Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7413ZTRPBF
IRF7413ZTRPBF

IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies

irf7413z.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 26
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRF7413ZTRPBF за ціною від 13.04 грн до 93.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+21.19 грн
8000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+22.69 грн
8000+ 21.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+26.05 грн
24+ 25.14 грн
100+ 22.07 грн
500+ 19.62 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
449+26.9 грн
511+ 23.63 грн
554+ 21.78 грн
Мінімальне замовлення: 449
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+34.14 грн
500+ 26.21 грн
1000+ 19.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+59.92 грн
10+ 47.81 грн
39+ 22.11 грн
106+ 20.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
195+61.99 грн
197+ 61.4 грн
288+ 41.97 грн
291+ 40.06 грн
527+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 195
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7413Z_DataSheet_v01_01_EN-3223879.pdf MOSFETs MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC
на замовлення 29208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+63.3 грн
10+ 48.5 грн
100+ 30.29 грн
500+ 24.53 грн
1000+ 22.56 грн
2000+ 21.02 грн
4000+ 20.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+65.12 грн
11+ 57.56 грн
25+ 57.02 грн
100+ 37.58 грн
250+ 34.45 грн
500+ 18.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+69.86 грн
16+ 52.04 грн
100+ 34.14 грн
500+ 26.21 грн
1000+ 19.4 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.91 грн
10+ 59.58 грн
39+ 26.53 грн
106+ 25.13 грн
4000+ 23.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+80.46 грн
171+ 70.52 грн
250+ 48.22 грн
251+ 46.4 грн
500+ 23.5 грн
1000+ 21.26 грн
Мінімальне замовлення: 150
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 5946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.52 грн
10+ 57.03 грн
100+ 37.73 грн
500+ 27.63 грн
1000+ 25.12 грн
2000+ 23.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
товар відсутній