IPP180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 29.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPP180N10N3GXKSA1 за ціною від 32.57 грн до 100.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP180N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 1652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP180N10N3GXKSA1 Код товару: 150492 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Power dissipation: 71W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPP180N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Power dissipation: 71W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |