![SIHF7N60E-E3 SIHF7N60E-E3](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_AB_3_SPL.jpg)
SIHF7N60E-E3 Vishay / Siliconix
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 179.58 грн |
10+ | 147.11 грн |
100+ | 96.99 грн |
250+ | 92.78 грн |
500+ | 82.94 грн |
1000+ | 71.69 грн |
2000+ | 68.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF7N60E-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHF7N60E-E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHF7N60E-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SIHF7N60E-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SIHF7N60E-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
SIHF7N60E-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
SIHF7N60E-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|
SIHF7N60E-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |