Продукція > VISHAY > SIHF740AL-GE3

SIHF740AL-GE3 VISHAY


Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF740AL-GE3 VISHAY

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 400V, Drain current: 6.3A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 125W, Case: I2PAK; TO262, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.55Ω, Mounting: THT, Gate charge: 36nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SIHF740AL-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHF740AL-GE3 SIHF740AL-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET
товар відсутній
SIHF740AL-GE3 Виробник : VISHAY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній