Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF2807PBF
IRF2807PBF

IRF2807PBF

irf2807pbf-datasheet.pdf
Код товару: 88517
Виробник: IR
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності 30 шт:
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
2+45 грн
10+ 42 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF2807PBF за ціною від 34.03 грн до 130.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF2807PBF IRF2807PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF2807PBF IRF2807PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
197+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 197
IRF2807PBF IRF2807PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.52 грн
100+ 54.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF2807PBF IRF2807PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
147+83.26 грн
182+ 67.43 грн
500+ 65.96 грн
1000+ 61 грн
2000+ 54.06 грн
5000+ 36.45 грн
Мінімальне замовлення: 147
IRF2807PBF IRF2807PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+87.16 грн
10+ 77.75 грн
100+ 62.96 грн
500+ 59.39 грн
1000+ 52.74 грн
2000+ 48.46 грн
5000+ 34.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF2807PBF IRF2807PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.73 грн
10+ 83.77 грн
18+ 50.7 грн
47+ 47.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF2807PBF IRF2807PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+104.97 грн
10+ 90.42 грн
100+ 69.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF2807PBF IRF2807PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF2807_DataSheet_v01_01_EN-3362869.pdf MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.92 грн
10+ 94.1 грн
100+ 70.19 грн
250+ 68.21 грн
500+ 60.59 грн
1000+ 55.87 грн
2000+ 52.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF2807PBF IRF2807PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+117.9 грн
10+ 93.37 грн
100+ 74.62 грн
500+ 63.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF2807PBF IRF2807PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.78 грн
10+ 100.52 грн
18+ 60.84 грн
47+ 57.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF2807PBF IRF2807PBF Виробник : Infineon Technologies irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.48 грн
50+ 100.84 грн
100+ 82.98 грн
500+ 65.89 грн
1000+ 55.91 грн
2000+ 53.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF2807PBF IRF2807PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF2807PBF IRF2807PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF2807PBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF2807PBF - IRF2807 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
326+74.7 грн
Мінімальне замовлення: 326
IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF2807PBF IRF2807PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

1000uF 10V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR102M10BA-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2429		 EXR_080421.pdf
1000uF 10V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR102M10BA-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12,5mm
Строк життя: 5000 годин
очікується: 3000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
12+4.5 грн
13+ 3.9 грн
100+ 3.3 грн
1000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF540NPBF
Код товару: 3289		 f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 186 шт
очікується: 2000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+35 грн
10+ 31.5 грн
100+ 27.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 3481		 EXR_080421.pdf
470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 6156 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+5 грн
12+ 4.5 грн
100+ 4.1 грн
1000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
BZX84-C18
Код товару: 9995		 BZX84.pdf
BZX84-C18
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації, Vz: 18 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
товар відсутній