Технічний опис SIHFR9024-GE3 Vishay
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W, Mounting: SMD, Power dissipation: 42W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 19nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -35A, Case: DPAK; TO252, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -5.6A, On-state resistance: 0.28Ω, Type of transistor: P-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHFR9024-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHFR9024-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W Mounting: SMD Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -35A Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SIHFR9024-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs |
товару немає в наявності |
|
| SIHFR9024-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W Mounting: SMD Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -35A Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: P-MOSFET |
товару немає в наявності |