Технічний опис SIHF840AS-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 5.1A, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 125W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.85Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 38nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHF840AS-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SIHF840AS-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
SIHF840AS-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET |
товар відсутній |
|
SIHF840AS-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |