Продукція > PMV

Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED
Features: Butted Seam
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

на замовлення 4192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.35 грн
11+	29.74 грн
25+	29.1 грн
50+	26.69 грн
100+	26.04 грн
500+	25.41 грн
1000+	23.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV1-3FB-3K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

на замовлення 2755 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.81 грн
11+	31 грн
100+	26.3 грн
500+	25.58 грн
1000+	23.69 грн
3000+	17.75 грн
6000+	17.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV1-3FB-3K

Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED
Features: Butted Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV1-3FB-CY

Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED

на замовлення 35300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV1-3FB-CY

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV1-3RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.81 грн
11+	31 грн
100+	26.37 грн
500+	25.65 грн
1000+	23.69 грн
3000+	21.95 грн
9000+	21.16 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV1-3RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.760" (19.30mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

на замовлення 1267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.35 грн
11+	29.74 грн
25+	29.1 грн
50+	26.69 грн
100+	26.04 грн
500+	25.41 грн
1000+	23.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV1-3RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.760" (19.30mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

товар відсутній

PMV1-3RB-CY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV1-3RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.820" (20.83mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

на замовлення 1957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.32 грн
10+	66.87 грн
25+	65.27 грн
50+	59.75 грн
100+	56.77 грн
500+	55.28 грн
1000+	49.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV1-3RB-XY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

товар відсутній

PMV1-3RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M3

товар відсутній

PMV1-4FB-CY

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV1-4RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M4

товар відсутній

PMV1-4RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M4

товар відсутній

PMV1-5FB-3K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

товар відсутній

PMV1-5FB-3K

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV1-5FB-CY

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV1-5FB-CY

Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M5 RED
Features: Butted Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.860" (21.84mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper

товар відсутній

PMV1-5RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

товар відсутній

PMV1-5RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.880" (22.35mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV1-5RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.880" (22.35mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper

на замовлення 4710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.35 грн
11+	29.74 грн
25+	29.1 грн
50+	26.69 грн
100+	26.04 грн
500+	25.41 грн
1000+	23.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV1-5RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.910" (23.11mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.46 грн
10+	69.81 грн
25+	68.11 грн
50+	62.34 грн
100+	59.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV1-5RB-CY

Ring Tongue Terminal 18-22AWG Copper Red 23.11mm Tin Bottle

товар відсутній

PMV1-5RB-CY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV1-5RB-XY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

товар відсутній

PMV1-5RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP

товар відсутній

PMV1-6FB-CY

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV1-6RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M6

товар відсутній

PMV1-6RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M6

товар відсутній

PMV1-P10-CY

Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 0

товар відсутній

PMV1-P12B-3K

Description: CONN WIRE PIN TERM 18-20AWG

товар відсутній

PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV100ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level

товар відсутній

PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

373+	33 грн
579+	21.25 грн
585+	21.04 грн
724+	16.37 грн
1000+	11.67 грн
3000+	9.67 грн
6000+	9.58 грн

Мінімальне замовлення: 373

PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV100ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	38.16 грн
20+	30.96 грн
25+	30.64 грн
100+	19.03 грн
250+	17.44 грн
500+	13.51 грн
1000+	10.41 грн
3000+	8.98 грн
6000+	8.89 грн

Мінімальне замовлення: 16

PMV100ENEAR

товар відсутній

PMV100ENEAR

MOSFET PMV100ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 20644 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

26+	13.36 грн
33+	10.25 грн
100+	8.62 грн
3000+	7.25 грн
24000+	7.17 грн
45000+	6.74 грн
99000+	6.67 грн

Мінімальне замовлення: 26

PMV100ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1647 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.7 грн
13+	25.13 грн
100+	15.09 грн
500+	13.11 грн
1000+	8.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV100EPAR

Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 13534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.05 грн
12+	27.09 грн
100+	16.23 грн
500+	14.1 грн
1000+	9.59 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV100EPAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.4A; Idm: -9A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain current: -1.4A
On-state resistance: 276mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -9A
Drain-source voltage: -60V
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV100EPAR

MOSFET PMV100EPA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 85974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.55 грн
12+	29.66 грн
100+	14.35 грн
1000+	9.78 грн
3000+	8.48 грн
9000+	7.68 грн
24000+	7.61 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV100EPAR

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV100EPAR

Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.77 грн
6000+	9.01 грн
9000+	8.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV100EPAR

товар відсутній

PMV100EPAR

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV100EPAR

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV100XPEA,215

Description: 2.4A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV100XPEA215

Description: NEXPERIA PMV100 - P-CHANNEL MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 4.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6693+	2.9 грн

Мінімальне замовлення: 6693

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	31.41 грн
28+	21.81 грн
29+	21.55 грн
100+	8.96 грн
250+	8.22 грн
500+	7.79 грн
1000+	6.01 грн
3000+	3.43 грн

Мінімальне замовлення: 20

PMV100XPEAR

Description: NEXPERIA - PMV100XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1228+	10.01 грн
1240+	9.91 грн
1256+	9.79 грн
1629+	7.28 грн
3000+	3.85 грн

Мінімальне замовлення: 1228

PMV100XPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -10A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 187mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15000+	4.02 грн

Мінімальне замовлення: 15000

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15000+	4.34 грн
24000+	4.28 грн
30000+	4.23 грн

Мінімальне замовлення: 15000

PMV100XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.57 грн
15+	20.45 грн
100+	10.35 грн
500+	7.92 грн
1000+	5.88 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.65 грн
24000+	4.58 грн
30000+	4.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV100XPEAR

товар відсутній

PMV100XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV100XPEAR

MOSFET PMV100XPEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 91-100 дні (днів)

10+	35.42 грн
15+	23.75 грн
100+	8.62 грн
1000+	6.38 грн
3000+	5.22 грн
9000+	4.42 грн
24000+	3.98 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV10A440

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; phase sequence,phase failure; PMV
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Kind of output 1: SPDT
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 60ms
IP rating: IP20 at terminal side
Power supply: from tested wiring system
Controlled parameter range: 208...480V AC
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3043.04 грн

PMV10A440

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2535.87 грн

PMV117EN

PHILILPS

09+

на замовлення 2018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV117EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV117EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

товар відсутній

PMV117EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236AB

на замовлення 4607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3206+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 3206

PMV117EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

товар відсутній

PMV120ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV120ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.57 грн
14+	22.87 грн
100+	13.74 грн
500+	11.94 грн
1000+	8.12 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV120ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; Idm: 8.3A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8.3A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 246mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level

товар відсутній

PMV120ENEAR

MOSFET PMV120ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 32876 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.44 грн
15+	23.41 грн
100+	11.16 грн
1000+	7.97 грн
3000+	6.96 грн
9000+	6.52 грн
24000+	6.23 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV120ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	22.08 грн
34+	18.43 грн
36+	16.99 грн
100+	9.75 грн
250+	8.94 грн
500+	8.5 грн
1000+	6.18 грн
3000+	5.46 грн

Мінімальне замовлення: 28

PMV120ENEAR

товар відсутній

PMV120ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV120ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.1 A, 0.096 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 513mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	24.06 грн

Мінімальне замовлення: 34

PMV120ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PMV1216GY

Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV1216GY

Electrical Enclosures Vertical Steel Channel, Grey

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV1216GY

HAMMOND

Description: HAMMOND - PMV1216GY - POLE MOUNTING KIT, VERTICAL, STEEL
tariffCode: 0
Art des Zubehörs: Pole Mounting Kit
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: Hammond 1414 N4, Eclipse Junior, 1418 N4 & EN4SD Series Enclosures
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMK Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3033.29 грн
5+	2886.17 грн

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

611+	20.15 грн
830+	14.82 грн
898+	13.69 грн
1143+	10.37 грн
1447+	7.59 грн
3000+	6.31 грн

Мінімальне замовлення: 611

PMV130ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.5A; Idm: 8A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	28.45 грн
18+	21.43 грн
21+	18.57 грн
50+	12.15 грн
100+	10.11 грн
126+	7.01 грн
346+	6.62 грн
1500+	6.49 грн

Мінімальне замовлення: 15

PMV130ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.92 грн
6000+	6.51 грн
9000+	5.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	26.14 грн
31+	20.11 грн
33+	18.71 грн
100+	13.27 грн
250+	11.35 грн
500+	8.56 грн
1000+	6.76 грн
3000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 24

PMV130ENEAR

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	34.14 грн
11+	26.71 грн
13+	22.28 грн
50+	14.58 грн
100+	12.14 грн
126+	8.41 грн
346+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 705000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV130ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 460mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.01 грн
500+	10.19 грн
1000+	7.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV130ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.35 грн
15+	21.36 грн
100+	10.79 грн
500+	8.98 грн
1000+	6.99 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV130ENEAR

MOSFET PMV130ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 74745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.23 грн
15+	22.25 грн
100+	12.9 грн
500+	9.49 грн
1000+	7.32 грн
3000+	5.8 грн
6000+	5.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV130ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	24.79 грн
50+	17.31 грн
100+	9.83 грн
500+	7.47 грн
1500+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 33

PMV13XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV13XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.3 A, 0.011 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	24.06 грн
50+	18.53 грн
100+	12.92 грн
500+	8.08 грн
1500+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 34

PMV13XNEAR

PMV13XNEA/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV13XNEAR

MOSFET PMV13XNEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 13707 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.84 грн
15+	22.75 грн
100+	11.09 грн
1000+	7.54 грн
3000+	7.25 грн
9000+	6.3 грн
24000+	5.8 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV13XNEAR

Description: PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.3A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3046 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.43 грн
15+	20.45 грн
100+	12.29 грн
500+	10.68 грн
1000+	7.27 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV13XNEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 4.6A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Case: SOT23; TO236AB

товар відсутній

PMV13XNEAR

Description: PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.3A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV13XNEAR

товар відсутній

PMV13XNR

Description: PMV13XN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV13XNR

Description: PMV13XN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V

на замовлення 2682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.84 грн
12+	27.4 грн
100+	16.46 грн
500+	14.3 грн
1000+	9.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV15ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.29 грн
6000+	7.5 грн
15000+	7.01 грн
30000+	6.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV15ENEAR

PMV15ENEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV15ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMV15ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 70444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29 грн
14+	22.72 грн
25+	20.8 грн
100+	14.53 грн
250+	13.16 грн
500+	10.89 грн
1000+	8.04 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV15ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMV15ENEAR

MOSFETs PMV15ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 21476 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.21 грн
14+	23.83 грн
100+	11.59 грн
1000+	8.4 грн
3000+	7.25 грн
9000+	6.67 грн
24000+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV15ENER

Description: PMV15ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V

на замовлення 8074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.7 грн
12+	26.57 грн
100+	18.08 грн
500+	12.72 грн
1000+	9.54 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV15ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9000+	6.63 грн

Мінімальне замовлення: 9000

PMV15ENER

Description: PMV15ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV15ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV15ENER

MOSFET PMV15ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 14828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.05 грн
13+	26 грн
100+	15.43 грн
1000+	8.98 грн
3000+	7.54 грн
9000+	6.96 грн
24000+	6.3 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV15ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV15UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 7A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

товар відсутній

PMV15UNEAR

PMV15UNEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV15UNEAR

MOSFET PMV15UNEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 10883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.05 грн
13+	26.91 грн
100+	15.87 грн
1000+	8.98 грн
3000+	8.19 грн
9000+	7.25 грн
24000+	6.59 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV15UNEAR

Description: NEXPERIA - PMV15UNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.8 грн
500+	9.36 грн
1500+	8.5 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV15UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV15UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V SOT23

товар відсутній

PMV15UNEAR

Description: NEXPERIA - PMV15UNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	29.42 грн
50+	23.65 грн
100+	17.8 грн
500+	9.36 грн
1500+	8.5 грн

Мінімальне замовлення: 28

PMV160UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 93000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV160UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 335mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.34 грн
6000+	4.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV160UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin TO-236AB PMV160UP,215 TPMV160u
кількість в упаковці: 95 шт

на замовлення 95 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

95+	5.62 грн

Мінімальне замовлення: 95

PMV160UP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.8A; 480mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 4043 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

31+	13.17 грн
57+	6.64 грн
100+	5.96 грн
182+	4.83 грн
499+	4.6 грн

Мінімальне замовлення: 31

PMV160UP,215

на замовлення 4043 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

19+	15.8 грн
35+	8.28 грн
100+	7.15 грн
182+	5.8 грн
499+	5.52 грн

Мінімальне замовлення: 19

PMV160UP,215

MOSFETs PMV160UP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 47425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	21.98 грн
23+	15.08 грн
100+	6.01 грн
1000+	4.64 грн
3000+	4.06 грн
9000+	3.77 грн

Мінімальне замовлення: 16

PMV160UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 335mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V

на замовлення 93201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	19.59 грн
23+	13.43 грн
100+	6.77 грн
500+	5.63 грн
1000+	4.38 грн

Мінімальне замовлення: 16

PMV160UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin TO-236AB PMV160UP,215 TPMV160u
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	112.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV160UPVL

MOSFET PMV160UP/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV160UPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB

товар відсутній

PMV164ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.44 грн
6000+	4.74 грн
9000+	4.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV164ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV164ENEAR

PMV164ENEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV164ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.08 грн
21+	15.02 грн
100+	9.46 грн
500+	6.6 грн
1000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV164ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV164ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	3.92 грн

Мінімальне замовлення: 87

PMV164ENEAR

MOSFET PMV164ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 85335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.81 грн
15+	23.58 грн
100+	8.48 грн
1000+	6.23 грн
3000+	5 грн
9000+	4.35 грн
24000+	4.06 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV164ENER

Description: PMV164ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV164ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV164ENER

MOSFET PMV164ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 33659 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.21 грн
15+	23.25 грн
100+	11.45 грн
1000+	5.87 грн
3000+	5 грн
9000+	3.98 грн
24000+	3.77 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV164ENER

Description: PMV164ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V

на замовлення 4302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29 грн
16+	19.47 грн
100+	9.83 грн
500+	7.52 грн
1000+	5.58 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV164ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV16UN

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV16UN

MOSFETs

товар відсутній

PMV16UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 5.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV16UN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

762+	9.99 грн
1000+	6.44 грн
3000+	5.8 грн
6000+	5.49 грн

Мінімальне замовлення: 762

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV16XNR

Description: NEXPERIA - PMV16XNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.35 грн
500+	7.24 грн
1500+	6.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV16XNR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.35 грн
6000+	7.32 грн
9000+	6.95 грн
15000+	6.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1143+	10.76 грн
1771+	6.94 грн
3000+	6.24 грн
6000+	5.91 грн

Мінімальне замовлення: 1143

PMV16XNR

MOSFETs PMV16XN/SOT23/TO-236AB

на замовлення 94190 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.32 грн
18+	19.08 грн
100+	10.14 грн
1000+	6.67 грн
3000+	6.09 грн
9000+	5.65 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV16XNR

на замовлення 13844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	23 грн
50+	17.72 грн
100+	12.35 грн
500+	7.24 грн
1500+	6.55 грн

Мінімальне замовлення: 36

PMV16XNR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PMV16XNR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V

на замовлення 17825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.62 грн
14+	22.19 грн
100+	14.1 грн
500+	9.96 грн
1000+	8.9 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV170UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV170UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2219+	10.13 грн

Мінімальне замовлення: 2219

PMV185XN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV185XN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV185XN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V

на замовлення 260243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2219+	9.86 грн

Мінімальне замовлення: 2219

PMV19XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV19XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.79 грн
27+	30.56 грн
100+	21.54 грн
500+	18.72 грн
1000+	16.79 грн
3000+	14.28 грн

Мінімальне замовлення: 15

PMV19XNEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 3327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.35 грн
14+	23.17 грн
100+	13.93 грн
500+	12.1 грн
1000+	8.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV19XNEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV19XNEAR

MOSFET PMV19XNEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 15905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.81 грн
13+	25.83 грн
100+	12.53 грн
1000+	8.48 грн
3000+	7.1 грн
9000+	6.59 грн
45000+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV19XNEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 3.8A; Idm: 24A
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 18.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 3.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD

товар відсутній

PMV19XNEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV19XNEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV19XNEAR

товар відсутній

PMV19XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV19XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.54 грн
500+	18.72 грн
1000+	16.79 грн
3000+	14.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV19XNEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV2-35RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M3.5

товар відсутній

PMV2-3FB-3K

Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm)
Contact Material: Copper

товар відсутній

PMV2-3FB-3K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

товар відсутній

PMV2-3FB-3K

Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm)
Contact Material: Copper

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.68 грн
25+	28.05 грн
50+	25.7 грн
100+	25.09 грн
500+	24.47 грн
1000+	22.27 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV2-3FB-C

Fork Terminal 14-16AWG Copper Blue 21.34mm Tin Bottle

товар відсутній

PMV2-3FB-C

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.61 грн
10+	75.74 грн
100+	59.48 грн
500+	57.96 грн
1000+	53.25 грн
5000+	50.07 грн
10000+	48.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV2-3FB-C

Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.840" (21.34mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

на замовлення 1307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.32 грн
10+	67.4 грн
100+	60.94 грн
1000+	51.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV2-3RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

товар відсутній

PMV2-3RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M3

товар відсутній

PMV2-3RB-C

Terminals VYL-RING 1.5-2.5MM M3

на замовлення 3177 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV2-3RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M3 CRIMP

на замовлення 1785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.32 грн
10+	67.4 грн
25+	65.75 грн
50+	60.22 грн
100+	57.2 грн
500+	55.7 грн
1000+	50.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV2-3RB-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV2-3RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M3

товар відсутній

PMV2-4FB-3K

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV2-4FB-C

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV2-4RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4

товар відсутній

PMV2-4RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4

товар відсутній

PMV2-4RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4

товар відсутній

PMV2-5FB-3K

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV2-5FB-3K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

товар відсутній

PMV2-5FB-C

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV2-5FB-C

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

товар відсутній

PMV2-5RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV2-5RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

товар відсутній

PMV2-5RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.935" (23.75mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

на замовлення 1947 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.67 грн
10+	69.13 грн
25+	67.47 грн
50+	61.78 грн
100+	58.69 грн
500+	57.15 грн
1000+	51.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV2-5RB-C

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.61 грн
10+	75.74 грн
100+	59.48 грн
500+	57.96 грн
1000+	53.25 грн
5000+	50.07 грн
10000+	48.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV2-5RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP

товар відсутній

PMV2-5RB-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV2-6FB-3K

Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M6 BLU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M6 Stud
Length - Overall: 1.031" (26.20mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.441" (11.20mm)
Contact Material: Copper

товар відсутній

PMV2-6FB-C

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV2-6RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M6 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M6 Stud
Length - Overall: 1.051" (26.70mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.429" (10.90mm)
Contact Material: Copper

товар відсутній

PMV2-6RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M6

товар відсутній

PMV2-6RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M6

товар відсутній

PMV2-P10-C

Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 1

товар відсутній

PMV2-P12B-3K

Description: CONN WIRE PIN TERM 14-16AWG
Packaging: Bulk
Color: Blue
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Pin Diameter: Circular - 0.080" (2.03mm) Dia
Length - Overall: 0.890" (22.61mm)
Termination: Crimp
Length - Pin: 0.394" (10.00mm)

товар відсутній

PMV2024GY

HAMMOND

Description: HAMMOND - PMV2024GY - POLE MOUNTING KIT, VERTICAL, STEEL
tariffCode: 73269098
Art des Zubehörs: Pole Mounting Kit
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: Hammond 1418 N4 & EN4SD Series Enclosures
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMK Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3306.38 грн

PMV2024GY

Electrical Enclosure Accessories Vertical Steel Channel, Grey

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV20A240

PMV20A240 Monitoring Relays

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3765.76 грн

PMV20A575

PMV20A575 Monitoring Relays

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3277.61 грн

PMV20A600

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; phase sequence,phase failure; PMV
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Power supply: from tested wiring system
Kind of output 1: SPDT
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 380...600V AC
Contact actuation delay: 60ms
IP rating: IP20 at terminal side

товар відсутній

PMV20A600

товар відсутній

PMV20A600

Lovato Electric

Description: Phase SequeN/Ce/Phase Loss Modul
Packaging: Retail Package

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	19266.14 грн

PMV20A600-LVTO

Lovato Electric

Description: Phase SequeN/Ce/Phase Loss Modul
Packaging: Retail Package

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	19266.14 грн

PMV20EN

Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A 3-Pin TO-236AB PMV20ENR TPMV20e
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV20EN215

Description: NEXPERIA PMV20EN - SMALL SIGNAL
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 11835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

563+	21.87 грн
738+	16.66 грн
781+	15.74 грн
995+	11.92 грн
1330+	8.25 грн
3000+	7.84 грн
6000+	7.54 грн

Мінімальне замовлення: 563

PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV20ENR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 153000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.09 грн
6000+	6.67 грн
9000+	5.91 грн
30000+	5.47 грн
75000+	4.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV20ENR

MOSFET PMV20EN/SOT23/TO-236AB

на замовлення 149607 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	28.15 грн
15+	22.5 грн
100+	13.33 грн
500+	10.14 грн
1000+	7.54 грн
3000+	6.88 грн
6000+	6.45 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 11835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	8.35 грн
6000+	7.84 грн

Мінімальне замовлення: 73

PMV20ENR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.8A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2018 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	35.11 грн
12+	25.39 грн
25+	19.2 грн
50+	15.49 грн
100+	12.5 грн
130+	8.16 грн
357+	7.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV20ENR

на замовлення 2018 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	29.26 грн
19+	20.38 грн
25+	16 грн
50+	12.91 грн
100+	10.42 грн
130+	6.8 грн
357+	6.43 грн
1000+	6.19 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMV20ENR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 155879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.13 грн
14+	21.89 грн
100+	11.06 грн
500+	9.19 грн
1000+	7.16 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV20XN

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV20XN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV20XN,215

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 8397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV20XNE215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 212456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV20XNEA,215

Description: 6.3A, 20V, N CHANNEL, SILICON, M

товар відсутній

PMV20XNEAR

MOSFET PMV20XNEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 15099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.05 грн
14+	25.08 грн
100+	11.09 грн
1000+	9.13 грн
3000+	7.82 грн
9000+	7.03 грн
24000+	6.67 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV20XNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.13 грн
13+	25.13 грн
100+	17.09 грн
500+	12.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV20XNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV20XNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV20XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 460mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.54 грн

Мінімальне замовлення: 500

PMV20XNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV20XNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV20XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	6.54 грн

Мінімальне замовлення: 125

PMV20XNER

Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV20XNER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 24A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 24A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

на замовлення 3227 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	26.82 грн
21+	18.79 грн
50+	13.66 грн
89+	9.96 грн
243+	9.43 грн

Мінімальне замовлення: 16

PMV20XNER

Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.81 грн
6000+	7.72 грн
9000+	7.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV20XNER

Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	31.79 грн
27+	22.97 грн
30+	20.49 грн
100+	11.49 грн
250+	10.08 грн
500+	8.8 грн
1000+	7.86 грн
3000+	5.88 грн
6000+	4.99 грн

Мінімальне замовлення: 20

PMV20XNER

MOSFET PMV20XNE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 88713 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.68 грн
20+	17.16 грн
100+	10.22 грн
1000+	8.19 грн
3000+	6.74 грн
9000+	6.45 грн
24000+	6.23 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV20XNER

на замовлення 3227 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	32.19 грн
13+	23.42 грн
50+	16.39 грн
89+	11.95 грн
243+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV20XNER

Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V

на замовлення 9088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.19 грн
13+	23.25 грн
100+	14.82 грн
500+	10.48 грн
1000+	9.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

PMV20XNER

Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV213APW

на замовлення 5800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV213SN

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV213SN

MOSFET

товар відсутній

PMV213SN T/R

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

товар відсутній

PMV213SN,215

Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 39949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	29.99 грн
50+	24.38 грн
100+	18.69 грн
500+	14.79 грн
1500+	11.22 грн

Мінімальне замовлення: 28

PMV213SN,215

Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V

на замовлення 246000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.22 грн
9000+	10.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV213SN,215

N-Channel 100V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23) PMV213SN,215 TPMV213sn
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 1755 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 50

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.56 грн
6000+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

385+	31.95 грн
518+	23.77 грн
523+	23.54 грн
668+	17.76 грн
1000+	12.65 грн
3000+	11.26 грн
6000+	9.53 грн

Мінімальне замовлення: 385

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV213SN,215

MOSFETs PMV213SN/SOT23/TO-236AB

на замовлення 243159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.21 грн
14+	24.41 грн
100+	15.51 грн
500+	12.68 грн
1000+	10.94 грн
3000+	9.64 грн
6000+	9.13 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	25.49 грн
27+	23 грн
100+	18.59 грн
500+	14.86 грн
1000+	11.16 грн
3000+	9.27 грн

Мінімальне замовлення: 24

PMV213SN,215

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 4360 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	33.16 грн
11+	25.86 грн
50+	19.65 грн
83+	12.77 грн
227+	12.14 грн
3000+	11.68 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV213SN,215

Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V

на замовлення 254752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29 грн
13+	23.47 грн
100+	16.32 грн
500+	11.96 грн
1000+	10.37 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	34.65 грн
21+	29.98 грн
25+	29.67 грн
100+	21.28 грн
250+	19.51 грн
500+	14.66 грн
1000+	11.27 грн
3000+	10.46 грн
6000+	8.85 грн

Мінімальне замовлення: 18

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 32

PMV213SN,215

на замовлення 4360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	27.63 грн
19+	20.75 грн
50+	16.38 грн
83+	10.64 грн
227+	10.11 грн
3000+	9.74 грн

Мінімальне замовлення: 15

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.34 грн
9000+	10.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV22EN

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV22EN,215

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 994810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV22EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV230ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV230ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 900mA; Idm: 5.9A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5.9A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 441mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV230ENEAR

товар відсутній

PMV230ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.65 грн
17+	17.89 грн
100+	9 грн
500+	7.49 грн
1000+	5.83 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV230ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV230ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.77 грн
6000+	5.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV230ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV230ENEAR

MOSFETs PMV230ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 30960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.08 грн
17+	19.83 грн
100+	7.9 грн
1000+	6.16 грн
3000+	5.29 грн
9000+	4.42 грн
24000+	4.35 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV240ENEAR

Description: PMV240ENEA/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

PMV240SPR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -800mA; Idm: -5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.8A
Pulsed drain current: -5A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 840mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PMV240SPR

Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 17361 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.02 грн
11+	28.3 грн
100+	18.15 грн
500+	12.94 грн
1000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

PMV240SPR

MOSFET PMV240SP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 15970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.05 грн
12+	28 грн
100+	16.88 грн
500+	13.19 грн
1000+	10.8 грн
3000+	9.13 грн
9000+	8.48 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV240SPR

Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.99 грн
6000+	9.68 грн
9000+	9.22 грн
15000+	8.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV240SPR

Description: NEXPERIA - PMV240SPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.28 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	31.29 грн
50+	25.36 грн
100+	19.34 грн
500+	11.47 грн
1500+	10.38 грн

Мінімальне замовлення: 26

PMV240SPR

Trans MOSFET P-CH 100V 1.2A T/R

товар відсутній

PMV240SPR

товар відсутній

PMV250EPEA

NXP Semiconductors

товар відсутній

PMV250EPEA215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

товар відсутній

PMV250EPEAR

Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.83 грн
6000+	5.37 грн
9000+	4.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV250EPEAR

Description: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 57826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	23.08 грн
50+	16.99 грн
100+	10.81 грн
500+	7.33 грн
1500+	6.63 грн

Мінімальне замовлення: 36

PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV250EPEAR

Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 22753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.13 грн
14+	21.81 грн
100+	11.03 грн
500+	8.45 грн
1000+	6.27 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.7 грн
6000+	6.37 грн
9000+	5.87 грн
15000+	5.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV250EPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -1A; 890mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.89W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 4090 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

8+	37.06 грн
13+	23.14 грн
15+	18.66 грн
50+	12.59 грн
100+	10.78 грн
152+	6.98 грн
417+	6.6 грн

Мінімальне замовлення: 8

PMV250EPEAR

на замовлення 4090 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	30.89 грн
21+	18.57 грн
25+	15.55 грн
50+	10.49 грн
100+	8.98 грн
152+	5.82 грн
417+	5.5 грн
1500+	5.28 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMV250EPEAR

MOSFETs PMV250EPEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 233968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.18 грн
17+	19.75 грн
100+	8.91 грн
1000+	6.67 грн
3000+	4.56 грн
9000+	4.27 грн
24000+	4.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV250EPEAR

Description: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 60496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.81 грн
500+	7.33 грн
1500+	6.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.22 грн
6000+	5.92 грн
9000+	5.45 грн
15000+	5.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV25ENEA215

Description: PMV25E SMALL SIGNAL FET, SOT23
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV25ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV25ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV25ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 22A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 22A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV25ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PMV25ENEAR

товар відсутній

PMV25ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

913+	13.47 грн

Мінімальне замовлення: 913

PMV25ENEAR

MOSFETs PMV25ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 19060 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.57 грн
13+	26 грн
100+	13.19 грн
1000+	7.54 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV25ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

629+	12.51 грн
1000+	8.37 грн

Мінімальне замовлення: 629

PMV25ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.27 грн
12+	26.26 грн
100+	15.76 грн
500+	13.7 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV27UPEA,215

Description: 4.5A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV27UPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

459+	26.77 грн
596+	20.64 грн
601+	20.45 грн
746+	15.9 грн
1000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 459

PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV27UPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29 грн
13+	23.47 грн
100+	16.32 грн
500+	11.96 грн
1000+	9.72 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV27UPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -18A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -18A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV27UPEAR

товар відсутній

PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	28.51 грн
25+	24.86 грн
100+	18.48 грн
250+	16.95 грн
500+	13.13 грн
1000+	10.36 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMV27UPEAR

MOSFET PMV27UPEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 25139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.47 грн
13+	27.16 грн
100+	17.75 грн
500+	14.56 грн
1000+	11.3 грн
3000+	10.29 грн
6000+	9.71 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV27UPER

Description: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 490
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.42 грн
25+	32.59 грн
100+	21.78 грн
500+	16.23 грн
1000+	11.56 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMV27UPER

товар відсутній

PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV27UPER

товар відсутній

PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV27UPER

товар відсутній

PMV27UPER

Description: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 490
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.78 грн
500+	16.23 грн
1000+	11.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV27UPER

MOSFET PMV27UPE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 11377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.23 грн
12+	28.58 грн
100+	18.62 грн
500+	14.93 грн
1000+	11.52 грн
3000+	10.58 грн
6000+	10.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV27UPER

на замовлення 4737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.81 грн
11+	28.53 грн
100+	18.35 грн
500+	13.08 грн
1000+	11.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV280ENEA

NXP Semiconductors

товар відсутній

PMV280ENEA,215

Description: 1.1A, 100V, N CHANNEL, SILICON,
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV280ENEA215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	34.77 грн
23+	26.65 грн
25+	24.88 грн
100+	16.24 грн
250+	13.93 грн
500+	9.7 грн
1000+	7.44 грн
3000+	6.01 грн
6000+	5 грн

Мінімальне замовлення: 18

PMV280ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; Idm: 5A; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 5A
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 1078mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	30.07 грн
18+	22.19 грн
25+	17.74 грн
50+	14.19 грн
100+	11.32 грн
113+	7.86 грн
309+	7.44 грн
500+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMV280ENEAR

Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 34561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.48 грн
13+	23.55 грн
100+	11.89 грн
500+	9.88 грн
1000+	7.69 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9000+	6.04 грн

Мінімальне замовлення: 9000

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV280ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 580
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.64 грн
500+	11.32 грн
1000+	8.01 грн
5000+	7.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9000+	5.81 грн

Мінімальне замовлення: 9000

PMV280ENEAR

Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.62 грн
6000+	7.17 грн
9000+	6.35 грн
30000+	5.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.32 грн
6000+	6.67 грн
9000+	6.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV280ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 580
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	42.83 грн
26+	31.86 грн
100+	17.64 грн
500+	11.32 грн
1000+	8.01 грн
5000+	7.87 грн

Мінімальне замовлення: 19

PMV280ENEAR

MOSFET PMV280ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 237745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.52 грн
13+	27.33 грн
100+	14.78 грн
500+	10.14 грн
1000+	7.82 грн
3000+	7.03 грн
6000+	6.67 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV280ENEAR
Код товару: 194408

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

459+	26.79 грн
678+	18.14 грн
732+	16.8 грн
1009+	11.75 грн
1315+	8.35 грн
3000+	6.47 грн
6000+	5.39 грн

Мінімальне замовлення: 459

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV280ENEAR

на замовлення 514 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	36.09 грн
11+	27.65 грн
25+	21.28 грн
50+	17.03 грн
100+	13.58 грн
113+	9.44 грн
309+	8.92 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.36 грн
6000+	8.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV28ENEAR

MOSFET PMV28ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 31343 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.91 грн
16+	21.08 грн
100+	13.26 грн
500+	10.43 грн
1000+	7.82 грн
3000+	6.45 грн
6000+	6.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV28ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.08 грн
16+	18.94 грн
100+	11.37 грн
500+	9.88 грн
1000+	6.72 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV28ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9000+	6.09 грн

Мінімальне замовлення: 9000

PMV28ENEAR

PMV28ENEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV28ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV28ENER

Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.57 грн
13+	24 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV28ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV28ENER

MOSFET PMV28ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 5718 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.84 грн
15+	23.75 грн
100+	14.06 грн
1000+	8.19 грн
3000+	6.88 грн
9000+	6.3 грн
24000+	5.94 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV28ENER

Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV28UN

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV28UN,215

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 6399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV28UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.43 грн
15+	20.3 грн
100+	12.2 грн
500+	10.6 грн
1000+	7.21 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV28UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV28UNEAR

MOSFET PMV28UNEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/

на замовлення 17955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV28UNEAR

PMV28UNEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV28UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.34 грн
6000+	6.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV28UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	25.8 грн
32+	19.37 грн
100+	8.36 грн
250+	7.66 грн
500+	6.63 грн

Мінімальне замовлення: 24

PMV28XPEAR

PMV28XPEA/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV28XPEAR

MOSFETs PMV28XPEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 128884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.05 грн
20+	16.66 грн
100+	12.17 грн
1000+	11.81 грн
3000+	6.23 грн
9000+	5.94 грн
24000+	5.8 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV28XPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -20A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV28XPEAR

Description: NEXPERIA - PMV28XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.98 грн
500+	12.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV28XPEAR

товар відсутній

PMV28XPEAR

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	18.86 грн
50+	16.42 грн
100+	13.98 грн
500+	12.53 грн

Мінімальне замовлення: 44

PMV28XPEAR

Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.01 грн
6000+	7.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV3036GY

Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PMK Series
Accessory Type: Mounting Kit

товар відсутній

PMV3036GY

Electrical Enclosure Accessories Pole Mount Vertical Steel Channel - Steel/Gray

товар відсутній

PMV30A240

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV; SPDT
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. voltage value; phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 208...240V AC
Power supply: from tested wiring system

товар відсутній

PMV30A240

товар відсутній

PMV30A600

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV; SPDT
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. voltage value; phase failure; phase sequence
Power supply: from tested wiring system
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV30A600

товар відсутній

PMV30ENEAR

PMV30ENEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV30ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.43 грн
6000+	7.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30ENEAR

40 V N-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMV30ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.35 грн
13+	23.4 грн
100+	14.01 грн
500+	12.17 грн
1000+	8.27 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV30UN

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

товар відсутній

PMV30UN

07+ROHS SOT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV30UN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV30UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V

товар відсутній

PMV30UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V

товар відсутній

PMV30UN2

Array

товар відсутній

PMV30UN2-ML

Description: N 20V 5.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.56 грн
1000+	2.4 грн
3000+	2.24 грн
6000+	2.06 грн
15000+	2 грн
30000+	1.92 грн
75000+	1.77 грн
150000+	1.59 грн

Мінімальне замовлення: 200

PMV30UN2R

Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 30107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.95 грн
500+	7 грн
1500+	6.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV30UN2R

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V

на замовлення 137868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.13 грн
14+	22.11 грн
100+	11.13 грн
500+	9.26 грн
1000+	7.2 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

714+	10.66 грн
1000+	6.4 грн

Мінімальне замовлення: 714

PMV30UN2R

Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1248000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	5.93 грн

Мінімальне замовлення: 6000

PMV30UN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 5956 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	36.09 грн
10+	28.97 грн
12+	24 грн
50+	15.67 грн
100+	12.95 грн
142+	7.43 грн
390+	7.06 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.43 грн
6000+	4.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30UN2R

на замовлення 5956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	30.07 грн
17+	23.25 грн
19+	20 грн
50+	13.06 грн
100+	10.79 грн
142+	6.19 грн
390+	5.89 грн
2500+	5.66 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMV30UN2R

MOSFETs PMV30UN2/SOT23/TO-236AB

на замовлення 21359 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.42 грн
14+	24.41 грн
100+	10.14 грн
1000+	6.59 грн
3000+	5.87 грн
9000+	5.07 грн
24000+	4.85 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.13 грн
6000+	4.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.69 грн
6000+	4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30UN2R

на замовлення 30107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	26.82 грн
50+	19.43 грн
100+	11.95 грн
500+	7 грн
1500+	6.33 грн

Мінімальне замовлення: 31

PMV30UN2R

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V

на замовлення 132000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.41 грн
6000+	5.61 грн
9000+	5.32 грн
15000+	4.68 грн
21000+	4.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1071+	11.48 грн

Мінімальне замовлення: 1071

PMV30UN2R

Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.024 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1248000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin TO-236AB PMV30UN2R TPMV30u
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.21 грн

Мінімальне замовлення: 200

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.81 грн
6000+	4.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30UN2VL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PMV30UN2VL

MOSFETs PMV30UN2/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV30UN2VL

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV30UN2VL

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV30UN2VL

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV30UN2VL

товар відсутній

PMV30XN

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV30XN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV30XN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV30XN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV30XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.11 грн
6000+	7.49 грн
9000+	6.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30XPAR

Description: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	36.58 грн
33+	25.11 грн
100+	13.65 грн
500+	9.96 грн
1000+	6.63 грн

Мінімальне замовлення: 23

PMV30XPAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -20A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PMV30XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 22170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.57 грн
14+	22.42 грн
100+	13.47 грн
500+	11.71 грн
1000+	7.96 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV30XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV30XPAR

товар відсутній

PMV30XPAR

MOSFET PMV30XPA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 10458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.05 грн
14+	24.91 грн
100+	12.03 грн
1000+	8.19 грн
3000+	7.03 грн
9000+	6.45 грн
24000+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV30XPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -18A; 0.98W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

на замовлення 2007 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

21+	19.51 грн
26+	14.94 грн
50+	11.77 грн
85+	10.43 грн
233+	9.87 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMV30XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.19 грн
6000+	7.56 грн
9000+	6.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30XPEAR

MOSFETs PMV30XPEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 219536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	17.33 грн
25+	13.58 грн
100+	9.13 грн
1000+	7.46 грн
3000+	6.88 грн
9000+	6.67 грн

Мінімальне замовлення: 20

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV30XPEAR

на замовлення 2007 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

13+	23.41 грн
16+	18.62 грн
50+	14.13 грн
85+	12.52 грн
233+	11.84 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30XPEAR

Description: NEXPERIA - PMV30XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.028 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.38 грн
500+	8.3 грн
1500+	7.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV30XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.57 грн
14+	22.72 грн
100+	13.62 грн
500+	11.83 грн
1000+	8.04 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin TO-236AB PMV30XPEAR PMV30XPEAR PMV30XPEAR TPMV30xpear
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 250 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	10.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30XPEAR

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	18.37 грн
55+	14.87 грн
100+	11.38 грн
500+	8.3 грн
1500+	7.52 грн

Мінімальне замовлення: 45

PMV31XN

на замовлення 58400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV31XN,215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 32487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV32UP

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV32UP

MOSFET

товар відсутній

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV32UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.64 грн
6000+	12.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV32UP,215

Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	32.84 грн
50+	27.39 грн
100+	21.86 грн
500+	12.38 грн
1500+	11.22 грн

Мінімальне замовлення: 25

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	7.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.35 грн
6000+	12.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV32UP,215
Код товару: 188518

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

PMV32UP,215

MOSFETs PMV32UP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 227168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.31 грн
12+	29.75 грн
100+	15.51 грн
1000+	9.78 грн
3000+	9.71 грн
9000+	9.2 грн
45000+	9.06 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.28 грн
9000+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV32UP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 73mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 930mW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1792 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

8+	37.06 грн
50+	26.33 грн
71+	14.96 грн
195+	14.15 грн
500+	13.68 грн
1500+	13.58 грн

Мінімальне замовлення: 8

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV32UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

на замовлення 8855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.76 грн
10+	33.28 грн
100+	23.15 грн
500+	16.96 грн
1000+	13.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

PMV32UP,215

на замовлення 3130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.86 грн
500+	12.38 грн
1500+	11.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV32UP,215

на замовлення 1792 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	30.89 грн
50+	21.13 грн
71+	12.47 грн
195+	11.79 грн
500+	11.4 грн
1500+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.46 грн
9000+	10.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV32UP/MI215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV32UP/MIR

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV32UP215

Description: NOW NEXPERIA PMV32UP - SMALL SIG
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

PMV33UPE,215

MOSFET PMV33UPE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 44944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.81 грн
12+	28.5 грн
100+	18.84 грн
500+	15.72 грн
1000+	12.9 грн
3000+	11.88 грн
9000+	11.09 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV33UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.21 грн
6000+	12.07 грн
9000+	11.21 грн
30000+	10.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV33UPE,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV33UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V

на замовлення 53325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.19 грн
10+	32.23 грн
100+	22.42 грн
500+	16.42 грн
1000+	13.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

PMV35EPE-ML

Description: P -30V -5.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.56 грн
1000+	2.4 грн
3000+	2.24 грн
6000+	2.06 грн
15000+	2 грн
30000+	1.92 грн
75000+	1.77 грн
150000+	1.59 грн

Мінімальне замовлення: 200

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV35EPER

Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	31.29 грн
50+	26.25 грн
100+	21.21 грн
500+	13.21 грн
1500+	11.98 грн

Мінімальне замовлення: 26

PMV35EPER

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Gate charge: 19.2nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: -17A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	28.61 грн
25+	23.09 грн
55+	16.63 грн
150+	15.73 грн

Мінімальне замовлення: 15

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

454+	13.21 грн
1000+	11.4 грн
3000+	8.95 грн

Мінімальне замовлення: 454

PMV35EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V

на замовлення 3992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.97 грн
10+	32.83 грн
100+	22.87 грн
500+	16.75 грн
1000+	13.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

PMV35EPER

MOSFETs PMV35EPE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 4884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.94 грн
11+	30.41 грн
100+	19.56 грн
500+	15.87 грн
1000+	12.9 грн
3000+	8.4 грн
9000+	7.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

865+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 865

PMV35EPER

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	34.33 грн
25+	28.78 грн
55+	19.96 грн
150+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV35EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV35EPER

на замовлення 2773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.21 грн
500+	13.21 грн
1500+	11.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV35EPER
Код товару: 187543

Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 35 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 793/12.8

товар відсутній

PMV37EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV37EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV37EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV37EN2R

MOSFET PMV37EN2/SOT23/TO-236AB

на замовлення 44470 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.44 грн
18+	19.41 грн
100+	8.77 грн
1000+	6.23 грн
3000+	5.58 грн
9000+	4.78 грн
24000+	4.42 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV37EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

на замовлення 20377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29 грн
16+	19.77 грн
100+	10 грн
500+	8.32 грн
1000+	6.47 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV37EN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.8A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV37EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV37EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV37EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.41 грн
6000+	6.03 грн
9000+	5.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV37EN2R

товар відсутній

PMV37ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 14A
Pulsed drain current: 14A
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 2.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 106mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV37ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 29736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.22 грн
14+	22.19 грн
25+	20.29 грн
100+	14.17 грн
250+	12.84 грн
500+	10.62 грн
1000+	7.84 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV37ENEAR

60 V, N-channel Trench MOSFET

на замовлення 3175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 49

PMV37ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.08 грн
6000+	7.31 грн
15000+	6.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV37ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 12432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	24.79 грн
50+	19.1 грн
100+	13.41 грн
500+	9.21 грн
1500+	8.36 грн

Мінімальне замовлення: 33

PMV37ENEAR

товар відсутній

PMV37ENEAR

60 V, N-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMV37ENEAR

MOSFET PMV37ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 212673 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.05 грн
16+	21.33 грн
100+	11.59 грн
1000+	8.69 грн
3000+	6.81 грн
9000+	6.67 грн
24000+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV37ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV37ENER

Description: PMV37ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V

на замовлення 7913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.22 грн
15+	20.75 грн
100+	12.45 грн
500+	10.83 грн
1000+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV37ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV37ENER

MOSFET PMV37ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 17587 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.44 грн
14+	24.91 грн
100+	14.85 грн
1000+	8.62 грн
3000+	7.25 грн
9000+	6.67 грн
24000+	6.23 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV37ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV37ENER

Description: PMV37ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.5 грн
6000+	6.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV37ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9000+	6.35 грн

Мінімальне замовлення: 9000

PMV40A240

PMV40A240 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV40A575

PMV40A575 Monitoring Relays

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	6992.65 грн

PMV40A600

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; phase sequence,phase failure
Type of module: voltage monitoring relay
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Manufacturer series: PMV
Controlled parameter: phase failure; phase sequence
Leads: screw terminals
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Contact actuation delay: 0.1...20s
Kind of output 1: SPDT
Power supply: from tested wiring system

товар відсутній

PMV40A600

товар відсутній

PMV40UN

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

товар відсутній

PMV40UN

на замовлення 58400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV40UN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 30 V

товар відсутній

PMV40UN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV40UN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 30 V

товар відсутній

PMV40UN2

Description: PMV40UN2 - 30 V, N-CHANNEL TRENC
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV40UN2

NXP Semiconductors

товар відсутній

PMV40UN2,215

Description: NEXPERIA, PMV40UN2 - 30V, N-CHAN
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV40UN2215

Description: NOW NEXPERIA PMV40UN2 - SMALL SI
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV40UN2R

Description: NEXPERIA - PMV40UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 34598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	18.94 грн
56+	14.71 грн
100+	10.4 грн
500+	7.04 грн
1500+	6.37 грн

Мінімальне замовлення: 43

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.39 грн
6000+	6.38 грн
15000+	4.7 грн
30000+	4.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV40UN2R

MOSFETs PMV40UN2/SOT23/TO-236AB

на замовлення 309591 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.32 грн
19+	17.58 грн
100+	8.19 грн
1000+	6.38 грн
3000+	4.85 грн
9000+	4.56 грн
45000+	4.49 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV40UN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V

на замовлення 401868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.22 грн
16+	19.17 грн
100+	9.68 грн
500+	8.05 грн
1000+	6.26 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 168000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV40UN2R
Код товару: 175226

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

PMV40UN2R

Transistor N-MOSFET; 30V; 12V; 78mOhm; 3,7A; 1W; -55°C ~ 150°C; Substitute: PMV40UN; PMV40UN,215; PMV40UN2R; PMV40UN215; PMV40UN2R TPMV40u
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	5.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV40UN2R

на замовлення 34598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.4 грн
500+	7.04 грн
1500+	6.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV40UN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2119 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	24.38 грн
25+	15.4 грн
50+	9.74 грн
100+	8.68 грн
162+	5.43 грн
444+	5.13 грн

Мінімальне замовлення: 17

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.84 грн
6000+	6.76 грн
15000+	4.98 грн
30000+	4.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV40UN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V

на замовлення 393000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.2 грн
6000+	5.84 грн
9000+	5.17 грн
30000+	4.79 грн
75000+	4.07 грн
150000+	4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.44 грн
6000+	7.28 грн
15000+	5.37 грн
30000+	5.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV40UN2R

на замовлення 2119 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	29.26 грн
15+	19.19 грн
50+	11.68 грн
100+	10.42 грн
162+	6.52 грн
444+	6.16 грн
9000+	5.98 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV41XPAR

Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PMV41XPAR

Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2084 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.22 грн
15+	20.98 грн
100+	12.55 грн
500+	10.91 грн
1000+	7.42 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV41XPAR

MOSFET MOSFET PMV41XPA/SOT23

на замовлення 9773 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.21 грн
13+	25.75 грн
100+	15.29 грн
1000+	8.91 грн
3000+	7.46 грн
9000+	6.59 грн
24000+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV4248GY

Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV4248GY

Electrical Enclosures Vertical Steel Channel

товар відсутній

PMV42ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV42ENER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 18A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 9nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 18A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV42ENER

товар відсутній

PMV42ENER

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V

на замовлення 8529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.65 грн
16+	20 грн
100+	12.02 грн
500+	10.44 грн
1000+	7.1 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV42ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV42ENER

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.23 грн
6000+	6.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV42ENER

MOSFETs PMV42ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 71811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.84 грн
15+	22.83 грн
100+	11.09 грн
1000+	7.54 грн
3000+	6.59 грн
9000+	5.94 грн
24000+	5.87 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV450ENEA

Array

товар відсутній

PMV450ENEA215

Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD-
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3371+	3.65 грн

Мінімальне замовлення: 3371

PMV450ENEAR

MOSFETs PMV450ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 11048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	26.71 грн
21+	16.25 грн
100+	6.45 грн
1000+	4.42 грн
3000+	3.55 грн
9000+	2.97 грн
24000+	2.9 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV450ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 42722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	23.51 грн
20+	15.55 грн
100+	7.57 грн
500+	5.93 грн
1000+	4.12 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMV450ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

46+	18.04 грн
63+	12.92 грн
105+	7.8 грн
500+	4.65 грн
1500+	4.21 грн

Мінімальне замовлення: 46

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 13103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1773+	4.01 грн
3000+	3.71 грн
6000+	3.42 грн

Мінімальне замовлення: 1773

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 13103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2847+	4.32 грн

Мінімальне замовлення: 2847

PMV450ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.95 грн
6000+	3.53 грн
9000+	2.93 грн
30000+	2.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV450ENEAR

на замовлення 1715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.92 грн
105+	7.8 грн
500+	4.65 грн
1500+	4.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.39 грн
9000+	2.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV45EM

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV45EN

07+ SOP16

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV45EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV45EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

товар відсутній

PMV45EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

товар відсутній

PMV45EN2

Array

товар відсутній

PMV45EN2-ML

Description: N 30V 5.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.56 грн
1000+	2.4 грн
3000+	2.24 грн
6000+	2.06 грн
15000+	2 грн
30000+	1.92 грн
75000+	1.77 грн
150000+	1.59 грн

Мінімальне замовлення: 200

PMV45EN2215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

товар відсутній

PMV45EN2R

Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.22 грн
500+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV45EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

на замовлення 45972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.78 грн
14+	22.26 грн
100+	13.34 грн
500+	11.59 грн
1000+	7.88 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV45EN2R
Код товару: 187508

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.88 грн
9000+	5.35 грн
24000+	5.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV45EN2R

MOSFETs PMV45EN2/SOT23/TO-236AB

на замовлення 35369 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.68 грн
15+	23.75 грн
100+	12.32 грн
1000+	7.68 грн
3000+	6.23 грн
9000+	5.94 грн
24000+	5.43 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.41 грн
9000+	5.76 грн
24000+	5.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV45EN2R

на замовлення 1451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	26.82 грн
50+	20.56 грн
100+	14.22 грн
500+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 31

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3-Pin TO-236AB PMV45EN2R TPMV45e
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.1 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV45EN2R

Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 99000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	6.8 грн

Мінімальне замовлення: 6000

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

604+	12.59 грн
1000+	7.55 грн

Мінімальне замовлення: 604

PMV45EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.03 грн
6000+	7.41 грн
9000+	6.67 грн
30000+	6.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

907+	13.56 грн

Мінімальне замовлення: 907

PMV45EN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1115mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 5957 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	32.19 грн
12+	24.08 грн
50+	16.39 грн
100+	14.04 грн
146+	7.25 грн
401+	6.86 грн
6000+	6.61 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV45EN2R

на замовлення 5957 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	26.82 грн
20+	19.32 грн
50+	13.66 грн
100+	11.7 грн
146+	6.05 грн
401+	5.71 грн

Мінімальне замовлення: 16

PMV45EN2VL

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV45EN2VL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

PMV45EN2VL

Description: NEXPERIA - PMV45EN2VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.042 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.115W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.34 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMV45EN2VL

Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV45EN2VL

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV45EN2VL

товар відсутній

PMV45EN2VL

MOSFETs PMV45EN2/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV48XP

MOSFETs

товар відсутній

PMV48XP
Код товару: 143394

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.84 грн
6000+	10.22 грн
9000+	9.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

Description: NEXPERIA - PMV48XP,215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

MOSFETs PMV48XP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 77941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.91 грн
11+	32.25 грн
100+	15.22 грн
1000+	12.24 грн
3000+	9.49 грн
9000+	8.98 грн
24000+	8.33 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV48XP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A; 930mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2075 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	34.95 грн
30+	24.08 грн
50+	21.06 грн
60+	20 грн
71+	12.41 грн
195+	11.74 грн
500+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.09 грн
6000+	10.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

457+	16.13 грн
500+	15.98 грн
1000+	12.86 грн
3000+	11.64 грн
6000+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 457

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.06 грн
6000+	9.49 грн
9000+	8.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

Description: NEXPERIA - PMV48XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 9661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.78 грн
500+	13.51 грн
1500+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV48XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 11468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.84 грн
11+	30.04 грн
100+	20.88 грн
500+	15.3 грн
1000+	12.44 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.02 грн
9000+	11.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

Description: NEXPERIA - PMV48XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.16 грн
9000+	10.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

на замовлення 2075 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	41.94 грн
30+	30 грн
50+	25.27 грн
60+	24 грн
71+	14.9 грн
195+	14.08 грн
500+	13.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

708+	17.37 грн

Мінімальне замовлення: 708

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.21 грн
6000+	9.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

на замовлення 15356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	36.66 грн
50+	27.72 грн
100+	18.78 грн
500+	13.51 грн
1500+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 23

PMV48XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.3 грн
6000+	11.24 грн
9000+	10.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP/MI215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

товар відсутній

PMV48XP/MIR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV48XP/ZLR

Description: PMV48XP/ZLR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV48XPA215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

товар відсутній

PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	10.07 грн
1000+	7.04 грн
3000+	6.14 грн

Мінімальне замовлення: 61

PMV48XPA2R

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	24.3 грн
17+	18.26 грн
100+	10.92 грн
500+	9.49 грн
1000+	6.45 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV48XPA2R

Description: NEXPERIA - PMV48XPA2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	21.13 грн
50+	16.42 грн
100+	11.62 грн
500+	7.4 грн

Мінімальне замовлення: 39

PMV48XPA2R

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV48XPA2R

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.57 грн
6000+	6.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 58

PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1123+	10.95 грн
1606+	7.65 грн
3000+	6.67 грн

Мінімальне замовлення: 1123

PMV48XPA2R

MOSFETs PMV48XPA2/SOT23/TO-236AB

на замовлення 102728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	27.56 грн
18+	18.83 грн
100+	9.85 грн
1000+	6.88 грн
3000+	5.94 грн
9000+	5.36 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV48XPA2R

товар відсутній

PMV48XPA2R

на замовлення 1368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.62 грн
500+	7.4 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV48XPAR

Description: NEXPERIA - PMV48XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.76 грн
500+	17.13 грн
1000+	9.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.36 грн
9000+	11.08 грн
24000+	10.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

PMV48XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.05 грн
11+	29.43 грн
100+	20.47 грн
500+	15 грн
1000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV48XPAR

MOSFETs PMV48XPA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 19981 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.7 грн
11+	31 грн
100+	19.49 грн
500+	15.65 грн
1000+	12.97 грн
3000+	11.16 грн
6000+	10.07 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV48XPAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level

товар відсутній

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 6594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

426+	28.86 грн
566+	21.72 грн
572+	21.5 грн
590+	20.11 грн
1000+	18.06 грн
3000+	16.79 грн
6000+	16.24 грн

Мінімальне замовлення: 426

PMV48XPAR

на замовлення 1220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.99 грн
25+	33.49 грн
100+	22.76 грн
500+	17.13 грн
1000+	9.96 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

571+	13.32 грн
1000+	11.88 грн
3000+	10.6 грн

Мінімальне замовлення: 571

PMV48XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.34 грн
9000+	12.04 грн
24000+	11.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 6594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	31.85 грн
23+	27.11 грн
25+	26.8 грн
100+	19.45 грн
250+	17.82 грн
500+	16.6 грн
1000+	16.1 грн
3000+	15.59 грн
6000+	15.08 грн

Мінімальне замовлення: 20

PMV48XPAR

товар відсутній

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

857+	14.35 грн

Мінімальне замовлення: 857

PMV48XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV48XPVL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

PMV48XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV48XPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV48XPVL

MOSFETs PMV48XP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 8594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.91 грн
11+	32.66 грн
100+	19.42 грн
1000+	10.94 грн
2500+	10 грн
10000+	7.1 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV48XPVL

товар відсутній

PMV50A240

PMV50A240 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV50A575

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV; SPDT
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value; phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 380...575V AC
Power supply: from tested wiring system

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	7307.68 грн

PMV50A575

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV; SPDT
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value; phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 380...575V AC
Power supply: from tested wiring system
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	8769.22 грн

PMV50A600

PMV50A600 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV50ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.35 грн
13+	23.47 грн
100+	14.1 грн
500+	12.25 грн
1000+	8.33 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV50ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 5.5A
Pulsed drain current: 5.5A
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 2.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD

товар відсутній

PMV50ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV50ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV50ENEAR

MOSFET PMV50ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 30525 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.81 грн
13+	26.08 грн
100+	12.68 грн
1000+	8.62 грн
3000+	7.17 грн
9000+	6.59 грн
24000+	6.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV50ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	27.81 грн
30+	20.42 грн
31+	20.25 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMV50ENEAR

товар відсутній

PMV50ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV50EPEAR

MOSFET PMV50EPEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 115502 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.68 грн
16+	21.91 грн
100+	12.17 грн
1000+	7.46 грн
3000+	6.67 грн
9000+	6.23 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV50EPEAR

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

на замовлення 11330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	30.35 грн
28+	22.4 грн
30+	20.53 грн
100+	9.48 грн
250+	8.5 грн
500+	7.95 грн
1000+	6.1 грн
3000+	5.39 грн
6000+	4.59 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMV50EPEAR

Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.4 грн
14+	22.87 грн
100+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV50EPEAR

Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PMV50EPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PMV50EPEAR

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

товар відсутній

PMV50EPEAR

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV50NA240

PMV50NA240 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV50NA440

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value; neutral cable break; phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Kind of output 1: DPDT
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
IP rating: IP20 at terminal side
Power supply: from tested wiring system
Controlled parameter range: 380...440V AC
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV50NA440

товар відсутній

PMV50NA600

PMV50NA600 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV50UN

на замовлення 1487 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV50UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V

на замовлення 5090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.92 грн
16+	19.4 грн
100+	12.27 грн
500+	8.63 грн
1000+	7.69 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV50UPE,215

Description: NEXPERIA - PMV50UPE,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 955mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.01 грн
30+	27.96 грн
100+	11.46 грн
500+	8.75 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMV50UPE,215

MOSFET PMV50UPE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 14925 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.42 грн
13+	27.08 грн
100+	14.64 грн
1000+	7.68 грн
3000+	6.96 грн
9000+	5.94 грн
24000+	5.58 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV50UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV50UPE,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2A; Idm: -12.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12.8A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV50UPE,215

товар відсутній

PMV50UPE215

Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD-

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV50UPEVL

MOSFET PMV50UPE/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV50UPEVL

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23

товар відсутній

PMV50UPEVL

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV50XNEAR

PMV50XNEA/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV50XNEAR

Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.29 грн
6000+	5.92 грн
9000+	5.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV50XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.24 грн
500+	7.12 грн
1500+	6.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV50XNEAR

PMV50XNEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV50XNEAR

Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.22 грн
16+	19.47 грн
100+	9.8 грн
500+	8.16 грн
1000+	6.35 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV50XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	23.08 грн
50+	16.66 грн
100+	10.24 грн
500+	7.12 грн
1500+	6.44 грн

Мінімальне замовлення: 36

PMV50XNEAR

MOSFET PMV50XNEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 26601 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.19 грн
16+	21.66 грн
100+	9.49 грн
500+	8.4 грн
1000+	6.59 грн
3000+	5.8 грн
6000+	5.65 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV50XP215

Description: P-CHANNEL MOSFET

на замовлення 1464000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV50XPAR

MOSFETs MOS DISCRETES

на замовлення 6976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.21 грн
14+	24.66 грн
100+	11.95 грн
1000+	8.11 грн
3000+	7.39 грн
9000+	6.38 грн
24000+	6.3 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV50XPAR

Description: PMV50XPA/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

на замовлення 1968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29 грн
14+	21.59 грн
100+	12.91 грн
500+	11.22 грн
1000+	7.63 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV50XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9000+	7.06 грн

Мінімальне замовлення: 9000

PMV50XPAR

Description: PMV50XPA/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

товар відсутній

PMV50XPR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.3A; Idm: -14.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14.5A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2094 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	28.67 грн
25+	17.12 грн
94+	11.13 грн
258+	10.53 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV50XPR

MOSFET PMV50XP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 104201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.44 грн
16+	21.58 грн
100+	11.38 грн
1000+	8.04 грн
3000+	6.59 грн
9000+	6.16 грн
24000+	6.01 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.66 грн
9000+	8.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV50XPR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

на замовлення 5158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.43 грн
15+	20.6 грн
100+	12.38 грн
500+	10.75 грн
1000+	7.31 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.61 грн
9000+	6.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV50XPR

на замовлення 2094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	23.9 грн
28+	13.74 грн
94+	9.28 грн
258+	8.77 грн

Мінімальне замовлення: 18

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.83 грн
9000+	8.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV50XPR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV52ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 13A
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 3.3nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 13A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 124mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

PMV52ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV52ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMV52ENEAR

товар відсутній

PMV52ENEAR

MOSFET PMV52ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 6693 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.08 грн
15+	22.5 грн
100+	10.94 грн
1000+	7.39 грн
3000+	6.45 грн
9000+	5.87 грн
24000+	5.72 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV52ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV52ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.08 грн
16+	18.94 грн
100+	11.37 грн
500+	9.89 грн
1000+	6.72 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV52ENER

Description: NEXPERIA - PMV52ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 630mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.5 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9000+	6.1 грн

Мінімальне замовлення: 9000

PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV52ENER

Description: PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V

на замовлення 1838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.43 грн
15+	20.53 грн
100+	12.35 грн
500+	10.73 грн
1000+	7.3 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV52ENER

MOSFET PMV52ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 5658 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.84 грн
14+	23.91 грн
100+	14.2 грн
1000+	8.26 грн
3000+	6.96 грн
9000+	6.38 грн
24000+	5.87 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 8737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	26.46 грн
30+	20.34 грн
33+	18.65 грн
100+	11.03 грн
250+	9.82 грн
500+	9.32 грн
1000+	6.29 грн
3000+	5.82 грн
6000+	5.44 грн

Мінімальне замовлення: 24

PMV52ENER

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	34.54 грн
30+	27.23 грн
100+	16.5 грн

Мінімальне замовлення: 24

PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 8737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1799+	6.83 грн

Мінімальне замовлення: 1799

PMV52ENER

Description: PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV55A240

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; monitor min.or max.voltage value
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value
Controlled parameter range: 208...480V AC
Power supply: from tested wiring system
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	7399.85 грн

PMV55A240

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6166.54 грн

PMV55A440

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; monitor min.or max.voltage value
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value
Controlled parameter range: 380...440V AC
Power supply: from tested wiring system

товар відсутній

PMV55A440

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; monitor min.or max.voltage value
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value
Controlled parameter range: 380...440V AC
Power supply: from tested wiring system
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV55ENEA

товар відсутній

PMV55ENEA,215

Description: 3.1A, 60V, N CHANNEL, SILICON, M

товар відсутній

PMV55ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV55ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV55ENEAR

PMV55ENEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV55ENEAR

MOSFETs PMV55ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 400640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	25.19 грн
17+	19.66 грн
100+	10.94 грн
1000+	8.4 грн
3000+	7.46 грн
9000+	7.1 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMV55ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV55ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV55ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.13 грн
13+	24.15 грн
100+	14.48 грн
500+	12.58 грн
1000+	8.55 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV56XN

на замовлення 52600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV56XN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 3.76A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV56XN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 3.76A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV56XN215

nxp

10+

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV6-35RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3.5

товар відсутній

PMV6-3R-L

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

на замовлення 1844 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.67 грн
10+	92.49 грн
50+	72.45 грн
100+	70.06 грн
2500+	65.21 грн
5000+	62.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

PMV6-3R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 1.026" (26.06mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.35 грн
10+	84.23 грн
25+	82.05 грн
50+	74.96 грн
100+	72.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

PMV6-3R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP

товар відсутній

PMV6-3R-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

товар відсутній

PMV6-3RB-2K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

товар відсутній

PMV6-3RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M3

товар відсутній

PMV6-4F-L

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV6-4FB-2K

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV6-4R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4

товар відсутній

PMV6-4R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4

товар відсутній

PMV6-4RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4

товар відсутній

PMV6-5F-L

Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.040" (26.42mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.380" (9.65mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.92 грн
10+	85.74 грн
25+	83.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

PMV6-5F-L

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 2

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.9 грн
10+	93.32 грн
50+	70.79 грн
100+	68.03 грн
500+	67.38 грн
1000+	64.34 грн
2500+	63.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

PMV6-5F-L

Fork Terminal 10-12AWG Copper Yellow 26.42mm Tin Bottle

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV6-5FB-2K

Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.020" (25.91mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.382" (9.70mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Obsolete

товар відсутній

PMV6-5FB-2K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 4

товар відсутній

PMV6-5R-L

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

на замовлення 648 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.9 грн
10+	89.15 грн
50+	71.44 грн
100+	70.06 грн
250+	69.41 грн
500+	68.03 грн
1000+	66.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

товар відсутній

PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

товар відсутній

PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	115.03 грн
115+	107.6 грн
200+	105.68 грн
400+	94.37 грн

Мінімальне замовлення: 107

PMV6-5R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.067" (27.10mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.374" (9.50mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

на замовлення 587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.48 грн
10+	87.4 грн
25+	85.19 грн
50+	77.83 грн
100+	75.73 грн
500+	73.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

товар відсутній

PMV6-5R-X

товар відсутній

PMV6-5R-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

товар відсутній

PMV6-5RB-2K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

товар відсутній

PMV6-5RB-2K

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 26.7mm Tin T/R

товар відсутній

PMV6-5RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.030" (0.76mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.050" (26.67mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.370" (9.40mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Obsolete

товар відсутній

PMV6-6F-L

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV6-6FB-2K

Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M6 YEL

товар відсутній

PMV6-6R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M6

товар відсутній

PMV6-6R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M6 CRIMP

товар відсутній

PMV6-6RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M6

товар відсутній

PMV6-8R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M8 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M8 Stud
Length - Overall: 1.235" (31.37mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.519" (13.18mm)
Contact Material: Copper

товар відсутній

PMV6-8R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M8

товар відсутній

PMV6-8RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M8

товар відсутній

PMV6-P10-L

Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 4

товар відсутній

PMV60EN

2003 SOT-23

на замовлення 93 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV60EN

MOSFETs

товар відсутній

PMV60EN T/R

MOSFETs TAPE13 PWR-MOS

товар відсутній

PMV60EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV60EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

товар відсутній

PMV60EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

товар відсутній

PMV60EN,215

MOSFETs N-CH TRENCH 30V

товар відсутній

PMV60ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV60ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 615mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 615mW
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2051 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.03 грн
500+	7.18 грн
1500+	6.5 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV60ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV60ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

686+	11.02 грн
1000+	6.24 грн

Мінімальне замовлення: 686

PMV60ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 32829 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.08 грн
16+	19.09 грн
100+	11.46 грн
500+	9.96 грн
1000+	6.77 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV60ENEAR

MOSFETs PMV60ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 92059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.32 грн
18+	19.08 грн
100+	10.36 грн
1000+	6.88 грн
3000+	6.23 грн
9000+	5.65 грн
24000+	5.58 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV60ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV60ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 615mW
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2051 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	21.46 грн
50+	16.74 грн
100+	12.03 грн
500+	7.18 грн
1500+	6.5 грн

Мінімальне замовлення: 38

PMV60ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV60ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 2.1A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 143mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV60ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1036+	11.86 грн

Мінімальне замовлення: 1036

PMV60ENEAR

товар відсутній

PMV60ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.9 грн
6000+	6.37 грн
9000+	5.73 грн
30000+	5.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV60ENROSH

на замовлення 2509 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV62XN,215

Description: MOSFET N-CH SOT-23

товар відсутній

PMV62XN215

Description: SMALL SIGNAL FET
Packaging: Bulk

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6662+	3.57 грн

Мінімальне замовлення: 6662

PMV65

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV65ENEA,215

Description: 2.7A, 40V, N CHANNEL, SILICON, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65ENEAR

MOSFET PMV65ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 867 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.31 грн
12+	30 грн
100+	14.49 грн
1000+	9.93 грн
3000+	8.62 грн
9000+	7.82 грн
24000+	7.68 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.7A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level

товар відсутній

PMV65ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.7 грн
12+	25.43 грн
100+	15.27 грн
500+	13.26 грн
1000+	9.02 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV65ENEAR

товар відсутній

PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 183 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV65UN,215

MOSFET N-Chan 20V 2A

на замовлення 1784 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV65UN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65UNE,215

Description: 2.8A, 20V, N CHANNEL MOSFET, TO
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV65UNE-ML

Description: N 20V 3.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.53 грн
1000+	2.38 грн
3000+	2.22 грн
6000+	2.04 грн
15000+	1.98 грн
30000+	1.9 грн
75000+	1.75 грн
150000+	1.58 грн

Мінімальне замовлення: 200

PMV65UNEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

PMV65UNEAR

товар відсутній

PMV65UNEAR

MOSFET PMV65UNEA/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV65UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PMV65UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PMV65UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65UNER

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

470+	16.17 грн
500+	16.1 грн
1000+	16.02 грн
3000+	15.38 грн
6000+	14.17 грн

Мінімальне замовлення: 470

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV65UNER

Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.59 грн
500+	7.24 грн
1000+	5.13 грн
5000+	4.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

603+	5.28 грн

Мінімальне замовлення: 603

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65UNER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

на замовлення 13725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	24.38 грн
22+	17.21 грн
29+	13.43 грн
100+	8.68 грн
131+	6.77 грн
359+	6.4 грн
500+	6.19 грн

Мінімальне замовлення: 17

PMV65UNER

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.22 грн
19+	16.68 грн
100+	10.54 грн
500+	7.37 грн
1000+	6.56 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

706+	17.42 грн
709+	17.34 грн
1000+	17.25 грн
3000+	16.56 грн
6000+	15.26 грн

Мінімальне замовлення: 706

PMV65UNER

на замовлення 13725 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	29.26 грн
14+	21.44 грн
25+	16.12 грн
100+	10.42 грн
131+	8.12 грн
359+	7.68 грн
500+	7.43 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV65UNER

на замовлення 5633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	30.48 грн
37+	22.43 грн
100+	9.59 грн
500+	7.24 грн
1000+	5.13 грн
5000+	4.94 грн

Мінімальне замовлення: 27

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65UNER

MOSFET PMV65UNE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 10683 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	27.56 грн
17+	20.33 грн
100+	8.11 грн
1000+	6.23 грн
3000+	5.29 грн
9000+	5.14 грн
24000+	4.78 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV65XP

PHILIPS

06+ SOT-23

на замовлення 351001 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV65XP

09+ SOP14

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV65XP

PHILIPS

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV65XP

MOSFETs

товар відсутній

PMV65XP

PHILIPS

09+

на замовлення 15148 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV65XP

SOT23

на замовлення 4650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3304+	3.72 грн

Мінімальне замовлення: 3304

PMV65XP,215

MOSFETs PMV65XP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 65847 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.05 грн
15+	22.83 грн
100+	8.84 грн
1000+	6.59 грн
3000+	5.07 грн
9000+	4.49 грн
24000+	4.27 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV65XP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 833mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	21.94 грн
25+	15.25 грн
31+	12.3 грн
50+	10.19 грн
100+	8.45 грн
168+	5.26 грн
461+	4.97 грн

Мінімальне замовлення: 19

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

на замовлення 243000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.46 грн
6000+	6.08 грн
9000+	5.39 грн
30000+	4.99 грн
75000+	4.24 грн
150000+	4.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

794+	9.31 грн
1000+	7.46 грн
3000+	5.05 грн

Мінімальне замовлення: 794

PMV65XP,215

на замовлення 570 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	26.33 грн
15+	19 грн
25+	14.76 грн
50+	12.23 грн
100+	10.14 грн
168+	6.31 грн
461+	5.97 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1218+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 1218

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

на замовлення 245777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.78 грн
16+	20 грн
100+	10.08 грн
500+	8.38 грн
1000+	6.52 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5 грн
9000+	4.94 грн
24000+	4.79 грн
45000+	3.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin TO-236AB PMV65XP,215 TPMV65x
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 200

PMV65XP,215

Description: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.058 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.89 грн
9000+	7.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XP,215 транзистор
Код товару: 58607

Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 744/7,7
Монтаж: SMD

товар відсутній

PMV65XP/MI215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV65XP/MIR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 4.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

товар відсутній

PMV65XP/MIR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65XP1215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV65XPE

товар відсутній

PMV65XPE215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV65XPEA,215

Description: 2.8A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV65XPEA215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PMV65XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 161226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.35 грн
13+	23.55 грн
100+	14.14 грн
500+	12.28 грн
1000+	8.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XPEAR

Description: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.12 грн
500+	10.72 грн
1000+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XPEAR

MOSFETs PMV65XPEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 18199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.57 грн
13+	26.08 грн
100+	11.3 грн
1000+	8.19 грн
3000+	6.88 грн
9000+	6.59 грн
24000+	6.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -120mA
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1709 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	36.09 грн
10+	28.78 грн
50+	19.74 грн
85+	12.55 грн
232+	11.86 грн
500+	11.41 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV65XPEAR

на замовлення 1954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.18 грн
27+	30.15 грн
100+	15.12 грн
500+	10.72 грн
1000+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMV65XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 159000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.51 грн
6000+	7.85 грн
9000+	7.07 грн
30000+	6.53 грн
75000+	6.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

853+	8.59 грн
1000+	6.93 грн

Мінімальне замовлення: 853

PMV65XPEAR

на замовлення 1709 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	30.07 грн
17+	23.09 грн
50+	16.45 грн
85+	10.46 грн
232+	9.89 грн
500+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1342+	9.16 грн

Мінімальне замовлення: 1342

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12000+	7.76 грн

Мінімальне замовлення: 12000

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12000+	5.54 грн

Мінімальне замовлення: 12000

PMV65XPER

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2840 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	28.28 грн
14+	21.26 грн
50+	14.67 грн
100+	12.77 грн
108+	9.87 грн
297+	9.33 грн
1500+	8.97 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV65XPER

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.43 грн
15+	20.53 грн
100+	12.34 грн
500+	10.72 грн
1000+	7.29 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23

на замовлення 4395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

688+	11.46 грн
1000+	8.03 грн
3000+	5.37 грн

Мінімальне замовлення: 688

PMV65XPER

Description: NEXPERIA - PMV65XPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.03 грн
500+	8.08 грн
1500+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV65XPER

на замовлення 2840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	23.57 грн
23+	17.06 грн
50+	12.23 грн
100+	10.64 грн
108+	8.23 грн
297+	7.77 грн
1500+	7.47 грн

Мінімальне замовлення: 18

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XPER

на замовлення 4974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	22.51 грн
50+	17.31 грн
100+	12.03 грн
500+	8.08 грн
1500+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 37

PMV65XPER

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23

на замовлення 4395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

996+	12.35 грн

Мінімальне замовлення: 996

PMV65XPER

MOSFETs PMV65XPE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 10631 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.84 грн
17+	20.75 грн
100+	10.87 грн
1000+	7.61 грн
3000+	6.3 грн
9000+	5.65 грн
24000+	5.29 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV65XPVL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PMV65XPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

товар відсутній

PMV65XPVL

MOSFETs PMV65XP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 25172 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.05 грн
15+	22.83 грн
100+	8.91 грн
1000+	6.23 грн
2500+	5.36 грн
10000+	4.35 грн
20000+	4.2 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV65XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20000+	6.52 грн

Мінімальне замовлення: 20000

PMV65XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20000+	3.75 грн

Мінімальне замовлення: 20000

PMV65XPVL

товар відсутній

PMV65XPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

на замовлення 3776 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.78 грн
16+	20 грн
100+	10.08 грн
500+	8.38 грн
1000+	6.52 грн
2000+	5.84 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV6DW1BBLK

Pushbutton Switches Anti-vandal Pushbutton SPST 2A, 24DC

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1384.58 грн
10+	1248.15 грн
25+	1065.79 грн
50+	991.16 грн

PMV6DW1BBLK

PMV6DW1BBLK Push Button Switches

товар відсутній

PMV6DW1BBLK

Description: SWITCH PB SPST 2A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 2A (DC)
Mounting Type: Panel Mount, Front
Circuit: SPST
Type: Anti-Vandal
Switch Function: On-Mom
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Termination Style: Wire Leads
Actuator Type: Round, Button, Domed
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia
Color - Actuator/Cap: Black
Actuator Marking: No Marking
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1319.84 грн
10+	1139.56 грн
25+	1089.46 грн

PMV6DW1BBLK.

Description: E-SWITCH - PMV6DW1BBLK. - ANTIVANDAL SW, SPST, 2A, 24VDC, BLK/CABL
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Schalteranschlüsse: Wire Leaded
Betätiger-/Kappenfarbe: Black
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Plattenausschnitt (H x B): -
Schalterfunktion: On-(On)
IP-Schutzart: IP67
usEccn: EAR99
AC-Kontaktstrom, max.: 0
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 2A
Kontaktspannung V DC: 24V
Farbe der Beleuchtung: Non Illuminated
Durchmesser des Frontplattenausschnitts: 16mm
Schaltermontage: Panel Mount
Produktpalette: PMV6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckknopf-Betätiger: Round Flat
Kontaktkonfiguration: SPST
Kontaktspannung V AC: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1470.32 грн
5+	1394.73 грн
10+	1318.33 грн
25+	1170.57 грн
50+	1024.8 грн

PMV6DW2BBLU

Description: SWITCH PB SPST 2A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 2A (DC)
Mounting Type: Panel Mount, Front
Circuit: SPST
Type: Anti-Vandal
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Termination Style: Wire Leads
Actuator Type: Round, Button, Domed
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia
Color - Actuator/Cap: Blue
Actuator Marking: No Marking
Voltage Rating - DC: 24 V

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1214.81 грн
20+	1048.38 грн
100+	915.9 грн

PMV6DW2BBLU

Pushbutton Switches Anti-vandal Pushbutton SPST 2A, 24DC

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1341.47 грн
10+	1220.66 грн
25+	1047.68 грн
50+	973.77 грн

PMV6DW2BBLU

PMV6DW2BBLU Push Button Switches

товар відсутній

PMV6DW2BBLU.

Description: E-SWITCH - PMV6DW2BBLU. - ANTIVANDAL SW, SPST, 2A, 24VDC, BLU/CABL
tariffCode: 85365080
rohsCompliant: YES
Schalteranschlüsse: Wire Leaded
Betätiger-/Kappenfarbe: Blue
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Plattenausschnitt (H x B): -
Schalterfunktion: Off-(On)
IP-Schutzart: IP67
usEccn: EAR99
AC-Kontaktstrom, max.: 0
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 2A
Kontaktspannung V DC: 24V
Farbe der Beleuchtung: Non Illuminated
Durchmesser des Frontplattenausschnitts: 16mm
Schaltermontage: Panel Mount
Produktpalette: PMV6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckknopf-Betätiger: Round Flat
Kontaktkonfiguration: SPST
Kontaktspannung V AC: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV6DW3BYEL

Description: E-SWITCH - PMV6DW3BYEL - ANTIVANDAL SW, SPST, 2A, 24VDC, YEL/CABL
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Schalteranschlüsse: Wire Leaded
Betätiger-/Kappenfarbe: Yellow
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Plattenausschnitt (H x B): -
Schalterfunktion: On-(Off)
IP-Schutzart: IP67
usEccn: EAR99
AC-Kontaktstrom, max.: 0
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 2A
Kontaktspannung V DC: 24V
Farbe der Beleuchtung: Non Illuminated
Durchmesser des Frontplattenausschnitts: 16mm
Schaltermontage: Panel Mount
Produktpalette: PMV6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckknopf-Betätiger: Round Flat
Kontaktkonfiguration: SPST
Kontaktspannung V AC: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1445.12 грн
5+	1371.16 грн
10+	1294.76 грн
25+	1150.2 грн
50+	1006.68 грн

PMV6DW3BYEL

Pushbutton Switches Anti-vandal Pushbutton SPST 2A, 24DC

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1360.07 грн
10+	1225.66 грн
25+	1027.39 грн
50+	973.77 грн

PMV6DW3BYEL

PMV6DW3BYEL Push Button Switches

товар відсутній

PMV6DW3BYEL

Description: SWITCH PB SPST 2A 24V

товар відсутній

PMV70A240

PMV70A240 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV70A575

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV; SPDT
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value; phase asymmetry; phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 380...575V AC
Power supply: from tested wiring system

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	8323.66 грн

PMV70A575

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV; SPDT
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value; phase asymmetry; phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 380...575V AC
Power supply: from tested wiring system
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	9988.39 грн

PMV70A600

PMV70A600 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV70NA240

PMV70NA240 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV70NA440

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value; neutral cable break; phase asymmetry; phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Kind of output 1: DPDT
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
IP rating: IP20 at terminal side
Power supply: from tested wiring system
Controlled parameter range: 380...440V AC

товар відсутній

PMV70NA440

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value; neutral cable break; phase asymmetry; phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Kind of output 1: DPDT
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
IP rating: IP20 at terminal side
Power supply: from tested wiring system
Controlled parameter range: 380...440V AC
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV70NA600

PMV70NA600 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV74EPER

30 V, P-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMV74EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.17 грн
6000+	6.62 грн
9000+	5.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV74EPER

товар відсутній

PMV74EPER

MOSFET 30V P-CHANNEL

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.6 грн
11+	31.08 грн
100+	15.36 грн
500+	10.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

PMV74EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V

на замовлення 11920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.65 грн
16+	19.85 грн
100+	11.92 грн
500+	10.36 грн
1000+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV75UP

товар відсутній

PMV75UP,215

MOSFET PMV75UP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 48182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.42 грн
14+	24.41 грн
100+	8.48 грн
1000+	6.52 грн
3000+	4.35 грн
9000+	3.91 грн
24000+	3.62 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV75UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V

на замовлення 11909 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.35 грн
15+	20.68 грн
100+	10.45 грн
500+	8 грн
1000+	5.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV75UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV75UP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -10A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PMV75UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9000+	3.1 грн

Мінімальне замовлення: 9000

PMV75UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.53 грн
6000+	5.09 грн
9000+	4.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV75UP,215

товар відсутній

PMV75UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9000+	6.08 грн

Мінімальне замовлення: 9000

PMV75UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3695+	3.33 грн

Мінімальне замовлення: 3695

PMV75UP/S500R

Description: PMV75UP - 20 V, P-channel Trench
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	3.92 грн

Мінімальне замовлення: 6000

PMV80NA240

PMV80NA240 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV80NA440

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. frequency value; neutral cable break; phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Kind of output 1: DPDT
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
IP rating: IP20 at terminal side
Power supply: from tested wiring system
Controlled parameter range: 380...440V AC
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV80NA440

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. frequency value; neutral cable break; phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Kind of output 1: DPDT
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
IP rating: IP20 at terminal side
Power supply: from tested wiring system
Controlled parameter range: 380...440V AC

товар відсутній

PMV80NA600

PMV80NA600 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV88ENEAR

PMV88ENEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV88ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV88ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23

товар відсутній

PMV88ENEAR

MOSFET PMV88ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.81 грн
13+	26.16 грн
100+	15.58 грн
500+	11.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV88ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	24.3 грн
17+	18.19 грн
100+	10.89 грн
500+	9.46 грн
1000+	6.43 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV88ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12000+	5.67 грн

Мінімальне замовлення: 12000

PMV88ENER

Description: PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V

на замовлення 7399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.08 грн
16+	18.94 грн
100+	11.38 грн
500+	9.89 грн
1000+	6.73 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV88ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV88ENER

MOSFET PMV88ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 28441 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.32 грн
15+	22.25 грн
100+	13.19 грн
1000+	7.68 грн
3000+	6.45 грн
9000+	5.94 грн
24000+	5.51 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV88ENER

Description: PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.85 грн
6000+	6.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV88ENER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

PMV88ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV90EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.09W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV90EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.09W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV90EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV90ENE215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV90ENER

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 25183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29 грн
16+	19.55 грн
100+	9.86 грн
500+	8.2 грн
1000+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV90ENER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.118Ω
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	30.89 грн
18+	21.74 грн
25+	16.91 грн
100+	10.87 грн
149+	5.89 грн
409+	5.58 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV90ENER

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.32 грн
6000+	5.95 грн
9000+	5.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV90ENER

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

8+	37.06 грн
11+	27.09 грн
25+	20.29 грн
100+	13.04 грн
149+	7.06 грн
409+	6.7 грн
30000+	6.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

PMV90ENER

Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm

на замовлення 8405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	31.13 грн
36+	23.08 грн
100+	13.09 грн
500+	8 грн
1000+	5.64 грн
3000+	5.22 грн
6000+	4.53 грн

Мінімальне замовлення: 27

PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.25 грн
6000+	6.15 грн
9000+	5.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV90ENER

MOSFET PMV90ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 3537 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.52 грн
13+	26.66 грн
100+	13.11 грн
500+	8.69 грн
1000+	6.67 грн
3000+	6.16 грн
6000+	5.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.73 грн
6000+	6.62 грн
9000+	6.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV95NA240NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV95NA240NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay

товар відсутній

PMV95NA575NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay

товар відсутній

PMV95NA575NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMVCIR-3-850-PM-L-10-NE

Ascentta

Description: PM circulator, 850nm, 3 port, PM
Packaging: Tape & Box (TB)
Type: Optical Circulator, 3 Port

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	129318.75 грн

PMVF30

PMVF30 Monitoring Relays

товар відсутній

PMVF30D048

PMVF30D048 Monitoring Relays

товар відсутній

PMVF51

PMVF51 Monitoring Relays

товар відсутній

PMVF80