Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHFBF30S-GE3
SIHFBF30S-GE3

SIHFBF30S-GE3 Vishay Siliconix

sihbf30s.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 900V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.97 грн
10+ 101.51 грн
100+ 80.77 грн
500+ 64.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFBF30S-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CHANNEL 900V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 100V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFBF30S-GE3 за ціною від 61.51 грн до 141.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHFBF30S-GE3 SIHFBF30S-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihbf30s.pdf MOSFET MOSFET N-CHANNEL 900V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.16 грн
10+ 116.65 грн
100+ 81.15 грн
250+ 73.9 грн
500+ 69.41 грн
1000+ 61.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHFBF30S-GE3 Виробник : VISHAY sihbf30s.pdf SIHFBF30S-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIHFBF30S-GE3 SIHFBF30S-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihbf30s.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 900V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній