Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (335002) > Сторінка 1032 з 5584

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 558 1027 1028 1029 1030 1031 1032 1033 1034 1035 1036 1037 1116 1674 2232 2790 3348 3906 4464 5022 5580 5584  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SIHFR9024TR-GE3 VISHAY sihfr902.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -35A
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR9110TR-GE3 VISHAY SIHFR9110TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9110TRL-GE3 VISHAY SIHFR9110TRL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9120-GE3 VISHAY sihfr912.pdf SIHFR9120-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9120TR-GE3 VISHAY SIHFR9120TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9210TR-GE3 VISHAY SIHFR9210TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9214-GE3 VISHAY SIHFR9214-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9214TR-GE3 VISHAY SIHFR9214TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9220-GE3 VISHAY sihfr922.pdf SIHFR9220-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9220TR-GE3 VISHAY SIHFR9220TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9220TRL-GE3 VISHAY SIHFR9220TRL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9220TRR-GE3 VISHAY SIHFR9220TRR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9310-GE3 VISHAY sihfr931.pdf SIHFR9310-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9310TR-GE3 VISHAY sihfr931.pdf SIHFR9310TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9310TRL-GE3 VISHAY sihfr931.pdf SIHFR9310TRL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFRC20-GE3 VISHAY SIHFRC20-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFRC20TR-GE3 VISHAY sihfrc20.pdf SIHFRC20TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFS9N60A-GE3 VISHAY sihs9n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFU020-GE3 VISHAY SIHFU020-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFU024-GE3 VISHAY SIHFU024-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFU310-GE3 VISHAY sihfr310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
Case: IPAK; TO251
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFU9020-GE3 VISHAY SIHFU9020-GE3 THT P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFU9310-GE3 VISHAY SIHFU9310-GE3 THT P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFUC20-GE3 VISHAY SIHFUC20-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFZ34S-GE3 VISHAY SIHFZ34S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFZ48RS-GE3 VISHAY SIHFZ48RS-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFZ48S-GE3 VISHAY sihfz48s.pdf SIHFZ48S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHG018N60E-GE3 VISHAY sihg018n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247AC
Power dissipation: 524W
Kind of package: tube
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 228nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 325A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 63A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG039N60E-GE3 VISHAY sihg039n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 199A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG050N60E-GE3 VISHAY sihg050n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG052N60EF-GE3 VISHAY sihg052n60ef.pdf SIHG052N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHG065N60E-GE3 VISHAY sihg065n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG068N60EF-GE3 VISHAY sihg068n60ef.pdf SIHG068N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHG080N60E-GE3 VISHAY sihg080n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 96A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG100N60E-GE3 VISHAY sihg100n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG11N80AE-GE3 VISHAY sihg11n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG11N80E-GE3 VISHAY sihg11n80e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG120N60E-GE3 VISHAY sihg120n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG125N60EF-GE3 VISHAY sihg125n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: THT
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.125Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG14N50D-GE3 VISHAY sihg14n50d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; Idm: 38A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+315.28 грн
5+ 272.69 грн
6+ 200.49 грн
15+ 188.96 грн
SIHG15N80AE-GE3 VISHAY sihg15n80ae.pdf SIHG15N80AE-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHG15N80AEF-GE3 VISHAY vs-30wq06fn.pdf SIHG15N80AEF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHG16N50C-E3 VISHAY sihg16n50c.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG17N60D-GE3 VISHAY sihg17n60d.pdf SIHG17N60D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHG17N80AE-GE3 VISHAY sihg17n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG17N80AEF-GE3 VISHAY sihg17n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG17N80E-GE3 VISHAY sihg17n80e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG180N60E-GE3 VISHAY sihg180n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 VISHAY SIHG20N50C-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+215.92 грн
7+ 166.75 грн
10+ 156.14 грн
18+ 151.7 грн
25+ 146.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG20N50E-GE3 VISHAY sihg20n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG21N60EF-GE3 VISHAY sihg21n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG21N80AE-GE3 VISHAY sihg21n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 38A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG21N80AEF-GE3 VISHAY sihg21n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.3A; Idm: 37A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.3A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG22N50D-GE3 VISHAY sihg22n50d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 67A; 315W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 315W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG22N60AE-GE3 VISHAY sihg22n60ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 49A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG22N60E-GE3 VISHAY sihg22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG22N60EF-GE3 VISHAY sihg22n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG22N65E-GE3 VISHAY sihg22n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 56A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG24N65E-GE3 VISHAY sihg24n6.pdf SIHG24N65E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9024TR-GE3 sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -35A
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFR9110TR-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR9110TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9110TRL-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR9110TRL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9120-GE3 sihfr912.pdf
Виробник: VISHAY
SIHFR9120-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9120TR-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR9120TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9210TR-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR9210TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9214-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR9214-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9214TR-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR9214TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9220-GE3 sihfr922.pdf
Виробник: VISHAY
SIHFR9220-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9220TR-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR9220TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9220TRL-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR9220TRL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9220TRR-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFR9220TRR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9310-GE3 sihfr931.pdf
Виробник: VISHAY
SIHFR9310-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9310TR-GE3 sihfr931.pdf
Виробник: VISHAY
SIHFR9310TR-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFR9310TRL-GE3 sihfr931.pdf
Виробник: VISHAY
SIHFR9310TRL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFRC20-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFRC20-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFRC20TR-GE3 sihfrc20.pdf
Виробник: VISHAY
SIHFRC20TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFS9N60A-GE3 sihs9n60.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFU020-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFU020-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFU024-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFU024-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFU310-GE3 sihfr310.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
Case: IPAK; TO251
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHFU9020-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFU9020-GE3 THT P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFU9310-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFU9310-GE3 THT P channel transistors
товару немає в наявності
SIHFUC20-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFUC20-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFZ34S-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFZ34S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFZ48RS-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFZ48RS-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHFZ48S-GE3 sihfz48s.pdf
Виробник: VISHAY
SIHFZ48S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIHG018N60E-GE3 sihg018n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247AC
Power dissipation: 524W
Kind of package: tube
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 228nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 325A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 63A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG039N60E-GE3 sihg039n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 199A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG050N60E-GE3 sihg050n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG052N60EF-GE3 sihg052n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG052N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHG065N60E-GE3 sihg065n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG068N60EF-GE3 sihg068n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG068N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHG080N60E-GE3 sihg080n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 96A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG100N60E-GE3 sihg100n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG11N80AE-GE3 sihg11n80ae.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG11N80E-GE3 sihg11n80e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG120N60E-GE3 sihg120n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG125N60EF-GE3 sihg125n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: THT
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.125Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG14N50D-GE3 sihg14n50d.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; Idm: 38A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+315.28 грн
5+ 272.69 грн
6+ 200.49 грн
15+ 188.96 грн
SIHG15N80AE-GE3 sihg15n80ae.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG15N80AE-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHG15N80AEF-GE3 vs-30wq06fn.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG15N80AEF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHG16N50C-E3 sihg16n50c.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG17N60D-GE3 sihg17n60d.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG17N60D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
SIHG17N80AE-GE3 sihg17n80ae.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG17N80AEF-GE3 sihg17n80aef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG17N80E-GE3 sihg17n80e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG180N60E-GE3 sihg180n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-DTE.pdf
SIHG20N50C-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.92 грн
7+ 166.75 грн
10+ 156.14 грн
18+ 151.7 грн
25+ 146.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG20N50E-GE3 sihg20n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG21N60EF-GE3 sihg21n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG21N80AE-GE3 sihg21n80ae.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 38A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG21N80AEF-GE3 sihg21n80aef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.3A; Idm: 37A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.3A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG22N50D-GE3 sihg22n50d.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 67A; 315W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 315W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG22N60AE-GE3 sihg22n60ae.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 49A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG22N60E-GE3 sihg22n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG22N60EF-GE3 sihg22n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG22N65E-GE3 sihg22n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 56A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG24N65E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 558 1027 1028 1029 1030 1031 1032 1033 1034 1035 1036 1037 1116 1674 2232 2790 3348 3906 4464 5022 5580 5584  Наступна Сторінка >> ]