Продукція > NEXPERIA > PMV35EPER
PMV35EPER

PMV35EPER NEXPERIA

4283595881199375pmv35epe.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV35EPER NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 480mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PMV35EPER за ціною від 8.78 грн до 48.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia USA Inc. PMV35EPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
544+22.25 грн
654+ 18.48 грн
759+ 15.93 грн
1000+ 12.56 грн
3000+ 10.44 грн
Мінімальне замовлення: 544
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+23.12 грн
29+ 20.66 грн
100+ 17.16 грн
500+ 14.27 грн
1000+ 10.8 грн
3000+ 9.31 грн
Мінімальне замовлення: 26
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003074133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 480mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.21 грн
500+ 19.89 грн
1000+ 14.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : NEXPERIA PMV35EPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 67mΩ
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Gate charge: 19.2nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: -17A
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+27.52 грн
25+ 22.21 грн
55+ 15.98 грн
145+ 15.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : NEXPERIA PMV35EPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 67mΩ
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Gate charge: 19.2nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: -17A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.02 грн
25+ 27.68 грн
55+ 19.18 грн
145+ 18.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia PMV35EPE-1539905.pdf MOSFET PMV35EPE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.25 грн
12+ 27.41 грн
100+ 18.12 грн
500+ 14.91 грн
1000+ 12.13 грн
3000+ 10.24 грн
9000+ 8.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia USA Inc. PMV35EPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.2 грн
10+ 32.74 грн
100+ 22.76 грн
500+ 16.67 грн
1000+ 13.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003074133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+48.94 грн
20+ 40.42 грн
100+ 27.21 грн
500+ 19.89 грн
1000+ 14.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
PMV35EPER
Код товару: 187543 		PMV35EPE.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 35 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 793/12.8
товар відсутній
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній