Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (334994) > Сторінка 1031 з 5584

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 558 1026 1027 1028 1029 1030 1031 1032 1033 1034 1035 1036 1116 1674 2232 2790 3348 3906 4464 5022 5580 5584  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SIHF620S-GE3 VISHAY SIHF620S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF620STRL-GE3 VISHAY SIHF620STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF634STRR-GE3 VISHAY SIHF634STRR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF640L-GE3 VISHAY SIHF640L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF640S-GE3 VISHAY sihf640s.pdf SIHF640S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF644S-GE3 VISHAY SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107 грн
17+ 64.76 грн
45+ 61.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHF644STRL-GE3 VISHAY SIHF644STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF6N40D-E3 VISHAY sihf6n40d.pdf SIHF6N40D-E3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF6N65E-GE3 VISHAY sihf6n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHF730STRL-GE3 VISHAY SIHF730STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF740AL-GE3 VISHAY SIHF740AL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF740STRL-GE3 VISHAY SIHF740STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF7N60E-E3 VISHAY sihf7n60e.pdf SIHF7N60E-E3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF830STRL-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHF840AS-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHF840S-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHF8N50D-E3 VISHAY sihfp8n50d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHF9520S-GE3 VISHAY sihf9520.pdf SIHF9520S-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHF9530S-GE3 SIHF9530S-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 88W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 948 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.88 грн
6+ 54.17 грн
25+ 46.04 грн
26+ 39.92 грн
72+ 38.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHF9640S-GE3 VISHAY sihf9640.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -44A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHF9Z34STRL-GE3 VISHAY sihf9z34.pdf SIHF9Z34STRL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFBC20L-GE3 VISHAY SIHFBC20L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFBC30AS-GE3 VISHAY SIHFBC30AS-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFBC40L-GE3 VISHAY SIHFBC40L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFBE30L-GE3 VISHAY SIHFBE30L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFBF20S-GE3 VISHAY SIHFBF20S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFBF20STRL-GE3 VISHAY SIHFBF20STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFBF30S-GE3 VISHAY sihbf30s.pdf SIHFBF30S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFPS37N50A-GE3 SIHFPS37N50A-GE3 VISHAY sihfps37n50a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 144A; 446W; SUPER247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 446W
Case: SUPER247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+513.04 грн
3+ 387.85 грн
8+ 353.08 грн
120+ 339.78 грн
SIHFPS40N50L-GE3 VISHAY sihfps40n50l.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 29A; Idm: 180A; 540W; SUPER247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 540W
Case: SUPER247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR010-GE3 VISHAY SIHFR010-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR014TR-GE3 VISHAY SIHFR014TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR024-GE3 VISHAY sihfr024.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR110-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.54Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR110TR-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.54Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR110TRL-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.54Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR120-GE3 VISHAY sihfr120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR120TR-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR120TRL-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 VISHAY IRFR1N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.98A; 36W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.98A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.43 грн
5+ 66.52 грн
20+ 56.51 грн
22+ 48.79 грн
59+ 46.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHFR1N60ATRL-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 890mA; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR210TRL-GE3 VISHAY SIHFR210TRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR220-GE3 SIHFR220-GE3 VISHAY IRFR220.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SIHFR220TRL-GE3 SIHFR220TRL-GE3 VISHAY sihfr220.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.97 грн
7+ 43.85 грн
25+ 38.06 грн
36+ 28.39 грн
98+ 27.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHFR310-GE3 VISHAY SIHFR310-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR310TR-GE3 VISHAY SIHFR310TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR320-GE3 VISHAY sihfr320.pdf SIHFR320-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR320TR-GE3 VISHAY sihfr320.pdf SIHFR320TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR420-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR420A-GE3 VISHAY sihfr420.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR420ATR-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR420TR-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR420TRL-GE3 VISHAY sihfr420.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR430A-GE3 VISHAY SIHFR430A-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR430ATR-GE3 VISHAY sihfr430.pdf SIHFR430ATR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9014-GE3 VISHAY sihfr901.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR9014TR-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR9014TRL-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR9020TR-GE3 VISHAY SIHFR9020TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9024-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -35A
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHF620S-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF620S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF620STRL-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF620STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF634STRR-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF634STRR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF640L-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF640L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF640S-GE3 sihf640s.pdf
Виробник: VISHAY
SIHF640S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF644S-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107 грн
17+ 64.76 грн
45+ 61.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHF644STRL-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF644STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF6N40D-E3 sihf6n40d.pdf
Виробник: VISHAY
SIHF6N40D-E3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF6N65E-GE3 sihf6n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHF730STRL-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF730STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF740AL-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF740AL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF740STRL-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF740STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF7N60E-E3 sihf7n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHF7N60E-E3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHF830STRL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHF840AS-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHF840S-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHF8N50D-E3 sihfp8n50d.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHF9520S-GE3 sihf9520.pdf
Виробник: VISHAY
SIHF9520S-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHF9530S-GE3
SIHF9530S-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 88W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 948 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.88 грн
6+ 54.17 грн
25+ 46.04 грн
26+ 39.92 грн
72+ 38.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHF9640S-GE3 sihf9640.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -44A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHF9Z34STRL-GE3 sihf9z34.pdf
Виробник: VISHAY
SIHF9Z34STRL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFBC20L-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFBC20L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFBC30AS-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFBC30AS-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFBC40L-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFBC40L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFBE30L-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFBE30L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFBF20S-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFBF20S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFBF20STRL-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFBF20STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFBF30S-GE3 sihbf30s.pdf
Виробник: VISHAY
SIHFBF30S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFPS37N50A-GE3 sihfps37n50a.pdf
SIHFPS37N50A-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 144A; 446W; SUPER247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 446W
Case: SUPER247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+513.04 грн
3+ 387.85 грн
8+ 353.08 грн
120+ 339.78 грн
SIHFPS40N50L-GE3 sihfps40n50l.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 29A; Idm: 180A; 540W; SUPER247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 540W
Case: SUPER247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR010-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR010-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR014TR-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR014TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR024-GE3 sihfr024.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR110-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.54Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR110TR-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.54Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR110TRL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.54Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR120-GE3 sihfr120.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR120TR-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR120TRL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR1N60A-GE3 IRFR1N60A.pdf
SIHFR1N60A-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.98A; 36W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.98A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.43 грн
5+ 66.52 грн
20+ 56.51 грн
22+ 48.79 грн
59+ 46.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHFR1N60ATRL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 890mA; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR210TRL-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR210TRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR220-GE3 IRFR220.pdf
SIHFR220-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SIHFR220TRL-GE3 sihfr220.pdf
SIHFR220TRL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.97 грн
7+ 43.85 грн
25+ 38.06 грн
36+ 28.39 грн
98+ 27.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHFR310-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR310-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR310TR-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR310TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR320-GE3 sihfr320.pdf
Виробник: VISHAY
SIHFR320-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR320TR-GE3 sihfr320.pdf
Виробник: VISHAY
SIHFR320TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR420-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR420A-GE3 sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR420ATR-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR420TR-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR420TRL-GE3 sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR430A-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR430A-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR430ATR-GE3 sihfr430.pdf
Виробник: VISHAY
SIHFR430ATR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9014-GE3 sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR9014TR-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR9014TRL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR9020TR-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR9020TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9024-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -35A
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 558 1026 1027 1028 1029 1030 1031 1032 1033 1034 1035 1036 1116 1674 2232 2790 3348 3906 4464 5022 5580 5584  [ Наступна Сторінка >> ]