![SIHFPS40N50L-GE3 SIHFPS40N50L-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4846/MFG_541_Super-247.jpg)
SIHFPS40N50L-GE3 Vishay Siliconix
![sihfps40n50l.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 25 V
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 515.48 грн |
30+ | 396.16 грн |
120+ | 354.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFPS40N50L-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHFPS40N50L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 46 A, 0.087 ohm, Super-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540W, Bauform - Transistor: Super-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHFPS40N50L-GE3 за ціною від 260.76 грн до 588.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHFPS40N50L-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 1421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIHFPS40N50L-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 540W Bauform - Transistor: Super-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SIHFPS40N50L-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SIHFPS40N50L-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 29A; Idm: 180A; 540W; SUPER247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 29A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 540W Case: SUPER247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SIHFPS40N50L-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 29A; Idm: 180A; 540W; SUPER247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 29A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 540W Case: SUPER247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |