IRLML2246TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 3.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML2246TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLML2246TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRLML2246TRPBF за ціною від 3.55 грн до 34.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLML2246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML2246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML2246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 31353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML2246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML2246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 16 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML2246TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2246TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 43534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML2246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML2246TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML2246TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 495 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML2246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML2246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML2246TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2246TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 43534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML2246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 16 V |
на замовлення 36595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML2246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -20V -2.6A 135mOhm -2.5V cpbl |
на замовлення 49292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML2246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRLML2246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRLML2246TRPBF Код товару: 116616 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|