Продукція > VISHAY > SIHF730STRL-GE3

SIHF730STRL-GE3 VISHAY


Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 74W
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF730STRL-GE3 VISHAY

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W, Mounting: SMD, Case: D2PAK; TO263, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 74W, On-state resistance: 1Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 38nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 22A, Drain-source voltage: 400V, Drain current: 3.5A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SIHF730STRL-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHF730STRL-GE3 SIHF730STRL-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET
товар відсутній
SIHF730STRL-GE3 Виробник : VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 74W
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
товар відсутній