ 22.26 грн
107+ 21.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Виробник : Infineon Technologies irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 5322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.28 грн
75+ 46.97 грн
150+ 37.22 грн
525+ 29.61 грн
1050+ 24.12 грн
2025+ 22.7 грн
5025+ 21.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN-3363536.pdf MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+64.27 грн
10+ 42.99 грн
100+ 31.11 грн
500+ 27.51 грн
1000+ 22.36 грн
3000+ 22.01 грн
6000+ 21.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.47 грн
10+ 44.96 грн
39+ 26.72 грн
107+ 25.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.33 грн
17+ 46.92 грн
100+ 35.13 грн
500+ 31.01 грн
1000+ 21.7 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRLU024NPBF Виробник : International Rectifier Corporation irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d TO-251
на замовлення 150 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

1000uF 16V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR102M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2431
EXR_080421.pdf
1000uF 16V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR102M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 5000 годин
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+5 грн
12+ 4.5 грн
100+ 4 грн
1000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
330uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR331M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2425
EXR_080421.pdf
330uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR331M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 657 шт
очікується: 3000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+5 грн
12+ 4.5 грн
100+ 4.1 грн
1000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
HEF4001BT.653
Код товару: 28433
HEF4001B_4-81858.pdf
HEF4001BT.653
Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Logic Gates QUADRUPLE 2-INPUT NOR GATE
Монтаж: SMD
Живлення,V: 3...15,5 V
T°C: -40…+85°C
у наявності: 989 шт
Кількість Ціна без ПДВ
7+8 грн
10+ 7 грн
100+ 6.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
470uF 50V EHR 10x21mm (EHR471M50BA-Hitano)
Код товару: 54941
EHR_081225.pdf
470uF 50V EHR 10x21mm (EHR471M50BA-Hitano)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 2000 годин
очікується: 3000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
7+8 грн
10+ 7.2 грн
100+ 6.5 грн
1000+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
LM293D (SO-8, ST)
Код товару: 154918
datasheet-lm293d-st.pdf
LM293D (SO-8, ST)
Виробник: ST
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: SO-8
Функц.опис: Кількість каналів: 2; Uпіт, В: 2…30; tз, нс: 300; Тип виходу: OK/OC;
Udss,V: 2...30 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: -40...+105°C
у наявності: 968 шт
Кількість Ціна без ПДВ
8+7 грн
10+ 6 грн
100+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 8