Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3415STRLPBF
IRF3415STRLPBF

IRF3415STRLPBF Infineon Technologies

irf3415spbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3415STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF3415STRLPBF за ціною від 65.18 грн до 172.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+68.41 грн
1600+ 67.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+72.39 грн
1600+ 71.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+73.13 грн
1600+ 72.4 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+77.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
142+86.63 грн
Мінімальне замовлення: 142
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+90.71 грн
1600+ 74.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+97.71 грн
10+ 88.19 грн
25+ 73.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3415S_DataSheet_v01_01_EN-3362826.pdf MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+156.36 грн
10+ 124.11 грн
100+ 88.88 грн
800+ 65.6 грн
2400+ 65.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162.53 грн
10+ 129.69 грн
100+ 103.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+172.5 грн
10+ 122.65 грн
50+ 111.57 грн
100+ 93.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3415spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3415spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній