![PMV30UN2R PMV30UN2R](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/daf6455b386ecb473432140f17a508fd7bbad2b9/nxv65upr.jpg)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.34 грн |
6000+ | 4.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV30UN2R Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMV30UN2R за ціною від 3.93 грн до 34.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV30UN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1248000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV30UN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV30UN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 30107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV30UN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 30107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV30UN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 18A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 6029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V |
на замовлення 138771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV30UN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 18A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6029 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 21359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PMV30UN2R | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PMV30UN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1248000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|