SIHFPS37N50A-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 144A; 446W; SUPER247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 446W
Case: SUPER247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 433.33 грн |
| 3+ | 316.96 грн |
| 8+ | 299.72 грн |
| 120+ | 288.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFPS37N50A-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHFPS37N50A-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.13 ohm, Super-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: Super-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.
Інші пропозиції SIHFPS37N50A-GE3 за ціною від 240.26 грн до 532.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHFPS37N50A-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @ Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5579 pF @ 25 V |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHFPS37N50A-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SPR247 500V 36A N-CH MOSFET |
на замовлення 856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHFPS37N50A-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 144A; 446W; SUPER247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 23A Pulsed drain current: 144A Power dissipation: 446W Case: SUPER247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 453 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHFPS37N50A-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHFPS37N50A-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.13 ohm, Super-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: Super-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
на замовлення 761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIHFPS37N50A-GE3 | Виробник : Vishay |
SIHFPS37N50A-GE3 |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|